封装装置制造方法及图纸

封装装置10包括：接合载台14；基台16；封装头12，进行暂时压接处理与正式压接处理，所述暂时压接处理为对半导体芯片100抽吸保持并暂时压接在被封装体的处理，所述正式压接处理为对经暂时压接的半导体芯片100进行正式压接的处理；薄膜配置机构18，设于接合载台14或基台16；以及控制部20，控制封装头12及薄膜配置机构18的驱动，薄膜配置机构18包括：薄膜送出机构24，具有架设有保护薄膜110的一对进给辊28，薄膜送出机构24依序送出新的保护薄膜110；以及薄膜移动机构30，使保护薄膜110相对于基板104而沿水平方向移动。

Packaging device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】封装装置
本说明书涉及一种将半导体芯片(semiconductorchip)经由粘着材料而封装至作为被封装体的基板或其它半导体芯片的封装装置。
技术介绍
以前，广泛已知有一种倒装芯片接合(flipchipbonder)技术，是将半导体芯片不经由引线(wire)封装至作为被封装体的基板或其它半导体芯片。所述倒装芯片接合中，有时是在被封装体上预先涂布包含热硬化性树脂的粘着材料，经由所述粘着材料将半导体芯片固接至被封装体。此时，当利用封装头(head)来对半导体芯片进行加热及加压时，被半导体芯片挤出的粘着材料有时会向上蔓延至上方而附着于封装头。另外，即使在未附着于封装头的情况下，从经加热的粘着材料所产生的烟雾气体(fumegas)有时也会侵入封装头内。在专利文献1中，公开了一种封装装置，其为了防止此种粘着材料向热压接工具(封装头)的附着，利用薄膜(film)构件(保护薄膜(coverfilm))来覆盖热压接工具的底面。即，专利文献1的封装装置中，在接合头(bondinghead)上设有热压接工具与依序进给(feed)薄膜构件的薄膜构件搬送机构。根据所述封装装置，可有效地防止粘着材料向热压接工具的附着。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2015-35493号公报专利文献2：日本专利特开2004-165536号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题然而，在专利文献1等的现有技术中，半导体芯片是被抽吸保持于热压接工具的底面，但所述抽吸面始终被薄膜构件覆盖。而且，薄膜构件在每压接一个半导体芯片时要更换为新的薄膜构件。其结果，现有技术中，必须在半导体芯片的抽吸之前，在薄膜构件上形成抽吸用的孔。此处，相比于对半导体芯片进行加热及加压以接合至被封装体所需的时间，薄膜构件的开孔或薄膜构件的进给所需的时间要耗费数倍～十倍。因此，专利文献1等的现有技术导致了节拍时间(takttime)的增加。再者，在专利文献2中，公开了一种将树脂薄膜(保护薄膜)与接合工具分离地设置的封装装置。然而，专利文献2的封装装置中，树脂薄膜是用于保护芯片(半导体芯片)不受接合工具的振动影响，而非用于防止粘着材料向接合工具的附着。另外，虽然专利文献2的接合工具已对暂时放置的芯片进行按压，但并非是以抽吸来保持暂时放置前的芯片。因此，专利文献2的技术难以适用于以一个封装头来进行半导体芯片的暂时压接及正式压接的封装装置。因此，本说明书中，公开一种封装装置，其是以一个封装头来进行暂时压接处理及正式压接处理的封装装置，且可进一步缩短节拍时间。解决问题的技术手段本说明书中公开的封装装置将半导体芯片经由粘着材料而封装至作为被封装体的基板或其它半导体芯片，所述封装装置的特征在于包括：接合载台，载置所述基板；基台，支撑所述接合载台；封装头，进行暂时压接处理与正式压接处理，所述暂时压接处理为对所述半导体芯片抽吸保持并暂时压接在所述被封装体的处理，所述正式压接处理为对经所述暂时压接的半导体芯片进行正式压接的处理；薄膜配置机构，设于所述接合载台或所述基台，在所述正式压接处理时，使保护薄膜介隔于经所述暂时压接的半导体芯片与所述封装头之间；以及控制部，控制所述封装头及所述薄膜配置机构的驱动，所述薄膜配置机构包括：薄膜送出机构，具有架设有所述保护薄膜的一对辊，所述薄膜送出机构依序送出新的保护薄膜；以及薄膜移动机构，使所述保护薄膜相对于所述基板而沿水平方向移动。在设为所述构成的情况下，由于保护薄膜与封装头分离，因此不需要保护薄膜的开孔。其结果，可减少节拍时间，且可有效地防止因粘着材料造成的封装头的污染。所述控制部也可控制所述薄膜移动机构，使所述保护薄膜在所述暂时压接处理时，位于在水平方向上离开所述半导体芯片进行暂时压接的封装分区的退避位置，而在所述正式压接处理时，位于作为正式压接对象的半导体芯片的正上方的居间位置。通过设为所述构成，在暂时压接处理时，防止保护薄膜与封装头的干涉，在正式压接处理时，保护薄膜介隔于封装头与半导体芯片之间，因此可有效地防止因粘着材料造成的封装头的污染。