封装结构及其制造方法、半导体器件、电子设备技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件用封装结构及其制造方法。所述半导体器件包括对置的第一晶圆与第二晶圆，所述封装结构包括：适于设置在第一晶圆上的第一键合层，第一键合层具有第一键合区；适于设置在第二晶圆上的第二键合层，第二键合层具有第二键合区，所述第一键合区与所述第二键合区适于彼此键合以形成密封；以及防脱辅助结构，所述防脱辅助结构设置到第一晶圆和/或第二晶圆，所述防脱辅助结构与键合区所在的晶圆表面的边缘相接，且所述防脱辅助结构至少一部分的表面粗糙度的取值范围为10‑80nm，对应的键合层延伸覆盖所述防脱辅助结构。本发明专利技术还涉及一种具有上述半导体器件的电子设备。

Packaging structure and manufacturing method, semiconductor device, electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其制造方法、半导体器件、电子设备
本专利技术的实施例涉及半导体器件的封装，尤其涉及一种半导体器件用封装结构及其制造方法，一种具有该封装结构的半导体器件，以及一种具有该半导体器件的设备。
技术介绍
近年来，基于硅材料的半导体器件、尤其是集成电路芯片取得了飞速的发展，已经牢牢占据了产业的主流地位。利用压电薄膜在厚度方向的纵向谐振所制成的薄膜体波谐振器，在无线通信系统中己成为声表面波器件和石英晶体谐振器的一个可行的替代。通常构成滤波器的薄膜体声波谐振器的工作频率通常在GHz级别，其中核心膜层的厚度仅为微米甚至纳米级别，因此滤波器裸芯片对外界环境的影响极其敏感，环境中的尘埃颗粒，水汽，光热辐射，机械冲击都可能造成谐振器的机电性能大幅下滑。因此通过构建一定的保护结构将滤波器与外界进行隔离是确保滤波器稳定工作的必要手段。基底级封装结构是一种常用的用于保护谐振器的封装结构，该结构通常包含滤波器裸芯片在内的功能基底基底和用于保护滤波器的基底封装基底。在封装过程中通过键合工艺，使功能基底基底与封装基底基底形成一个整体，从而实现滤波器裸芯片的密封本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件用封装结构，所述半导体器件包括对置的第一晶圆与第二基底，所述封装结构包括：/n适于设置在第一基底上的第一粘附层，第一粘附层具有第一粘附区，第一粘附区适于被挤压以形成密封；以及/n防脱辅助结构，所述防脱辅助结构设置到第一基底，所述防脱辅助结构与第一粘附区所在的基底表面的边缘相接，且所述防脱辅助结构的至少一部分的表面粗糙度的取值范围为10-80nm，第一粘附层设置成延伸覆盖所述防脱辅助结构的所述至少一部分。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件用封装结构，所述半导体器件包括对置的第一晶圆与第二基底，所述封装结构包括：
适于设置在第一基底上的第一粘附层，第一粘附层具有第一粘附区，第一粘附区适于被挤压以形成密封；以及
防脱辅助结构，所述防脱辅助结构设置到第一基底，所述防脱辅助结构与第一粘附区所在的基底表面的边缘相接，且所述防脱辅助结构的至少一部分的表面粗糙度的取值范围为10-80nm，第一粘附层设置成延伸覆盖所述防脱辅助结构的所述至少一部分。


2.根据权利要求1所述的封装结构，其中：
所述防脱辅助结构形成有与第一粘附区所在的基底表面的边缘相连的阶梯面。


3.根据权利要求2所述的封装结构，其中：
所述阶梯面的高度的取值范围为0.5-3.5μm。


4.根据权利要求2所述的封装结构，其中：
所述阶梯面包括竖直面，所述竖直面的一侧与所述对应基底表面相接。


5.根据权利要求3所述的封装结构，其中：
所述阶梯面还包括水平面，所述竖直面的另一侧与所述水平面相接。


6.根据权利要求2所述的封装结构，其中：
所述阶梯面包括斜面，所述斜面的一侧与所述对应基底表面相接，所述斜面远离所述对应基底表面向外倾斜延伸。


7.根据权利要求6所述的封装结构，其中：
所述阶梯面还包括水平面，所述斜面的另一侧与所述水平面相接。


8.根据权利要求5或7所述的封装结构，其中：
所述水平面被第一粘附层覆盖的宽度的取值范围为10-50μm。


9.根据权利要求7所述的封装结构，其中：
所述斜面与所述水平面所形成的角度在45°-80°的范围内。


10.根据权利要求1所述的封装结构，其中：
所述防脱辅助结构形成有与第一粘附区所在的基底表面的边缘相连的凹陷面。


11.根据权利要求10所述的封装结构，其中：
所述凹陷面包括第二斜面、水平面以及与所述对应基底表面相接的第一斜面，所述第一斜面、所述水平面与所述第二斜面依次相接以形成截面为梯形的凹陷形状；或者所述凹陷面包括第二斜面以及与所述对应基底表面相接的第一斜面，所述第一斜面与所述第二斜面相接以形成截面为三角形的凹陷形状；且
所述第一斜面的表面粗糙度的取值范围为10-80nm。


12.根据权利要求11所述的封装结构，其中：
所述第二斜面和/或所述水平面的表面粗糙度的取值范围为10-80nm。


13.根据权利要求1-12中任一项所述的封装结构，其中：
位于第一粘附区内的与所述防脱辅助结构相接的基底表面具有表面粗糙度，且表面粗糙度的取值范围为10-80nm。


14.根据权利要求13所述的封装结构，其中：
所述防脱辅助结构具有分别设置在第一粘附区所在的基底表面的两侧边缘处的第一辅助斜面和第二辅助斜面；且
所述第一辅助斜面、具有表面粗糙度的所述基底表面、所述第二辅斜面依次相接以构成截面为梯形的形状。


15.根据权利要求1-14中任一项所述的封装结构，其中：
覆盖所述防脱辅助结构的第一粘附层的厚度的取值范围为0.5-1.5μm。


16.根据权利要求1-15中任一项所述的封装结构，其中：
所述封装结构还包括适于设置在第二基底上的第二粘附区，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨清瑞，庞慰，孙晨，张孟伦，
申请(专利权)人：天津大学，诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：天津;12