一种基片台及其装置制造方法及图纸

技术编号:24989537 阅读:23 留言:0更新日期:2020-07-24 17:52
本发明专利技术提供一种基片台,用于承载圆片,所述基片台上表面呈圆形,所述基片台直径大于所述圆片,所述基片台的圆形边缘设有一个环形的凹坑,所述凹坑中填充有无机材料。由于微波激发的等离子体球是一个能量密度不均匀的球形体,导致对基片台上工件的热辐射量也是分布不均匀的。为了保证整个基片台表面有一个比较均匀一致的温度,利用金刚石的高热导能力,将金刚石圆片作为基片台表面导热材料,下面是埋有水冷凝管的导热金属,金刚石圆片与导热金属之间有一层提高附着力的金属薄膜。金刚石圆片边缘与基片台边缘有一个环形的空隙,缝隙中填充有一种耐高温、惰性的无机材料。

【技术实现步骤摘要】
一种基片台及其装置
本专利技术属于真空微电子
,具体涉及一种基片台。
技术介绍
等离子体是继固态,液态,气态之后的作为物质的第四态,在很多领域有着广泛的应用。而要使物质处于等离子体状态,就需要提供一定的能量。微波作为一种电磁波,比较容易的将气体激发成等离子体状态,因此微波等离子体技术在很多领域得到了广泛的应用。微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置一般包括微波系统、真空系统、供气系统和等离子体反应室,等离子体反应室中设有一个自旋转基片台,以制备金刚石膜为例,微波系统产生的微波进入等离子体反应室,在自旋转基片台上方激发供气系统提供的气体产生等离子体球,等离子体球紧贴在成膜衬底材料表面,通过调整不同的反应气体以及调整等离子体的工艺参数,可以在基片台表面沉积金刚石薄膜。由于微波等离子体激发的特性,在基片台上方,靠近基片台中央区域电场强度最大;靠近基片台边缘区域电场强度较弱;因此用微波激发等离子体往往呈现球形。传统的基片台材料为不锈钢,或者是耐高温的金属材料如钨或者钼。下面例举了集中不同的材料在指定温度下的热导率:铝:230W本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片台,用于承载圆片,其特征在于,所述基片台上表面呈圆形,所述基片台直径大于所述圆片,所述基片台的圆形边缘设有一个环形的凹坑,所述凹坑中填充有无机材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种基片台,用于承载圆片,其特征在于,所述基片台上表面呈圆形,所述基片台直径大于所述圆片,所述基片台的圆形边缘设有一个环形的凹坑,所述凹坑中填充有无机材料。


2.根据权利要求1所述的基片台,其特征在于:所述圆片是两面抛光平整或者一面抛光平整,一面没有抛光的金刚石膜;将抛光的那一面向上作为基片台的上表面。


3.根据权利要求2所述的基片台,其特征在于:所述金刚石膜的厚度为1.0-2.5毫米之间。


4.根据权利要求2所述的基片台,其特征在于:所述金刚石膜与基片台边缘有一个1.0-3.0mm的环形间隙。


5.根据权利要求4所述的基片台,其特征在于:所述环形间隙深度与金刚石膜厚度保持一致。


6.根据权利要求2所述的基片台,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:龚闯吴剑波朱长征余斌
申请(专利权)人:上海征世科技有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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