【技术实现步骤摘要】
制造包含膏体层的半导体器件的方法以及半导体器件
本公开一般涉及包含膏体层的半导体器件的制造方法和半导体器件。
技术介绍
电子器件例如功率电子器件可包含半导体管芯或半导体芯片，半导体管芯或半导体芯片附在衬底的芯片焊盘上，例如DCB(直接键合铜)或引线框架上。用于将管芯附在焊盘上的连接技术的一个示例包含烧结，其中膏体层被布置于管芯和焊盘之间，并且施加压力和/或温度以制造无膏体层的烧结金属层。然而，这种包含烧结工艺的连接技术可成为影响制造电子器件总成本的主要因素。因此，有利的是，提出改进的制造方法来有助于提供可靠的烧结连接，同时减小制造成本。这些和其它问题由独立权利要求的保护主题解决。
技术实现思路
这里公开的各个方面属于制造包含膏体层的半导体器件的方法，其中该方法包含将衬底附在载体上(例如，辅助载体)，该衬底包含多个半导体管芯、将一层膏体施加在衬底上、构造衬底的切割区域以上的层和沿着切割区域切割衬底。这里公开的各个方面属于具有导电层的半导体器件，半导体器件包含半导体管芯，该管芯包含第一主面、相对的第二...
【技术保护点】
1.一种制造包含膏体层的半导体器件的方法，所述方法包括：/n将衬底附在载体上，所述衬底包含多个半导体管芯；/n将膏体的层施加到所述衬底；/n构造所述衬底的切割区域上方的所述层；和/n沿着所述切割区域切割所述衬底，并且所述方法还包括：/n预固化所述膏体，其中所述预固化包括施加电磁照射，例如微波或光学固化，特别地利用激光或高能闪光灯。/n
【技术特征摘要】
20181115 DE 102018128748.81.一种制造包含膏体层的半导体器件的方法，所述方法包括：
将衬底附在载体上，所述衬底包含多个半导体管芯；
将膏体的层施加到所述衬底；
构造所述衬底的切割区域上方的所述层；和
沿着所述切割区域切割所述衬底，并且所述方法还包括：
预固化所述膏体，其中所述预固化包括施加电磁照射，例如微波或光学固化，特别地利用激光或高能闪光灯。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述膏体包含导电材料。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述膏体是烧结膏体。
4.根据前述任一权利要求所述的方法，其中所述预固化此外还包括：
在25℃到250℃的范围内施加热量。
5.根据前述任一权利要求所述的方法，其中所述半导体管芯包含背面金属化层，且其中所述膏体被施加到所述背面金属化层上。
6.根据前述任一权利要求所述的方法，其中所述衬底包含加强结构，且其中所述方法还包含：
在施加所述膏体之前移除所述加强结构。
7.根据权利要求4到6之一所述的方法，其中所述构造包含在所述预固化之后，移除所述切割区域上方的所述膏体。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述膏体通过物理或化学方法被移除。
9.根据权利要求1到7之一所述的方法，还包括：
在施加所述膏体之前对所述切割区域上方的所述衬底进行掩模。
10.根据权利要求9所述的方法，其中利用光刻胶对所述衬底进行掩模。
11.根据权利要求1到6之一所述的方法，其中所述构...
【专利技术属性】
技术研发人员：F·J·桑托斯罗德里格斯，F·克雷斯，B·艾兴格，M·米希茨，F·奥托，F·蒂翁，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。