控制马达的控制部具有半导体装置,半导体装置具有:具有多个第一电极的半导体封装体;具有以与多个第一电极分别对应的方式配置的多个第二电极的配线基板;以及连接第一电极和第二电极的焊锡接合部,配置于配线基板的最外周角部的第二电极的前端部位于比半导体封装体的外周端部靠外侧。
Electronic control device
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子控制装置
本专利技术涉及电子控制装置
技术介绍
近年来,随着电子器件的小型化、高密度化以及高功能化,对半导体装置也要求小型化及高密度化。因此,作为半导体装置,多利用BGA(BallBridArray)、CSP(ChipSizePackage)这样的面阵型的封装体型半导体装置。面阵型的封装体型半导体装置在背面以一定的尺寸、面积以及间距形成有电极及焊锡球。为了与这些电极及焊锡球对应,配线基板的电极也以一定的尺寸、面积以及间距形成。然后,通过在配线基板搭载封装体型半导体装置并加热,形成焊接凸块,对应的电极彼此接合。例如,在专利文献1公开了以下构造:在BGA封装体与配线基板的连接中,配线基板的最外周电极中的位于阵列状配列的最外侧的端部位于比BGA封装体侧的最外周电极中的位于阵列状配列的最外侧的端部靠阵列状配列的外侧,将配线基板的电极表面和焊接凸块表面形成的角度设为锐角。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2000-114315号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题面阵型的封装体型半导体装置由于各构成部件的线膨胀系数的差异而在具有温度负荷时变形,对最外周的焊接凸块施加应力。特别是BGA封装体的对最外周角部的焊接凸块的负荷大,且在这些焊接凸块中,尤其在与焊接凸块上侧的电极的界面显著引起皲裂伸展,使热疲劳寿命降低。具体而言,在经由焊接凸块将面阵型封装体连接于配线基板的半导体装置中,由于使用环境下的温度变化,半导体装置整体变形。但是,各个构成部件由于线膨胀系数的差异而翘曲量分别不同,在面阵型封装体与配线基板间的焊接凸块引起皲裂伸展。特别是面阵型封装体的最外周角部的焊接凸块容易损坏,热疲劳寿命降低,从而半导体装置的可靠性降低。专利文献1提到了缓和外部冲击时对最外周焊接凸块施加的应力。但是,由于构成部件的线膨胀系数的差异,翘曲量分别不同,对于因此而对热疲劳寿命产生的影响未进行考虑。本专利技术的目的在于,在内置有半导体装置的电子控制装置中,防止热疲劳寿命降低。用于解决课题的方案本专利技术的一方案的电子控制装置具备控制马达的控制部,其特征在于,上述控制部具有半导体装置,上述半导体装置具有:半导体封装体,其具有多个第一电极;配线基板,其具有以与上述多个第一电极分别对应的方式配置的多个第二电极;以及焊锡接合部,其连接上述第一电极和上述第二电极,配置于上述配线基板的最外周角部的上述第二电极的前端部位于比上述半导体封装体的外周端部靠外侧。专利技术的效果根据本专利技术的一方案,在内置有半导体装置的电子控制装置中,能够防止热疲劳寿命降低。附图说明图1是实施例1的半导体装置的剖视图。图2是实施例1的半导体装置的俯视图。图3是表示实施例1的半导体装置的制造工序的剖视图。图4是实施例2的半导体装置的俯视图。图5是实施例2的半导体装置的俯视图。图6是实施例3的半导体装置的俯视图。图7是实施例4的电子控制装置的块图。图8是搭载于实施例4的电子控制装置的半导体装置的剖视图。具体实施方式面阵型的封装体型半导体装置(半导体封装体)的电极及焊锡球由封装体制造厂预先形成,焊锡球的组成一般为Sn-3.0Ag-0.5Cu。焊接凸块通过缩小尺寸及间距可以在一定面积内配置多个,有利于小型化及高密度化。另外,由于相比经由引线连接的构造,配线长度更短,因此有利于高速传送,能够实现高性能化。面阵型的封装体型半导体装置的BGA封装体是作为半导体元件的Si片通过例如引线连接于硅中介层。构成为,在硅中介层的背面形成有电极及焊锡球,利用树脂在硅中介层上进行塑模。将其经由焊接凸块连接于配线基板,但由于各结构部件的线膨胀系数的差异,在具有温度负荷时变形,在BGA封装体的最外周的焊接凸块作用应力。特别地,对BGA封装体的最外周角部的焊接凸块的负荷大,且在这些焊接凸块中,尤其在与焊接凸块上侧的电极的界面显著引起皲裂伸展,成为热疲劳寿命降低的主要原因。在以下的实施例中,在经由焊接凸块将面阵型封装体连接于配线基板的半导体装置中,降低作用于最外周角部的焊接凸块的应力,防止热疲劳寿命降低。以下,参照附图对实施例进行说明。实施例1参照图1~图3,对实施例1的半导体装置进行说明。如图1所示,半导体装置具有配线基板1和半导体封装体(面阵型封装体)2。配线基板1在上表面具有多个电极4。半导体封装体2在下表面具有多个电极3。