【技术实现步骤摘要】
散热结构、带散热结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备
本专利技术的实施例涉及声波谐振器，尤其涉及一种半导体器件用散热结构、一种体声波谐振器，一种具有该谐振器的滤波器，以及一种具有该滤波器的电子设备。
技术介绍
利用压电薄膜在厚度方向的纵向谐振所制成的薄膜体波谐振器，在于机通讯和高速串行数据应用等方面已经成为声表面波器件和石英晶体谐振器的一个可行的替代。射频前端体波滤波器/双工器提供优越的滤波特性，例如低插入损耗，陡峭的过渡带，较大的功率容量，较强的抗静电放电(ESD)能力。具有超低频率温度漂移的高频薄膜体波振荡器，其相位噪声低，功耗低且带宽调制范围大。除此之外，这些微型薄膜谐振器在硅衬底上使用CMOS兼容的加工工艺，这样可以降低单位成本，并有利于最终与CMOS电路集成。体波谐振器包括一个声学镜和两个电极，以及位于这两电极之间的被称作压电激励的压电材料层。也称底电极和顶电极为激励电极，其作用是引起谐振器各层的机械振荡。声学镜在体波谐振器和基底之间形成声学隔离，以防止声波传导至谐振器之外，造成能量损失。理论上，体...
【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，包括：/n基底，具有第一表面与第二表面以及贯穿基底的通孔；/n声学镜；/n底电极，设置在基底上方；/n顶电极，与所述底电极对置；/n压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间；和/n散热结构，/n其中：/n声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域，底电极、压电层和顶电极设置在基底的第一表面上；/n所述散热结构包括散热部、热引出部以及将散热部与热引出部热连接的热连接部，所述热引出部位于所述有效区域之外，所述热引出部与所述有效区域的边缘区域热接触；/n所述散热部包括设置在基底的第二表面所在的一侧的第二散热部；/n所述热...
【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，包括：
基底，具有第一表面与第二表面以及贯穿基底的通孔；
声学镜；
底电极，设置在基底上方；
顶电极，与所述底电极对置；
压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间；和
散热结构，
其中：
声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域，底电极、压电层和顶电极设置在基底的第一表面上；
所述散热结构包括散热部、热引出部以及将散热部与热引出部热连接的热连接部，所述热引出部位于所述有效区域之外，所述热引出部与所述有效区域的边缘区域热接触；
所述散热部包括设置在基底的第二表面所在的一侧的第二散热部；
所述热连接部在基底的厚度方向上穿过所述基底的通孔以将来自所述热引出部的热量传导到所述第二散热部。
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中：
所述散热部还包括第一散热部，所述第一散热部设置在第一表面所在的一侧且与所述热引出部直接热连接。
3.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器，其中：
所述体声波谐振器还包括导热的第一导热绝缘介质层；
所述热引出部设置在所述基底的第一表面的一侧，所述第一导热绝缘介质层设置在底电极与所述热引出部之间，且所述底电极位于所述第一导热绝缘介质层上方、与第一导热绝缘介质层保持接触而与热引出部间隔开。
4.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中：
所述第一导热绝缘介质层由氮化铝、氧化铍或者硅脂制成。
5.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器，其中：
所述热引出部为绝缘部；
所述热引出部设置在所述基底的第一表面的一侧，所述底电极位于热引出部上方且与热引出部保持接触。
6.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器，其中：
所述热引出部延伸到压电层上表面且与所述压电层保持接触而与顶电极间隔开。
7.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器，其中：
所述体声波谐振器还包括导热的第二导热绝缘介质层；
所述热引出部沿所述压电层上表面延伸到所述第二导热绝缘介质层下方而与所述第二导热绝缘介质层保持接触；
所述顶电极位于所述第二导热绝缘介质层上方、与第二导热绝缘介质层保持接触而与热引出部间隔开。
8.根据权利要求7所述的体声波谐振器，其中：
所述第二导热绝缘介质层由氮化铝、氧化铍或者硅脂制成。
9.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器，其中：
所述热引出部为绝缘部；
所述热引出部沿所述压电层上表面延伸到顶电极的下方，所述顶电极位于热引出部上方且与热引出部保持接触。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的体声波谐振器，其中：
所述第一散热部至少部分围绕所述有效区域设置。
11.根据权利要求10所述的体声波谐振器，其中：
所述第一散热部和/或所述第二散热部包括与空气接触以与空气交换热量的部分和/或设置在基底中与基底接触而与基底交换热量的部分。
12.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器，其中：
通孔圆形通孔，直径范围1-30μm。
13.根据权利要求12所述的体声波谐振器，其中：
所述通孔的直径为5-20μm。
14.根据权利要求1或2所述的体声波谐振器，其中：
通孔为矩形通孔，矩形通孔的横截面中，矩形的长度范围为20-80μm，宽度范围为2-20μm。
15.根据权利要求14所述的体声波谐振器，其中：
矩形通孔的横截面中，矩形的长度范围为40-60μm，宽度范围为5-10μm。
16.根据权利要求1-15中任一项所述的体声波谐振器，其中：
所述第一散热部和/或所述第二散热部包括多个带状凸起。
17.根据权利要求16所述的体声波谐振器，其中：
所述带状凸起等间距分布，每个带状凸起的宽度相同，宽度范围为0.5-4μm；相邻两个带状凸起的间距范围为0.5-6μm；带状凸起的高度范围为0.5-20μm。
18.根据权利要求1-15中任一项所述的体声波谐振器，其中：
所述第一散热部和/或所述第二散热部包括多个柱状凸起。
19.根据权利要求18所述的体声波谐振器，其中：
所述柱状凸起为正六棱柱凸...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙晨，庞慰，张孟伦，杨清瑞，
申请(专利权)人：天津大学，诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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