芯片封装方法和芯片封装结构技术

本发明专利技术的实施例提供了一种芯片封装方法和芯片封装结构，涉及半导体技术领域。本发明专利技术实施例提供的芯片封装方法和芯片封装结构，通过在基板上设置凸台和金属柱，利用胶体将芯片的金属垫贴装于基板的凸台，一方面利用凸台与基板的高度差，在芯片底部形成空腔结构，避免了芯片隐裂的问题，同时又能使金属柱与芯片线路连通，另一方面通过胶体与金属垫的粘合性，对空腔结构进行密封，提高了空腔结构的密闭性。

Chip packaging method and structure

【技术实现步骤摘要】
芯片封装方法和芯片封装结构
本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种芯片封装方法和芯片封装结构。
技术介绍
随着半导体行业的快速发展，声表面波滤波器(sawfilter)广泛应用于接收机前端以及双工器和接收滤波器。通常sawfilter芯片采用钽酸锂(LiTaO3)或铌酸锂(LiNbO3)材质，利用压电材料的压电特性，利用输入与输出换能器(Transducer)将电波的输入信号转换成机械能，经过处理后，再把机械能转换成电的信号，以达到过滤不必要的信号及杂讯，提升收讯品质。为保证sawfilter芯片的功能区域不能接触任何物质，传统技术通常采用倒装工艺连接，在sawfilter芯片背面上压覆一层薄膜，利用薄膜来形成芯片底部空腔结构，由于sawfilter芯片在压覆膜时，芯片背面受到压力，容易造成芯片隐裂，同时在塑封时，压覆膜受到塑封注塑压力容易造成压覆膜裂纹，导致产品的气密性不好，影响产品性能。
技术实现思路
基于上述研究，本专利技术提供了一种芯片封装方法和芯片封装结构，以改善上述问题。本专利技术的实施例可以这样实现：第一方面，实施例提供一种芯片封装方法，用于对具有金属垫的芯片进行封装，所述方法包括：提供具有凸台与金属柱的基板；通过胶体将所述芯片的金属垫贴装于所述基板的凸台，对设置于所述芯片的金属垫与所述凸台之间的胶体回流固化，使所述金属柱与所述芯片线路连通，并在所述芯片与所述基板之间形成一空腔密闭结构。在可选的实施方式中，通过胶体将所述芯片的金属垫贴装于所述基板的凸台的步骤包括：在所述基板的凸台的表面划胶，以通过胶体将所述芯片的金属垫贴装于所述凸台。在可选的实施方式中，所述方法还包括制作所述基板的步骤，所述步骤包括：在初始基板上设置第一金属层，在所述第一金属层上设置保护层；在所述保护层上贴装第一图形保护层，以对设定区域进行保护；按照预设深度对所述保护层进行蚀刻，以形成基板凸台；对所述第一金属层进行蚀刻，以形成金属柱。在可选的实施方式中，所述对所述第一金属层进行蚀刻，以形成所述金属柱的步骤包括：贴装第二图形保护层，对所述第一金属层进行蚀刻，得到金属柱生长点；在所述金属柱生长点上生长金属柱，并在生长的金属柱上镀第二金属层，通过点锡或刷锡，在镀层后的金属柱上形成焊点，得到所述金属柱。在可选的实施方式中，所述第一金属层为铜层，所述第二金属层为镍金镀层或镍钯金镀层，所述保护层为聚丙烯板材。在可选的实施方式中，所述方法还包括在所述芯片生成所述金属垫的步骤，所述步骤包括：在所述芯片表面上镀第三金属层，以生成所述金属垫。在可选的实施方式中，所述第三金属层为铜层、镍金镀层或镍钯金镀层。在可选的实施方式中，在对设置于所述芯片的金属垫与所述凸台之间的胶体回流固化后，所述方法还包括：基于塑封材料对回流固化后的芯片进行塑封。第二方面，实施例提供一种芯片封装结构，包括基板以及芯片；所述基板上设置有至少一个凸台以及至少一个金属柱，所述芯片上设置有金属垫；所述芯片通过所述金属垫设置于各所述凸台上，以使各所述金属柱与所述芯片线路连通，并在所述芯片与所述基板之间形成空腔密闭结构。在可选的实施方式中，各所述金属柱的高度不低于各所述凸台。本专利技术实施例提供的芯片封装方法和芯片封装结构，通过在基板上设置凸台和金属柱，利用胶体将芯片的金属垫贴装于基板的凸台，一方面利用凸台与基板的高度差，在芯片底部形成空腔结构，避免了芯片隐裂的问题，同时又能使金属柱与芯片线路连通，另一方面通过胶体与金属垫的粘合性，对空腔结构进行密封，提高了空腔结构的密闭性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为现有技术中芯片封装结构的一种结构示意图。