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本发明涉及一种半导体器件用封装结构及其制造方法。所述半导体器件包括对置的第一晶圆与第二晶圆,所述封装结构包括:适于设置在第一晶圆上的第一键合层,第一键合层具有第一键合区;适于设置在第二晶圆上的第二键合层,第二键合层具有第二键合区,所述第一键...该专利属于天津大学;诺思(天津)微系统有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过天津大学;诺思(天津)微系统有限责任公司授权不得商用。
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本发明涉及一种半导体器件用封装结构及其制造方法。所述半导体器件包括对置的第一晶圆与第二晶圆,所述封装结构包括:适于设置在第一晶圆上的第一键合层,第一键合层具有第一键合区;适于设置在第二晶圆上的第二键合层,第二键合层具有第二键合区,所述第一键...