另外，所述薄膜送出机构也可在所述居间位置，以所述保护薄膜覆盖多个封装分区上方的方式而架设有所述保护薄膜，若在所述保护薄膜所覆盖的所有所述多个封装分区中，所述半导体芯片的正式压接结束，则所述控制部驱动所述薄膜移动机构，使所述保护薄膜移动至覆盖新的多个封装分区上方的位置，并且所述控制部驱动所述薄膜送出机构而将所述保护薄膜进给与所述多个封装分区相应的距离。通过设为所述构成，可减少保护薄膜的进给次数，因此可进一步减少节拍时间。此时，在所述基板上，也可呈二维数组状地规定有封装半导体芯片的封装分区，所述薄膜送出机构利用以列为单位来覆盖所述二维数组状的封装分区的方式，而架设有所述保护薄膜。保护薄膜以列为单位来覆盖封装分区，由此，可简化保护薄膜的进给/移动控制。另外，所述控制部也可使所述封装头在多个所述封装分区连续执行所述半导体芯片的暂时压接后，连续执行经所述暂时压接的多个所述半导体芯片的正式压接。通过设为所述构成，可减少薄膜移动机构对保护薄膜的移动次数，因此可进一步减少节拍时间。另外，所述薄膜配置机构也可还包括使所述保护薄膜相对于所述接合载台而升降的升降机构。通过设为所述构成，可使保护薄膜更确实地离开半导体芯片的上表面。另外，在对半导体芯片进行层叠封装的情况下，可根据其层叠层数来变更保护薄膜的配置高度，因此封装装置的通用性提高。另外，所述薄膜送出机构也可包括干涉构件，所述干涉构件通过与受到所述封装头按压而朝下方弯曲的所述保护薄膜的一部分进行干涉，来支持所述弯曲的消除。若设为所述构成，则不仅构成简单，而且可使保护薄膜更确实地离开半导体芯片的上表面。专利技术的效果根据在本说明书中公开的封装装置，由于保护薄膜与封装头分离，因此不需要保护薄膜的开孔。其结果，可减少节拍时间，且可有效地防止因粘着材料造成的封装头的污染。附图说明图1是表示封装装置的构成的图。图2是封装装置的概略平面图。图3是表示暂时压接的情况的侧面图。图4是表示正式压接的情况的侧面图。图5是表示暂时压接的情况的平面图。图6是表示暂时压接的情况的平面图。图7是表示正式压接的情况的平面图。图8是表示正式压接的情况的平面图。图9A是表示正式压接的情况的侧面图。图9B是表示正式压接的情况的侧面图。图10是对现有技术与本例的处理时间进行比较的图。图11A是表示另一封装装置的一例的图。图11B是表示图11A的封装装置的另一状态的图。图12A是另一封装装置中使用的干涉构件的立体图。图12B是表示使用图12A的干涉构件的封装装置的一例的图。图13是表示另一封装装置的一例的图。图14是使用圆形基板的情况的平面图。图15是对半导体芯片进行层叠封装的情况本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装装置，将半导体芯片经由粘着材料而封装至作为被封装体的基板或其它半导体芯片，所述封装装置的特征在于包括：/n接合载台，载置所述基板；/n基台，支撑所述接合载台；/n封装头，进行暂时压接处理与正式压接处理，所述暂时压接处理为对所述半导体芯片抽吸保持并暂时压接在所述被封装体的处理，所述正式压接处理为对经所述暂时压接的半导体芯片进行正式压接的处理；/n薄膜配置机构，设于所述接合载台或所述基台，在所述正式压接处理时，使保护薄膜介隔于经所述暂时压接的半导体芯片与所述封装头之间；以及/n控制部，控制所述封装头及所述薄膜配置机构的驱动，/n所述薄膜配置机构包括：/n薄膜送出机构，具有架设有所述保护薄膜的一对辊，所述薄膜送出机构依序送出新的保护薄膜；以及/n薄膜移动机构，使所述保护薄膜相对于所述基板而沿水平方向移动。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171201 JP 2017-2321061.一种封装装置，将半导体芯片经由粘着材料而封装至作为被封装体的基板或其它半导体芯片，所述封装装置的特征在于包括：
接合载台，载置所述基板；
基台，支撑所述接合载台；
封装头，进行暂时压接处理与正式压接处理，所述暂时压接处理为对所述半导体芯片抽吸保持并暂时压接在所述被封装体的处理，所述正式压接处理为对经所述暂时压接的半导体芯片进行正式压接的处理；
薄膜配置机构，设于所述接合载台或所述基台，在所述正式压接处理时，使保护薄膜介隔于经所述暂时压接的半导体芯片与所述封装头之间；以及
控制部，控制所述封装头及所述薄膜配置机构的驱动，
所述薄膜配置机构包括：
薄膜送出机构，具有架设有所述保护薄膜的一对辊，所述薄膜送出机构依序送出新的保护薄膜；以及
薄膜移动机构，使所述保护薄膜相对于所述基板而沿水平方向移动。


2.根据权利要求1所述的封装装置，其特征在于：
所述控制部控制所述薄膜移动机构，使所述保护薄膜在所述暂时压接处理时，位于在水平方向上离开所述半导体芯片进行暂时压接的封装分区的退避位置，而在所述正式压接处理时，位于作为正式压接对象的半导体芯片的正上方的居间位置。


3.根据权利要求2所述的封装装置，其特征在于：
...

【专利技术属性】
技术研发人员：瀬山耕平，歌野哲弥，
申请(专利权)人：株式会社新川，
类型：发明
国别省市：日本;JP