半导体结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体结构；包括：基底，基底内形成焊盘；第一聚合物层，位于基底上；介电层，位于第一聚合物层的上表面；第一开口，沿厚度方向贯穿介电层及所述第一聚合物层；重布线层，位于介电层上及所述第一开口内；第二聚合物层，位于介电层的上表面；第二开口，位于第二聚合物层内。上述半导体结构中通过在重布线层与第一聚合物层之间增设介电层，可以避免对金属刻蚀腔室造成污染，且可以保护第一聚合物层不会造成损伤；又由于介电层的硬度较大，在形成焊线时可以提供应力反馈，从而避免焊线脱落。

Semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本申请涉及半导体器件制造
，特别是涉及一种半导体结构。
技术介绍
现有的重布线层(RDL)(譬如，铝重布线层)形成于位于基底上的聚合物层的上表面时，会存在如下制程问题：金属物理气相沉积及金属干法刻蚀形成重布线层时由于重布线层下方为聚合物层，容易造成金属刻蚀设备腔室的污染；干法刻蚀形成重布线层及刻蚀后的湿法清洗会对聚合物层造成损伤；由于位于重布线层下方的聚合物层较软，在后续形成与重布线层电连接的焊线时由于反馈力不够，会造成焊线脱落。
技术实现思路
基于此，有必要针对现有技术中的半导体结构中重布线层直接形成于聚合物层上存在的容易造成金属刻蚀腔室污染、容易造成聚合物层的损伤及容易造成与重布线层电连接的焊线时容易造成焊线脱落等问题，提供一种半导体结构。为了实现上述目的，一方面，本技术提供了一种半导体结构，包括：基底，基底内形成焊盘；第一聚合物层，位于基底上；介电层，位于第一聚合物层的上表面；第一开口，沿厚度方向贯穿介电层及所述第一聚合物层，以暴露出焊盘；重布线层，位于介电层上及所述第一开口内，且与焊盘电连接；第二聚合物层，位于介电层的上表面，且覆盖重布线层；第二开口，位于第二聚合物层内，且暴露出重布线层。上述半导体结构中通过在重布线层与第一聚合物层之间增设介电层，介电层可以作为重布线层形成过程中的刻蚀阻挡层，可以避免对金属刻蚀腔室造成污染，且可以保护第一聚合物层不会造成损伤；又由于介电层的硬度较大，在形成焊线时可以提供应力反馈，从而避免焊线脱落。在其中一个实施例中，半导体结构还包括：钝化层，钝化层位于基底的上表面；第一聚合物层位于钝化层的上表面；第一开口还沿厚度方向贯穿钝化层；种子层，所述种子层位于所述介电层的上表面及所述焊盘的上表面，所述重布线层位于所述种子层的上表面；焊线，一端位于所述第二开口内，且与所述重布线层电连接。在其中一个实施例中，种子层包括钛层或氮化钛层；重布线层包括铝重布线层。在其中一个实施例中，钝化层包括氧化硅层、氮化硅层或氮氧化硅层。在其中一个实施例中，焊线包括铜线、铝线或金线。在其中一个实施例中，介电层的硬度大于第一聚合物层的硬度。在其中一个实施例中，第一开口的宽度小于焊盘的宽度。在其中一个实施例中，第一聚合物层包括聚酰亚胺层或聚苯并恶唑层；第二聚合物层包括聚酰亚胺层或聚苯并恶唑层。在其中一个实施例中，介电层包括二氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层或碳氮化硅层。在其中一个实施例中，介电层包括二氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层及碳氮化硅层中至少两种组成的叠层结构。附图说明图1为本技术一个实施例中半导体结构的制备方法的流程图；图2至图13为本技术一个实施例中半导体结构的制备方法中各步骤所得结构的截面结构示意图；其中，图13亦为本技术另一个实施例中提供的半导体结构的截面结构示意图。附图标记说明：10基底101焊盘11钝化层12第一聚合物层13第一开口14介电层141介电材料层15种子层151种子材料层16重布线层161重布线材料层17第二聚合物层18第二开口19焊线具体实施方式为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件并与之结合为一体，或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“安装”、“一端”、“另一端”以及类似的表述只是为了说明的目的。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。在一个实施例中，如图1所示，本技术一种半导体结构的制备方法，包括以下步骤：S11：提供基底，基底内形成焊盘；S12：于基底上形成第一聚合物层及介电层，第一聚合物层及介电层内形成有第一开口，第一开口暴露出焊盘；介电层位于第一聚合物层的上表面；S13：于介电层上及第一开口内形成重布线层，重布线层与焊盘电连接；S14：于介电层上形成第二聚合物层，第二聚合物层覆盖重布线层；S15：于第二聚合物层内形成第二开口，第二开口暴露出重布线层。上述半导体结构的制备方法中通过在重布线层16与第一聚合物层12之间增设介电层14，介电层14可以作为重布线层16形成过程中的刻蚀阻挡层，可以避免对金属刻蚀腔室造成污染，且可以保护第一聚合物层12不会造成损伤；又由于介电层14的硬度较大，在形成焊线时可以提供应力反馈，从而避免焊线脱落。在一个示例中，如图2所示，步骤S11中提供的基底10可以包括但不仅限于硅基底。基底10内还可以形成有集成电路(未示出)，集成电路可以与焊盘101电连接。在一个示例中，焊盘101的数量及芯片的数量可以根据实际需要进行设定，此处不做限定；图2中仅示意出一个焊盘101。在一个示例中，步骤S11之后还包括如下步骤：于所述基底10的上表面形成钝化层11，如图3所示。钝化层11覆盖基底10的上表面。钝化层11可以包括单层结构，也可以为包括多层材料层的叠层结构。钝化层11可以包括但不仅限于氧化硅层、氮化硅层及氮氧化硅层中的至少一者。在一个可选的示例中，步骤S12可以包括如下步骤：S121：于基底10上形成第一聚合物层12；需要说明的是，当基底10上形成有钝化层11时，第一聚合物层12形成于钝化层11的上表面，如图4所示；S122：于第一聚合物层12内形成第一开口13，如图5所示，第一开口13的宽度小于焊盘101的宽度；需要说明的是，当基底10上形成有钝化层11时，于第一聚合物层12内形成第一开口13之后还包括刻蚀钝化层11及部分基底10，以使得第一开口13贯穿钝化层11且延伸至基底10内，以暴露出焊盘101；S123：于第一聚合物层12的上表面及第一开口13内形成介电材料层141，如图6所示；S124：去除位于第一开口13内的介电材料层141以形成介电层14，如图7所示。在该示例中，最终暴露出焊盘101的第一开口13的宽度未发生变化。在一个示例中，可以采用但不仅限于光刻工艺对第一聚合物层12进行曝光显影以形成第一开口13；当然，在其他示例中，也可以采用刻蚀工艺对第一聚合成12进行刻蚀以形成第一开口13。在另一个可选的示例中，步骤S12还可以包括如下步骤：...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n基底，所述基底内具有焊盘；/n第一聚合物层，位于所述基底上；/n介电层，位于所述第一聚合物层的上表面；/n第一开口，沿厚度方向贯穿所述介电层及所述第一聚合物层，以暴露出所述焊盘；/n重布线层，位于所述介电层上及所述第一开口内，且与所述焊盘电连接；/n第二聚合物层，位于所述介电层的上表面，且覆盖所述重布线层；/n第二开口，位于所述第二聚合物层内，且暴露出所述重布线层。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底，所述基底内具有焊盘；
第一聚合物层，位于所述基底上；
介电层，位于所述第一聚合物层的上表面；
第一开口，沿厚度方向贯穿所述介电层及所述第一聚合物层，以暴露出所述焊盘；
重布线层，位于所述介电层上及所述第一开口内，且与所述焊盘电连接；
第二聚合物层，位于所述介电层的上表面，且覆盖所述重布线层；
第二开口，位于所述第二聚合物层内，且暴露出所述重布线层。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
钝化层，所述钝化层位于所述基底的上表面；所述第一聚合物层位于所述钝化层的上表面；所述第一开口还沿厚度方向贯穿所述钝化层；
种子层，所述种子层位于所述介电层的上表面及所述焊盘的上表面，所述重布线层位于所述种子层的上表面；
焊线，一端位于所述第二开口内，且与所述重布线层电连接。


3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述种子层包括钛层或氮化钛层；所述重布线层...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴秉桓，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34