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根据本申请的实施例，提供了形成半导体器件的方法，包括在半导体晶圆上形成晶种层，在晶种层上涂覆光刻胶，实施光刻工艺以曝光光刻胶，以及显影光刻胶以在光刻胶中形成开口。暴露晶种层，并且其中，该开口包括金属焊盘的第一开口和金属线的连接至第一开口的第...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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