半导体芯片和半导体封装件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体芯片和半导体封装件，所述半导体封装件包括连接结构、半导体芯片和包封剂。所述连接结构包括：绝缘层；重新分布层，设置在所述绝缘层上；以及连接过孔，贯穿所述绝缘层并且连接到所述重新分布层。所述半导体芯片具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面，并且所述有效表面设置在所述连接结构上以面对所述连接结构。所述包封剂覆盖所述半导体芯片的至少一部分。所述半导体芯片包括形成在所述有效表面中的槽和围绕所述有效表面中的所述槽设置的坝结构。

Semiconductor chip and semiconductor package

【技术实现步骤摘要】
半导体芯片和半导体封装件本申请要求于2018年11月23日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0146216号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
本公开涉及一种半导体领域，更具体地，涉及一种其有效表面中设置有槽的半导体芯片和一种电连接结构可延伸到设置有半导体芯片的区域的外部的扇出型半导体封装件。
技术介绍
近来，在与半导体芯片相关的技术开发中的显著趋势已经是减小半导体芯片的尺寸。因此，在封装技术的领域中，根据对小尺寸半导体芯片等的需求的快速增长，已经需要实现一种在包括多个引脚的同时具有紧凑尺寸的半导体封装件。为满足如上所述的技术需求而提出的半导体封装技术的类型之一是扇出型半导体封装件。这样的扇出型封装件具有紧凑的尺寸，并且可允许通过使电连接结构重新分布到设置有半导体芯片的区域的外部来实现多个引脚。然而，在制造扇出型封装件的工艺中，包封半导体芯片的包封剂渗出到连接焊盘等的缺陷经常发生。
技术实现思路
本公开的一方面提供了一种可抑制由于包封剂而引起的渗出缺陷并且可改善过孔的可靠性的半导体封装件。根据本公开的一方面，一种半导体封装件可包括连接结构、半导体芯片和包封剂。所述连接结构包括：绝缘层；重新分布层，设置在所述绝缘层上；以及连接过孔，贯穿所述绝缘层并且连接到所述重新分布层。所述半导体芯片具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面，并且所述有效表面设置在所述连接结构上以面对所述连接结构。所述包封剂覆盖所述半导体芯片的至少一部分，并且所述半导体芯片包括形成在所述有效表面中的槽和围绕所述有效表面中的所述槽设置的坝结构。所述槽可设置在所述半导体芯片的边缘和所述连接焊盘之间。所述槽可沿着所述半导体芯片的所述有效表面的外周连续形成。所述半导体芯片可包括多个槽，所述多个槽包括分别沿着所述半导体芯片的所述有效表面的相应边缘连续形成并且彼此断开的槽。所述半导体芯片可包括钝化层，所述钝化层沿着所述有效表面的角部区域延伸且位于所述多个槽的相邻槽之间。所述槽可具有相对于所述有效表面按照不同角度倾斜的多个倾斜表面。所述槽可以是凹陷到所述有效表面中的激光加工的槽。所述坝结构可以是通过激光加工所述半导体芯片而形成的毛刺并且从所述有效表面向外部延伸。所述半导体封装件可包括框架，所述框架设置在所述连接结构上并且具有通孔，所述半导体芯片设置在所述通孔中。所述包封剂可填充所述通孔，并且覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面。所述包封剂可延伸到所述半导体芯片的所述有效表面的一部分。所述包封剂可填充在所述槽的至少一部分中。根据本公开的另一方面，一种半导体芯片包括：主体，具有平面表面；多个连接焊盘，沿着所述平面表面设置并且电连接到所述主体中的电子电路；槽，沿着所述平面表面的外周凹陷到所述平面表面中；以及坝，沿着所述槽的外周从所述平面表面延伸。所述槽和所述坝设置在所述多个连接焊盘和所述主体的所述平面表面的边缘之间。根据本公开的另一方面，一种半导体封装件包括：如上所述的半导体芯片；连接结构，包括：绝缘层、设置在所述绝缘层上的重新分布层以及贯穿所述绝缘层并且连接到所述重新分布层和所述半导体芯片的连接焊盘的连接过孔；以及包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分，并且部分地延伸到所述半导体芯片的所述槽中。附图说明通过以下结合附图的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和其他优点将被更清楚地理解，在附图中：图1是示出电子装置系统的示例的示意性框图；图2是示出电子装置的示例的示意性透视图；图3A和图3B是示出在被封装之前和被封装之后的扇入型半导体封装件的示意性截面图；图4是示出扇入型半导体封装件的封装工艺的示意性截面图；图5是示出安装在印刷电路板上并且最终安装在电子装置的主板上的扇入型半导体封装件的示意性截面图；图6是示出嵌在印刷电路板中并且最终安装在电子装置的主板上的扇入型半导体封装件的示意性截面图；图7是示出扇出型半导体封装件的示意性截面图；图8是示出安装在电子装置的主板上的扇出型半导体封装件的示意性截面图；图9是示出根据本公开的原理的半导体封装件的示例的示意性截面图；图10是示出可在图9的半导体封装件中使用的半导体芯片的槽的截面图；图11是沿着图9的半导体封装件的I-I′线截取的示意性平面图；图12是沿着图9的半导体封装件的I-I′线截取的另一示意性平面图；以及图13和图14示出了根据变型示例的半导体封装件。具体实施方式在下文中，将参照附图描述本公开中的示例性实施例。在附图中，为了清楚起见，组件的形状、尺寸等可被夸大或缩小。电子装置图1是示出电子装置系统的示例的示意性框图。参照图1，电子装置1000可将主板1010容纳在其中。主板1010可包括物理连接或者电连接到其的芯片相关组件1020、网络相关组件1030、其他组件1040等。这些组件可通过各种信号线1090连接到以下将描述的其他组件。芯片相关组件1020可包括：存储器芯片，诸如易失性存储器(例如，动态随机存取存储器(DRAM))、非易失性存储器(例如，只读存储器(ROM))、闪存等；应用处理器芯片，诸如中央处理器(例如，中央处理单元(CPU))、图形处理器(例如，图形处理单元(GPU))、数字信号处理器、密码处理器、微处理器、微控制器等；以及逻辑芯片，诸如模拟数字转换器(ADC)、专用集成电路(ASIC)等。然而，芯片相关组件1020不限于此，而是还可包括其他类型的芯片相关组件。此外，芯片相关组件1020可彼此组合。网络相关组件1030可包括根据诸如以下的协议操作的组件：无线保真(Wi-Fi)(电气电子工程师协会(IEEE)802.11族等)、全球微波接入互操作性(WiMAX)(IEEE802.16族等)、IEEE802.20、长期演进(LTE)、演进数据最优化(Ev-DO)、高速分组接入+(HSPA+)、高速下行链路分组接入+(HSDPA+)、高速上行链路分组接入+(HSUPA+)、增强型数据GSM环境(EDGE)、全球移动通信系统(GSM)、全球定位系统(GPS)、通用分组无线业务(GPRS)、码分多址(CDMA)、时分多址(TDMA)、数字增强型无绳电信(DECT)、蓝牙、3G协议、4G协议和5G协议以及在上述协议之后指定的任意其他无线协议和有线协议。然而，网络相关组件1030不限于此，而是还可包括根据各种其他无线标准或协议或者有线标准或协议操作的组件。此外，网络相关组件1030可与上述芯片相关组件1020一起彼此组合。其他组件1040可包括高频电感器、铁氧体电感器、功率电感器、铁氧体磁珠、低温共烧陶瓷(LTCC)、电磁干扰(EMI)滤波器、多层陶瓷电容器(MLCC)等。然而，其他组件1040不限于此，并且还可包括用于各种其他目的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件，包括：/n连接结构，包括：绝缘层；重新分布层，设置在所述绝缘层上；以及连接过孔，贯穿所述绝缘层并且连接到所述重新分布层；/n半导体芯片，具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面，并且所述有效表面被设置在所述连接结构上以面对所述连接结构；以及/n包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分，/n其中，所述半导体芯片包括设置在所述有效表面中的槽和围绕所述有效表面中的所述槽设置的坝结构。/n

