温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件的制作方法包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底具有顶表面、底表面、及连接所述顶表面与所述底表面的侧表面；在所述衬底的顶表面上形成半导体功能结构；所述衬底的顶表面的外围留有未被所述半导体功能...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。