图2为本专利技术实施例所提供的芯片封装方法的一种流程示意图。图3为本专利技术实施例所提供的芯片封装方法的另一种流程示意图。图4为本专利技术实施例所提供的芯片封装方法的一种子步骤流程示意图。图5为本专利技术实施例所提供的芯片封装结构的一种结构示意图。图标：10-芯片封装结构；11-基板；12-芯片；13-金属垫；14-凸台；15-胶体；16-金属柱；17-空腔密闭结构。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本专利技术的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术的实施例中的特征可以相互结合。目前，sawfilter芯片的封装流程大致可以分为以下流程：基板-贴倒装芯片—压覆膜—烘烤-包封-切割。1.基板：提供基板。2.贴倒装：贴装倒装芯片。3.压覆膜：利用压膜机台，在芯片背面压覆一层薄膜。4.包封：利用塑封料将连接好的芯片线路塑封起来，起到保护作用。5.切割：利用机台将产品切层单颗。采用这种封装方式，则可通过薄膜来形成芯片的底部空腔结构，如图1所示。而采用这种封装方式，由于sawfilter芯片通常采用钽酸锂(LiTaO3)或铌酸锂(LiNbO3)材质，其材质较脆，sawfilter芯片在压覆膜时，芯片背面受到压力，容易造成芯片隐裂。同时，sawfilter芯片在压覆膜后，在塑封工艺时，压覆膜受到塑封注塑压力容易造成压覆膜进入空腔区域，导致芯片底部污染，影响产品性能，并且压覆膜受到塑封注塑压力容易造成压覆膜裂纹，导致产品的气密性不好，影响产品性能。而且通常封装工艺中，使用的压本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片封装方法，其特征在于，用于对具有金属垫的芯片进行封装，所述方法包括：/n提供具有凸台与金属柱的基板；/n通过胶体将所述芯片的金属垫贴装于所述基板的凸台，对设置于所述芯片的金属垫与所述凸台之间的胶体回流固化，使所述金属柱与所述芯片线路连通，并在所述芯片与所述基板之间形成一空腔密闭结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装方法，其特征在于，用于对具有金属垫的芯片进行封装，所述方法包括：
提供具有凸台与金属柱的基板；
通过胶体将所述芯片的金属垫贴装于所述基板的凸台，对设置于所述芯片的金属垫与所述凸台之间的胶体回流固化，使所述金属柱与所述芯片线路连通，并在所述芯片与所述基板之间形成一空腔密闭结构。


2.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，通过胶体将所述芯片的金属垫贴装于所述基板的凸台的步骤包括：
在所述基板的凸台的表面划胶，以通过胶体将所述芯片的金属垫贴装于所述凸台。


3.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述方法还包括制作所述基板的步骤，所述步骤包括：
在初始基板上设置第一金属层，在所述第一金属层上设置保护层；
在所述保护层上贴装第一图形保护层，以对设定区域进行保护；
按照预设深度对所述保护层进行蚀刻，以形成基板凸台；
对所述第一金属层进行蚀刻，以形成金属柱。


4.根据权利要求3所述的芯片封装方法，其特征在于，所述对所述第一金属层进行蚀刻，以形成所述金属柱的步骤包括：
贴装第二图形保护层，对所述第一金属层进行蚀刻，得到金属柱生长点；
在所述金属柱生长点上生长金属柱，并在生长的金属柱...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟磊，李利，
申请(专利权)人：甬矽电子宁波股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33