半导体封装体2经由连接多个电极4和多个电极3的焊锡接合部(凸块)5与配线基板1对置地安装。形成于配线基板1的上表面的电极4中的最外周角部以外的电极4b以与配备于半导体封装体2的下表面的电极3对置的方式均匀地形成。最外周角部以外的焊锡接合部5b具有鼓型的凸块形状。配置于最外周角部的焊锡接合部5a具有延伸到比半导体封装体2的外周端部靠外侧的倒角形状。最外周角部的四个电极4a的前端部位于比半导体封装体2的外周端部靠外侧。因此,最外周角部的焊锡接合部5a的前端部也位于比半导体封装体2的外周端部靠外侧。如图2所示,在配线基板1之上安装有半导体封装体2。最外周角部以外的配线基板上的电极4b以与设于半导体封装体2的下表面的电极3对应的方式以圆形形状配置。电极4b的尺寸可以与电极3相同,从生产的观点出发,也可以不同,只要适当设计即可。如图2所示,就最外周角部的配线基板1上的电极4a的形状而言,将进入半导体封装体2的内侧的端部设为圆形,使露出在半导体封装体2的外侧的端部的形状具有角。但是,不限于该形状,只要最外周角部的配线基板1上的电极4a的前端部露出在半导体封装体2的外周即可,露出在半导体封装体2的外侧的端部也可以设为圆形,也可以将电极4a的形状设为椭圆。这样,就实施例1的半导体装置而言,配置于配线基板1的最外周角部的电极4a的前端部位于比半导体封装体2的外周端部靠外侧。进一步地,配置于配线基板1的最外周角部的焊锡接合部5a的前端部也位于比半导体封装体2的外周端部靠外侧。进一步地,配置于配线基板1的最外周角部的电极4a的面积比配置于半导体封装体2的最外周角部的电极3的面积大。进一步地,配置于配线基板1的最外周角部的电极4a的面积比配置于配线基板1的最外周角部以外的电极4b的面积大。而且,如图2所示,配置于配线基板1的最外周角部的电极4a的中心9b相比配置于半导体封装体2的最外周角部的电极3的中心9a,向从半导体封装体2的中心朝向外侧的方向偏移。另外,配置于配线基板1的最外周角部的焊锡接合部5a的形状与配置于配线基板1的最外周角部以外的焊锡接合部5b的形状不同。具体而言,配置于配线基板1的最外周角部的焊锡接合部5a具有延伸到比半导体封装体2的外周端部靠外侧的倒角形状。配置于配线基板1的最外周角部以外的焊锡接合部5b具有鼓型的形状。另外,如图2所示,配置于配线基板1的最外周角部的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电子控制装置,其具备控制马达的控制部,/n上述电子控制装置的特征在于,/n上述控制部具有半导体装置,/n上述半导体装置具有:/n半导体封装体,其具有多个第一电极;/n配线基板,其具有以与上述多个第一电极分别对应的方式配置的多个第二电极;以及/n焊锡接合部,其连接上述第一电极和上述第二电极,/n配置于上述配线基板的最外周角部的上述第二电极的前端部位于比上述半导体封装体的外周端部靠外侧。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171010 JP 2017-1965871.一种电子控制装置,其具备控制马达的控制部,
上述电子控制装置的特征在于,
上述控制部具有半导体装置,
上述半导体装置具有:
半导体封装体,其具有多个第一电极;
配线基板,其具有以与上述多个第一电极分别对应的方式配置的多个第二电极;以及
焊锡接合部,其连接上述第一电极和上述第二电极,
配置于上述配线基板的最外周角部的上述第二电极的前端部位于比上述半导体封装体的外周端部靠外侧。
2.根据权利要求1所述的电子控制装置,其特征在于,
配置于上述配线基板的上述最外周角部的上述焊锡接合部的前端部位于比上述半导体封装体的外周端部靠外侧。
3.根据权利要求2所述的电子控制装置,其特征在于,
配置于上述配线基板的最外周角部的上述第二电极的面积比配置于上述半导体封装体的最外周角部的上述第一电极的面积大。
4.根据权利要求3所述的电子控制装置,其特征在于,
配置于上述配线基板的最外周角部的上述第二电极的面积比配置于上述配线基板的最外周角部以外的上述第二电极的面积大。
5.根据权利要求4所述的电子控制装置,其特征在于,
配置于上述配线基板的最外周角部的上述第二电极的中心与配置于上述半导体封装体的最外周角部的上述第一电极的中心相比,向从上述半导体封装体的中心朝向外侧的方向偏移。
6.根据权利要求1所述的电子控制装置,其特征在于,
配置于上述配线基板的最外周角部的上述焊锡接合部的形状与配置于上述配线基板的最外周角部以外的上述焊锡接合部...
【专利技术属性】
技术研发人员:加藤薰子,河喜多心哉,
申请(专利权)人:日立汽车系统株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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