【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制作方法
本申请涉及半导体器件
，尤其涉及一种半导体器件及其制作方法。
技术介绍
现有的双层三维存储器件，例如双层三维计算机闪存设备(3DNAND)存储器件，其上叠层和下叠层均采用垂直堆叠多层存储单元的方式，实现堆叠式的3DNAND存储器件。其中，堆叠式的存储器件的下叠层和上叠层均由栅极层和绝缘层交替堆叠形成，且下堆叠层和上堆叠层依次堆叠设置在晶圆衬底上。在生产和使用过程中发现，存储器件中的晶圆边缘容易被损伤，如果晶圆边缘损伤严重，将导致晶圆破裂或诱导工具警报，严重影响产品良率。
技术实现思路
本申请提供一种半导体器件及其制作方法，可以有效的保护衬底，避免衬底的边缘被损坏，有利于提高产品良率。一方面，本申请提供一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底具有顶表面、底表面、及连接所述顶表面与所述底表面的侧表面；在所述衬底的顶表面上形成半导体功能结构；所述衬底的顶表面的外围留有未被所述半导体功能结构覆盖的边缘区；形成保护层，所述...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供一衬底，所述衬底具有顶表面、底表面、及连接所述顶表面与所述底表面的侧表面；/n在所述衬底的顶表面上形成半导体功能结构；所述衬底的顶表面的外围留有未被所述半导体功能结构覆盖的边缘区；/n形成保护层，所述保护层至少覆盖在所述衬底的顶表面的所述边缘区上，以及所述半导体功能结构的侧表面上；以及/n对所述半导体功能结构进行处理。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底，所述衬底具有顶表面、底表面、及连接所述顶表面与所述底表面的侧表面；
在所述衬底的顶表面上形成半导体功能结构；所述衬底的顶表面的外围留有未被所述半导体功能结构覆盖的边缘区；
形成保护层，所述保护层至少覆盖在所述衬底的顶表面的所述边缘区上，以及所述半导体功能结构的侧表面上；以及
对所述半导体功能结构进行处理。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述保护层的材料包括二氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的其中一种。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述保护层的厚度大于或等于100纳米。
4.如权利要求1至3任一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述保护层还形成在所述衬底的底表面与所述衬底的侧表面上。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述形成保护层的步骤，包括以下步骤：
在所述半导体功能结构远离所述衬底的一侧覆盖掩膜层；
在所述衬底的顶表面的所述边缘区、所述衬底的底表面、所述衬底的侧表面以及所述半导体功能结构的侧表面沉积保护层；
去除所述掩膜层。
6.如权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底的顶表面的所述边缘区、所述衬底的底表面、所述衬底的侧表面以及所述半导体功能结构的侧表面沉积保护层，包括以下步骤：
将形成有所述半导体功能结构和所述掩膜层的所述衬底翻转，以使所述衬底的底表面朝上；
在所述衬底的底表面上沉积保护层，同时，所述保护层还被沉积在所述衬底的侧表面、所述衬底的顶表面的所述边缘区、以及所述半导体功能结构的侧表面上。
7.如权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底的底表面上沉积保护层，包括以下步骤：
采用化学气相沉积法在所述衬底的底表面上沉积保护层。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件为三维存储器；
所述在所述衬底的顶表面上形成半导体功能结构，包括以下步骤：
在所述衬底的顶表面上形成所述第一堆栈层，并在垂直于所述衬底方向上形成贯穿所述第一堆栈层的第一沟道孔；
在所述第一沟道孔中填充牺牲层；
在所述第一堆栈层远离所述衬底的一侧形成第二堆栈层，并在垂直于所述衬底方向上形成贯穿所述第二堆栈层的第二沟道孔；所述第二沟道孔位于所述第一沟道孔上，且裸露出所述牺牲层；以及
所述对所述半导体功能结构进行处理，包括以下步骤：
移除所述第一沟道孔中的所述牺牲层；
在所述第一沟道孔和所述第二沟道孔中形成存储串。
9.如权利要求8所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一堆栈层和所述第二堆栈层的同一侧为台阶状且覆盖有台阶状结构；所述台阶状结构上形成有平坦层；
在所述第一沟道孔形成的同时，在垂直于所述衬底方向上还形成有至少贯穿部分所述第一堆栈层且与所述第一沟道孔高度相同的第三沟道孔；所述第三沟道孔中填...
【专利技术属性】
技术研发人员：何家兰，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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