【技术特征摘要】
20181123 KR 10-2018-01462161.一种半导体封装件，包括：
连接结构，包括：绝缘层；重新分布层，设置在所述绝缘层上；以及连接过孔，贯穿所述绝缘层并且连接到所述重新分布层；
半导体芯片，具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面，并且所述有效表面被设置在所述连接结构上以面对所述连接结构；以及
包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分，
其中，所述半导体芯片包括设置在所述有效表面中的槽和围绕所述有效表面中的所述槽设置的坝结构。


2.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述槽设置在所述半导体芯片的边缘和所述连接焊盘之间。


3.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述槽沿所述半导体芯片的所述有效表面的外周连续设置。


4.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述半导体芯片包括多个槽，所述多个槽包括分别沿着所述半导体芯片的所述有效表面的相应边缘连续形成并且彼此断开的槽。


5.如权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述半导体芯片包括钝化层，所述钝化层沿着所述有效表面的角部区域延伸且位于所述多个槽的相邻槽之间。


6.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述槽具有相对于所述有效表面按照不同角度倾斜的多个倾斜表面。


7.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述槽是凹陷到所述有效表面中的激光加工的槽。


8.如权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述坝结构是通过激光加工所述半导体芯片而形成的毛刺并且从所述有效表面向外延伸。


9.如权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：
框架，设置在所述连接结构上并且具有通孔，所述半导体芯片设置在所述通孔中。


10.如权利要求9所述的半导体封装件，其中，所述包封剂填充所述通孔，并且覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面。


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【专利技术属性】
技术研发人员：明俊佑，李在杰，李铣浩，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR