【技术实现步骤摘要】
存储器的制作方法及存储器
本申请实施例涉及半导体技术，涉及但不限于一种存储器的制作方法及存储器。
技术介绍
在存储器的生产过程中，需要对晶圆进行多道复杂的处理工序，形成存储器结构。在制造过程中，为了提高存储器的稳定性和可靠性，通常采用钝化层将器件结构与外部环境隔离开。通常可以采用含氢元素的原料通过CVD(ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积)的方法在器件表面形成氮化硅、氧化硅、氧化铝以及磷硅玻璃等性能稳定的薄膜。然后通过退火工艺，使钝化层中含有的氢原子扩散出来。但是，在经历退火过程后存储器中的MOS(MetalOxideSemiconductor，金属氧化物半导体)器件往往会发生开关性能的降低。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例提供一种存储器的制作方法及存储器。第一方面，本申请提供一种存储器的制作方法，包括：在具有场效应晶体管的第一衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成带有悬挂键的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成与所述第一绝缘层相同材料的...
【技术保护点】
1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：/n在具有场效应晶体管的第一衬底上形成第一绝缘层；/n在所述第一绝缘层上形成带有悬挂键的第二绝缘层；/n在所述第二绝缘层上形成与所述第一绝缘层相同材料的第三绝缘层；/n将第二衬底与形成有所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的第一衬底贴合；/n在所述第二衬底上表面形成钝化层，其中，所述钝化层中含有氢原子；/n在预设温度下对所述钝化层进行退火处理，使所述钝化层中的氢原子释放至所述第二绝缘层并与所述悬挂键结合形成共价键。/n
【技术特征摘要】
1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：
在具有场效应晶体管的第一衬底上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成带有悬挂键的第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成与所述第一绝缘层相同材料的第三绝缘层；
将第二衬底与形成有所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的第一衬底贴合；
在所述第二衬底上表面形成钝化层，其中，所述钝化层中含有氢原子；
在预设温度下对所述钝化层进行退火处理，使所述钝化层中的氢原子释放至所述第二绝缘层并与所述悬挂键结合形成共价键。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
形成贯穿在所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的第一通孔；
在所述第一通孔中注入导电材料，其中，所述第一通孔内的导电材料，用于连接所述第三绝缘层的表面和所述场效应晶体管的栅极；
所述将第二衬底与形成有所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的第一衬底贴合，包括：
将具有第一连接点的第二衬底贴合在所述第一衬底的第二连接点上，其中，所述第二连接点与所述第一通孔中的导电材料连接。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述第三绝缘层上形成金属层，所述金属层通过所述第一通孔中的导电材料与所述栅极形成电连接，用于向所述栅极传输控制信号；
在所述金属层上形成第一介质层；
在所述第一介质层上形成第二通孔；
在所述第二通孔中注入导电材料，使所述第一介质层上表面形成与所述金属层导通的所述第二连接点。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述第一衬底的所述场效应晶体管的栅极层上，形成第二介质层；
在所述第二介质层上形成第三通孔；
在所述第三通孔中注入导电材料；
在所述第二介质层上形成金属层，所述金属层通过所述第三通孔中的导电材料与所述栅极形成电连接，用于向所述栅极传输控制信号；
所述在具有场效应晶体管的第一衬底上形成第一绝缘层，包括：
在所述金属层上形成所述第一绝缘层。
5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层上形...
【专利技术属性】
技术研发人员：何国伟，沈鑫帅，侯会丹，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。