【技术实现步骤摘要】
半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置、电力变换装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
在专利文献1中公开了一种将半导体芯片叠放于绝缘基板的铜箔电路图案而进行了焊料接合的半导体装置的制造方法。就该半导体装置的制造方法而言，向铜箔电路图案的接合面区域内照射激光，分散地形成凹凸状的陷坑。然后，在接合面区域将绝缘基板与半导体芯片隔着焊料进行接合。为了使通过激光的照射而形成的陷坑不贯穿铜箔，使铜箔的厚度大于或等于0.5mm。专利文献1：日本特开2008-282834号公报有机绝缘层通常与陶瓷相比导热率低。在向具有有机绝缘层的绝缘基板形成0.5mm厚的电路图案的情况下，由于有机绝缘层的影响，有可能无法进行充分的散热。
技术实现思路
本专利技术就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于得到能够高效地散热的半导体装置、电力变换装置以及半导体装置的制造方法。本专利技术涉及的半导体装置具备：绝缘基板，其具有有机绝缘层以及设置于该有机绝缘层之上的电路图案；以及半导体芯...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：/n绝缘基板，其具有有机绝缘层以及设置于所述有机绝缘层之上的电路图案；以及/n半导体芯片，其设置于所述电路图案的上表面，/n所述电路图案的厚度大于或等于1mm且小于或等于3mm。/n
【技术特征摘要】
20181119 JP 2018-2167111.一种半导体装置，其特征在于，具备：
绝缘基板，其具有有机绝缘层以及设置于所述有机绝缘层之上的电路图案；以及
半导体芯片，其设置于所述电路图案的上表面，
所述电路图案的厚度大于或等于1mm且小于或等于3mm。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述电路图案的所述上表面的宽度等于所述电路图案的与所述上表面相反侧的面即下表面的宽度。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述电路图案的厚度大于或等于2mm。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述电路图案包含第1电路图案以及比所述第1电路图案薄的第2电路图案，
所述半导体芯片包含：第1半导体芯片，其设置于所述第1电路图案的上表面；以及第2半导体芯片，其设置于所述第2电路图案的上表面，比所述第1半导体芯片厚。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述电路图案的将所述上表面与所述电路图案的侧面连接的角呈圆角。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
在所述电路图案的所述上...
【专利技术属性】
技术研发人员：村田大辅，吉田博，石桥秀俊，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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