【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法
本专利技术属于集成电路设计及制造
,特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
在现有半导体工艺中,碳层是硬掩膜层关键的候选材料,然而,硬掩膜层及碳层总会遭受凸起缺陷的影响,即在硬掩膜层下方的材料层表面存在凸起缺陷时,硬掩膜层及碳层会形成有对应的凸起缺陷,而硬掩膜层及碳层存在凸起缺陷时,很容易在后续刻蚀(Etch)过程中对刻蚀工艺造成影响,使得得到的刻蚀结构的具有较差的轮廓结构。为了解决上述问题,现有工艺中一般需要通过等离子体处理工艺去除硬掩膜层表面的凸起缺陷,或者在形成硬掩膜层之前对工艺腔室进行维护(PM),以防止硬掩膜层表面形成凸起缺陷;然而,这都需要增肌额外的工艺步骤以确保硬掩膜层的表面没有凸起缺陷,这无疑会导致生产效率的降低及生产成本的增加。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点,本专利技术的目的在于提供一种半导体结构及其制备方法,用于解决现有技术中的上述问题。为实现上述目的及其他相关目的,本专利技术提供一种半导体结构的制备方法,所述半导体结 ...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:/n形成第一材料层,所述第一材料层的表面形成有第一凸起缺陷;及/n于所述第一材料层的表面形成第二材料层,所述第二材料层包括含氢离子的碳层或采用旋涂工艺形成的异位杂化碳层;所述第二材料层覆盖所述第一材料层形成有所述第一凸起缺陷的表面,且所述第二材料层远离所述第一材料层的表面为平面。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
形成第一材料层,所述第一材料层的表面形成有第一凸起缺陷;及
于所述第一材料层的表面形成第二材料层,所述第二材料层包括含氢离子的碳层或采用旋涂工艺形成的异位杂化碳层;所述第二材料层覆盖所述第一材料层形成有所述第一凸起缺陷的表面,且所述第二材料层远离所述第一材料层的表面为平面。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法,其特征在于:所述第二材料层为含氢离子的碳层时,采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成所述第二材料层。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法,其特征在于,采用原位生长工艺形成所述第二材料层。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法,其特征在于:形成所述第一材料层之前还包括提供衬底,第一材料层形成于所述衬底的表面。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体结构的制备方法,其特征在于:形成所述第二材料层之后还包括如下步骤:
于所述第二材料层的表面形成第三材料层,所述第三材料层的表面形成有第二凸起缺陷;及
于所述第三材料层的表面形成第四材料层,所述第四材料层包括含氢离子的碳层或采用旋涂工艺形成的异位杂化碳层;所述第四材料层覆盖所述第三材料层形成有所述第二凸起缺陷的表面,且所述第四材料层远离所述第三材料层的表面为平面。
6.根据权利要求5所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:羅興安,胡淼龙,蒋志超,张春雷,王林,张高升,陆聪,
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:湖北;42
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