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本发明提供一种半导体结构及其制备方法，包括如下步骤：形成第一材料层，第一材料层的表面形成有第一凸起缺陷；于第一材料层的表面形成第二材料层，第二材料层包括含氢离子的碳层或采用旋涂工艺形成的异位杂化碳层；第二材料层覆盖第一材料层形成有第一凸起缺...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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