体声波谐振器、滤波器和电子设备制造技术

本发明专利技术涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极，设置在基底上方；顶电极，与所述底电极对置，所述顶电极具有主体部以及与主体部连接的连接部；压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，压电层内掺杂有稀土元素；和钝化层，设置在顶电极上方，其中：声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域，所述钝化层邻近所述有效区域的边界、在所述连接部上方设置有至少一个第一断裂结构，所述压电层内掺杂有稀土元素。本发明专利技术还涉及一种具有上述谐振器滤波器，一种具有该滤波器的电子设备。

Bulk acoustic resonators, filters and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器、滤波器和电子设备
本专利技术的实施例涉及声波谐振器，尤其涉及一种体声波谐振器及其制造方法，一种具有该谐振器的滤波器，以及一种具有该滤波器的电子设备。
技术介绍
随着无线通信技术的快速发展，人们对于能同步处理大量数据的多通带收发器的需求与日俱增。近年来，多通带收发器已被广泛地应用在定位系统和多标准的系统中，这些系统需要同时处理不同频段的信号以提高系统的整体性能。虽然单个芯片中频率带的个数不断增加，但消费者对小型化、多功能的便携式设备的需求越来越高，小型化成为芯片的发展趋势，这就对滤波器的尺寸提出了更高的要求。为此，现有技术中已经采用薄膜体声波谐振器(FilmBulkAcousticResonator，简称FBAR)取代传统的波导技术实现多频带滤波器。FBAR主要利用压电材料的压电效应与逆压电效应产生体声波，从而在器件内形成谐振，因为FBAR具有品质因数高、功率容量大、频率高(可达2-10GHz甚至更高)以及与标准集成电路(IC)的兼容性好等一系列的固有优势，可广泛应用于频率较高的射频应用系统中。<br>FBAR的结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，包括：/n基底；/n声学镜；/n底电极，设置在基底上方；/n顶电极，与所述底电极对置，所述顶电极具有主体部以及与主体部连接的连接部；/n压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间；和/n钝化层，设置在顶电极上方，/n其中：/n声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域，所述钝化层邻近所述有效区域的边界、在所述连接部上方设置有至少一个第一断裂结构；且/n所述压电层内掺杂有稀土元素。/n

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极，设置在基底上方；
顶电极，与所述底电极对置，所述顶电极具有主体部以及与主体部连接的连接部；
压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间；和
钝化层，设置在顶电极上方，
其中：
声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域，所述钝化层邻近所述有效区域的边界、在所述连接部上方设置有至少一个第一断裂结构；且
所述压电层内掺杂有稀土元素。


2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述连接部具有倾斜面，所述第一断裂结构设置在所述倾斜面处。


3.根据权利要求2所述的谐振器，其中：
所述连接部形成桥部结构，桥部结构与压电层之间形成空气隙，所述倾斜面包括所述桥部结构的邻近所述边界的第一倾斜面以及邻近顶电极引线的第二倾斜面，所述第一断裂结构设置在所述第一倾斜面处。


4.根据权利要求3所述的谐振器，其中：
所述钝化层还包括设置在所述第二倾斜面处的至少一个第二断裂结构。


5.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述连接部为水平的连接部。


6.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述顶电极在与所述连接部相对的一侧还设置有桥翼结构，所述桥翼结构具有桥翼斜面，所述桥翼结构与压电层之间形成空气隙。


7.根据权利要求6所述的谐振器，其中：
所述钝化层还包括设置在所述桥翼斜面上方的至少一个第三断裂结构。


8.根据权利要求1-7中任一项所述的谐振器，其中：
所述断裂结构的深度小于所述钝化层的厚度。


9.根据权利要求8所述的谐振器，其中：
所述断裂结构的深度为所述钝化层的厚度的5％-30％。


10.根据权利要求9所述的谐振器，其中：
所述断裂结构的深度的取值范围为


11.根据权利要求1-7中任一项所述的谐振器，其中：
至少部分所述断裂结构的深度等于所述钝化层的厚度。

【专利技术属性】
技术研发人员：张孟伦，庞慰，刘伯华，杨清瑞，
申请(专利权)人：天津大学，诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：天津;12