半导体结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体结构；包括：基底，基底内形成焊盘；第一聚合物层，位于基底上；介电层，位于第一聚合物层的上表面；第一开口，沿厚度方向贯穿介电层及所述第一聚合物层；重布线层，位于介电层上及所述第一开口内；第二聚合物层，位于介电层的上表面；第二开口，位于第二聚合物层内。上述半导体结构中通过在重布线层与第一聚合物层之间增设介电层，可以避免对金属刻蚀腔室造成污染，且可以保护第一聚合物层不会造成损伤；又由于介电层的硬度较大，在形成焊线时可以提供应力反馈，从而避免焊线脱落。

Semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本申请涉及半导体器件制造
，特别是涉及一种半导体结构。
技术介绍
现有的重布线层(RDL)(譬如，铝重布线层)形成于位于基底上的聚合物层的上表面时，会存在如下制程问题：金属物理气相沉积及金属干法刻蚀形成重布线层时由于重布线层下方为聚合物层，容易造成金属刻蚀设备腔室的污染；干法刻蚀形成重布线层及刻蚀后的湿法清洗会对聚合物层造成损伤；由于位于重布线层下方的聚合物层较软，在后续形成与重布线层电连接的焊线时由于反馈力不够，会造成焊线脱落。
技术实现思路
基于此，有必要针对现有技术中的半导体结构中重布线层直接形成于聚合物层上存在的容易造成金属刻蚀腔室污染、容易造成聚合物层的损伤及容易造成与重布线层电连接的焊线时容易造成焊线脱落等问题，提供一种半导体结构。为了实现上述目的，一方面，本技术提供了一种半导体结构，包括：基底，基底内形成焊盘；第一聚合物层，位于基底上；介电层，位于第一聚合物层的上表面；第一开口，沿厚度方向贯穿介电层及所述第一聚合物层，以暴露出焊盘；>重布线层，位于介电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n基底，所述基底内具有焊盘；/n第一聚合物层，位于所述基底上；/n介电层，位于所述第一聚合物层的上表面；/n第一开口，沿厚度方向贯穿所述介电层及所述第一聚合物层，以暴露出所述焊盘；/n重布线层，位于所述介电层上及所述第一开口内，且与所述焊盘电连接；/n第二聚合物层，位于所述介电层的上表面，且覆盖所述重布线层；/n第二开口，位于所述第二聚合物层内，且暴露出所述重布线层。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底，所述基底内具有焊盘；
第一聚合物层，位于所述基底上；
介电层，位于所述第一聚合物层的上表面；
第一开口，沿厚度方向贯穿所述介电层及所述第一聚合物层，以暴露出所述焊盘；
重布线层，位于所述介电层上及所述第一开口内，且与所述焊盘电连接；
第二聚合物层，位于所述介电层的上表面，且覆盖所述重布线层；
第二开口，位于所述第二聚合物层内，且暴露出所述重布线层。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
钝化层，所述钝化层位于所述基底的上表面；所述第一聚合物层位于所述钝化层的上表面；所述第一开口还沿厚度方向贯穿所述钝化层；
种子层，所述种子层位于所述介电层的上表面及所述焊盘的上表面，所述重布线层位于所述种子层的上表面；
焊线，一端位于所述第二开口内，且与所述重布线层电连接。


3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述种子层包括钛层或氮化钛层；所述重布线层...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴秉桓，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34