形成半导体器件的方法技术

根据本申请的实施例，提供了形成半导体器件的方法，包括在半导体晶圆上形成晶种层，在晶种层上涂覆光刻胶，实施光刻工艺以曝光光刻胶，以及显影光刻胶以在光刻胶中形成开口。暴露晶种层，并且其中，该开口包括金属焊盘的第一开口和金属线的连接至第一开口的第二开口。在第一开口和第二开口的连接点处，形成金属贴片的第三开口，使得开口和与第一开口相邻的所有角度都大于90度。该方法还包括在光刻胶的开口中镀金属焊盘、金属线和金属贴片，去除光刻胶，以及蚀刻晶种层以留下金属焊盘、金属线和金属贴片。根据本申请的实施例，还提供了其他形成半导体器件的方法。

Methods of forming semiconductor devices

【技术实现步骤摘要】
形成半导体器件的方法
本申请的实施例涉及半导体领域，并且更具体地，涉及形成半导体器件的方法。
技术介绍
集成电路包括用于互连目的的各种类型的部件。例如，金属焊盘通常用于上层部件，诸如位于其上的接触插塞、通孔等。金属焊盘可以连接至金属线，金属线比金属焊盘窄得多。金属线可以用于将电信号、电压、电流等电路由至金属焊盘以及与金属焊盘电路由。由于金属焊盘的大尺寸和金属线的小宽度，可能出现可靠性问题。例如，在金属线和金属焊盘之间的界面处可能出现裂缝。而且，与金属焊盘相邻的介电层也可能由于金属焊盘施加的应力而破裂。
技术实现思路
根据本申请的实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体晶圆上形成晶种层；在晶种层上涂覆光刻胶；实施光刻工艺以曝光光刻胶；显影光刻胶以在光刻胶中形成开口，其中，暴露所述晶种层，并且其中，所述开口包括金属焊盘的第一开口和金属线的连接至所述第一开口的第二开口，其中，在所述第一开口和所述第二开口的连接点处，形成金属贴片的第三开口，使得所述开口和与所述第一开口相邻的所有角度都大于90度；在所述光刻胶的所述开口中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成半导体器件的方法，包括：/n在半导体晶圆上形成晶种层；/n在晶种层上涂覆光刻胶；/n实施光刻工艺以曝光光刻胶；/n显影光刻胶以在光刻胶中形成开口，其中，暴露所述晶种层，并且其中，所述开口包括金属焊盘的第一开口和金属线的连接至所述第一开口的第二开口，其中，在所述第一开口和所述第二开口的连接点处，形成金属贴片的第三开口，使得所述开口和与所述第一开口相邻的所有角度都大于90度；/n在所述光刻胶的所述开口中镀所述金属焊盘、所述金属线和所述金属贴片；/n去除所述光刻胶；以及/n蚀刻所述晶种层以留下所述金属焊盘、所述金属线和所述金属贴片。/n

【技术特征摘要】
20181121 US 62/770,445;20190311 US 16/297,9381.一种形成半导体器件的方法，包括：
在半导体晶圆上形成晶种层；
在晶种层上涂覆光刻胶；
实施光刻工艺以曝光光刻胶；
显影光刻胶以在光刻胶中形成开口，其中，暴露所述晶种层，并且其中，所述开口包括金属焊盘的第一开口和金属线的连接至所述第一开口的第二开口，其中，在所述第一开口和所述第二开口的连接点处，形成金属贴片的第三开口，使得所述开口和与所述第一开口相邻的所有角度都大于90度；
在所述光刻胶的所述开口中镀所述金属焊盘、所述金属线和所述金属贴片；
去除所述光刻胶；以及
蚀刻所述晶种层以留下所述金属焊盘、所述金属线和所述金属贴片。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，使用光刻掩模曝光光刻胶，并且所述光刻掩模包括所述金属焊盘的图案、所述金属线的图案和所述金属贴片的图案。


3.根据权利要求1所述的方法，还包括，对初始图案实施布尔运算，其中，所述初始图案包括所述金属焊盘的图案和所述金属线的图案。


4.根据权利要求3所述的方法，还包括，添加所述金属贴片的图案，其中，所述金属贴片的图案具有邻接所述金属焊盘的图案的边缘的边缘，以及邻接所述金属线的边缘的边缘。


5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述布尔运算包括确定所述初始图案的边界区域。


6.根据权利要求5所述的方法，其中，确定所述初始图案的边界区域包括：
从所述初始图案去除所述金属焊盘的图案；
缩短所述金属线的图案，以形成缩短的金属线图案；
去除未连接至所述金属焊盘的图案的图案；
尺寸调整...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟淑维，王彦森，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71