【技术实现步骤摘要】
散热结构、带散热结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备
本专利技术的实施例涉及声波谐振器，尤其涉及一种体声波谐振器，一种具有该谐振器的滤波器，以及一种具有该滤波器的电子设备。
技术介绍
利用压电薄膜在厚度方向的纵向谐振所制成的薄膜体波谐振器，在于机通讯和高速串行数据应用等方面已经成为声表面波器件和石英晶体谐振器的一个可行的替代。射频前端体波滤波器/双工器提供优越的滤波特性，例如低插入损耗，陡峭的过渡带，较大的功率容量，较强的抗静电放电(ESD)能力。具有超低频率温度漂移的高频薄膜体波振荡器，其相位噪声低，功耗低且带宽调制范围大。除此之外，这些微型薄膜谐振器在硅衬底上使用CMOS兼容的加工工艺，这样可以降低单位成本，并有利于最终与CMOS电路集成。体波谐振器包括一个声学镜和两个电极，以及位于这两电极之间的被称作压电激励的压电材料层。也称底电极和顶电极为激励电极，其作用是引起谐振器各层的机械振荡。声学镜在体波谐振器和基底之间形成声学隔离，以防止声波传导至谐振器之外，造成能量损失。理论上，体声波谐振器在工作状态下只存...
【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，包括：/n基底；/n声学镜；/n底电极，设置在基底上方；/n顶电极，与所述底电极对置，所述顶电极具有主体部以及与主体部连接的连接部；和/n压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，/n其中：/n声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域；/n所述谐振器还包括至少一个流道，所述流道围绕所述有效区域设置，所述流道内适于流动冷却流体。/n
【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极，设置在基底上方；
顶电极，与所述底电极对置，所述顶电极具有主体部以及与主体部连接的连接部；和
压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，
其中：
声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域；
所述谐振器还包括至少一个流道，所述流道围绕所述有效区域设置，所述流道内适于流动冷却流体。
2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述谐振器还包括所述散热部，所述流道经过所述散热部，或者所述散热部覆盖部分流道，所述散热部适于与所述冷却流体热交换。
3.根据权利要求2所述的谐振器，其中：
覆盖部分流道的散热部的下表面构成所述流道的流道壁的一部分。
4.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述流道与所述有效区域的横向距离大于半个声波波长。
5.根据权利要求4所述的谐振器，其中：
所述流道与所述有效区域的横向距离为10个声波波长左右。
6.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
流道的宽度的范围为1-100μm，流道的高度的范围为0.1-10μm。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的谐振器，其中：
所述流道围绕顶电极设置。
8.根据权利要求7所述的谐振器，其中：
所述流道由流道壁与压电层上表面围合而成。
9.根据权利要求8所述的谐振器，其中：
所述谐振器还包括钝化层，所述钝化层覆盖所述顶电极以及顶电极范围之外的压电层；
所述钝化层形成至少部分流道壁。
10.根据权利要求7所述的谐振器，其中：
所述流道包括设置在压电层上表面中的流道槽；
所述谐振器还包括覆盖层，所述覆盖层覆盖至少部分所述流道槽。
11.根据权利要求10所述的谐振器，其中：
覆盖层与有效区域之间的横向距离大于半个声波波长。
12.根据权利要求11所述的谐振器，其中：
覆盖层与有效区域之间的横向距离为5个声波波长。
13.根据权利要求1-6中任一项所述的谐振器，其中：
所述流道围绕底电极设置。
14.根据权利要求13所述的谐振器，其中：
所述流道包括设置在基底的上表面中的流道槽；
所述压电层的下表面覆盖至少部分所述流道槽。
15.根据权利要求13所述的谐振器，...
【专利技术属性】
技术研发人员：张孟伦，庞慰，孙晨，杨清瑞，
申请(专利权)人：天津大学，诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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