【技术实现步骤摘要】
电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备
本专利技术的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种体声波谐振器、一种具有该谐振器的滤波器，以及一种具有该谐振器或者该滤波器的电子设备。
技术介绍
电子器件作为电子设备的基本元素，已经被广泛应用，其应用范围包括移动电话、汽车、家电设备等。此外，未来即将改变世界的人工智能、物联网、5G通讯等技术仍然需要依靠电子器件作为基础。电子器件根据不同工作原理可以发挥不同的特性与优势，在所有电子器件中，利用压电效应(或逆压电效应)工作的器件是其中很重要一类，压电器件有着非常广泛的应用情景。薄膜体声波谐振器(FilmBulkAcousticResonator，简称FBAR，又称为体声波谐振器，也称BAW)作为压电器件的重要成员正在通信领域发挥着重要作用，特别是FBAR滤波器在射频滤波器领域市场占有份额越来越大，FBAR具有尺寸小、谐振频率高、品质因数高、功率容量大、滚降效应好等优良特性，其滤波器正在逐步取代传统的声表面波(SAW)滤波器和陶瓷滤波器，在无线通信射频领域发挥巨大作用，其高灵敏度...
【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，包括：/n基底；/n声学镜；/n底电极；/n顶电极；和/n压电层，设置在底电极与顶电极之间，/n其中：/n底电极和顶电极中的一个为第一间隙电极，所述第一间隙电极具有第一电极与第二电极，第一电极与压电层面接触，第二电极远离压电层，且空隙层在谐振器的厚度方向上位于第一电极与第二电极之间，第一电极与第二电极在电连接部处电连接，所述电连接部限定空隙层的边界的至少一部分，且/n其中：/n所述谐振器还包括电学隔离部，所述电学隔离部的内侧限定谐振器的有效区域的在谐振器的横向方向上的边界；且/n在谐振器的横向方向上所述电连接部位于有效区域之外；或者所述电连接部在谐振器...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20191023 CN 20191100926231.一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
顶电极；和
压电层，设置在底电极与顶电极之间，
其中：
底电极和顶电极中的一个为第一间隙电极，所述第一间隙电极具有第一电极与第二电极，第一电极与压电层面接触，第二电极远离压电层，且空隙层在谐振器的厚度方向上位于第一电极与第二电极之间，第一电极与第二电极在电连接部处电连接，所述电连接部限定空隙层的边界的至少一部分，且
其中：
所述谐振器还包括电学隔离部，所述电学隔离部的内侧限定谐振器的有效区域的在谐振器的横向方向上的边界；且
在谐振器的横向方向上所述电连接部位于有效区域之外；或者所述电连接部在谐振器的厚度方向上的投影落入所述电学隔离部之内。
2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述第一间隙电极为顶电极；
所述电连接部包括在第一间隙电极的引脚端位于有效区域之外的第一电连接部，且所述第一电连接部在谐振器的横向方向上位于底电极的非引脚端的外侧。
3.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述第一间隙电极为顶电极，所述第一间隙电极的第一电极的非引脚端设置有悬翼结构；
所述电连接部包括在第一间隙电极的非引脚端位于有效区域之外的第二电连接部，所述第二电连接部位于所述悬翼结构上。
所述电学隔离部包括由所述悬翼结构与所述压电层之间的空间形成的电学隔离部。
4.根据权利要求2所述的谐振器，其中：
所述第一间隙电极为顶电极，所述第一间隙电极的第一电极的非引脚端设置有悬翼结构；
所述电连接部包括在第一间隙电极的非引脚端位于第一有效区域之内的第二电连接部，所述第二电连接部位于所述悬翼结构上。
所述电学隔离部包括由所述悬翼结构与所述压电层之间的空间形成的电学隔离部。
5.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述电学隔离部填充有介电材料。
6.根据权利要求1或3所述的谐振器，其中：
所述第一间隙电极为顶电极，所述第一间隙电极的第一电极在其引脚端设置有桥结构；
所述电连接部包括在第一间隙电极的引脚端位于有效区域之外的第一电连接部，所述第一电连接部部分位于所述桥结构上；
所述电学隔离部包括由所述桥结构与压电层之间的空间形成的电学隔离部；
在谐振器的厚度方向上，所述底电极位于第一间隙电极引脚端投影内的非引脚端落入到桥结构的投影之内。
7.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述电学隔离部包括设置在压电层的凹陷部，所述凹陷部的内侧限定所述有效区域的边界。
8.根据权利要求7所述的谐振器，其中：
所述凹陷部填充有介电材料。
技术研发人员：庞慰，张孟伦，徐洋，杨清瑞，
申请(专利权)人：诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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