热处理方法及热处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够适当地管理虚设晶片的处理历程的热处理方法及热处理装置。在将收容多个虚设晶片的载具搬入热处理装置中时，将该载具登记为虚设晶片专用的虚设载具。在存储部中保存将所述多个虚设晶片各自的处理历程与该载具建立关联的虚设数据库。在热处理装置的显示部显示虚设数据库中登记的虚设晶片的处理历程。热处理装置的操作者可通过确认所显示的信息来适当地把握并管理虚设晶片的处理历程。

Heat treatment method and heat treatment device

【技术实现步骤摘要】
热处理方法及热处理装置
本专利技术涉及一种管理载具内收容的虚设晶片的热处理方法及热处理装置。
技术介绍
在半导体器件的制造工艺中，在极短时间内将半导体晶片加热的闪光灯退火(FLA)正受到关注。闪光灯退火是通过使用氙气闪光灯(以下仅称作“闪光灯”时指氙气闪光灯)对半导体晶片的表面照射闪光来使半导体晶片仅表面在极短时间(数毫秒以下)内升温的热处理技术。氙气闪光灯的辐射光谱分布为紫外线区域到近红外区域，与以往的卤素灯相比波长短，与硅的半导体晶片的基本吸收带大体一致。由此，在从氙气闪光灯对半导体晶片照射闪光时，透过光较少而可使半导体晶片急速升温。另外，也已判明只要为数毫秒以下的极短时间的闪光照射就可选择性地使半导体晶片仅表面附近升温。这种闪光灯退火被用于需要极短时间的加热的处理，例如典型地被用于半导体晶片中所注入的杂质的活化。如果从闪光灯对通过离子注入法注入有杂质的半导体晶片的表面照射闪光，则可使该半导体晶片的表面在极短时间内便升温到活化温度，而可在不使杂质深入扩散的情况下仅执行杂质活化。典型地，不仅热处理，半导体晶片的处理均为以批次(成为以同一条件进行同一内容的处理的对象的1组半导体晶片)单位进行。在单片式的基板处理装置中，对构成批次的多片半导体晶片连续依序进行处理。在闪光灯退火装置中，构成批次的多个半导体晶片也是逐片搬入腔室中而依序进行热处理。但，有在对构成批次的多个半导体晶片依序进行处理的过程中保持半导体晶片的基座等腔室内构造物的温度发生变化的情况。这种现象会在利用暂时处于运转停止状态的闪光灯退火装置重新开始处理的情况下或使半导体晶片的处理温度等处理条件改变的情况下产生。如果在对批次的多个半导体晶片进行处理的过程中基座等腔室内构造物的温度发生变化，就会产生批次初始的半导体晶片与后半的半导体晶片中处理时的温度历程不同的问题。为了解决这种问题，在开始批次处理前，将非处理对象的虚设晶片搬入腔室内并支撑在基座上，以与处理对象的批次相同的条件进行闪光加热处理，由此预先使基座等腔室内构造物升温(虚设运转)。在专利文献1中，公开了对10片左右的虚设晶片进行闪光加热处理以使基座等腔室内构造物的温度达到处理时的稳定温度的情况。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利特开2017-092102号公报
技术实现思路
[专利技术要解决的问题]非处理对象的虚设晶片被用在多次虚设运转中并反复供到加热处理中。结果容易产生虚设晶片的劣化带来的破裂或翘曲。如果在虚设运转时产生虚设晶片的破裂或翘曲，就会导致腔室内污染或搬送故障。因此，准确把握虚设晶片的劣化状态以预先防止虚设晶片的破裂或翘曲变得重要。然而，以往作业人员通过目视或写在纸上来管理虚设晶片的处理历程，因此无法充分把握劣化状态。本专利技术是鉴于所述问题而完成的，目的在于提供一种可适当地管理虚设晶片的处理历程的热处理方法及热处理装置。[解决问题的技术手段]为了解决所述问题，技术方案1的专利技术是一种管理载具内收容的虚设晶片的热处理方法，其特征在于具备：搬入步骤，将收容有多个虚设晶片的载具搬入热处理装置中；登记步骤，将所述载具登记为虚设晶片专用的虚设载具；加热步骤，对所述多个虚设晶片进行加热处理；存储步骤，将所述多个虚设晶片各自的处理历程与所述载具建立关联而存储；及显示步骤，显示所述存储步骤中存储的所述多个虚设晶片各自的处理历程。另外，技术方案2的专利技术是根据技术方案1的专利技术的热处理方法，其特征在于：在所述存储步骤中，将所述多个虚设晶片各自相关的利用连续点亮灯进行的预加热的次数及利用闪光灯进行的闪光加热的次数与所述载具建立关联而存储。另外，技术方案3的专利技术是一种管理载具内收容的虚设晶片的热处理装置，其特征在于具备：接收部，接收收容有多个虚设晶片的载具；登记部，将搬入所述接收部中的所述载具登记为虚设晶片专用的虚设载具；加热部，对所述多个虚设晶片进行加热处理；存储部，将所述多个虚设晶片各自的处理历程与所述载具建立关联而存储；及显示部，显示所述存储部中存储的所述多个虚设晶片各自的处理历程。另外，技术方案4的专利技术是根据技术方案3的专利技术的热处理装置，其特征在于：所述加热部包含连续点亮灯及闪光灯，所述存储部将所述多个虚设晶片各自相关的利用所述连续点亮灯进行的预加热的次数及利用所述闪光灯进行的闪光加热的次数与所述载具建立关联而存储。[专利技术的效果]根据技术方案1及技术方案2的专利技术，将多个虚设晶片各自的处理历程与登记为虚设晶片专用的虚设载具的载具建立关联而存储，并显示所述多个虚设晶片各自的处理历程，因此可适当地管理虚设晶片的处理历程。根据技术方案3及技术方案4的专利技术，将多个虚设晶片各自的处理历程与登记为虚设晶片专用的虚设载具的载具建立关联而存储，并显示所述多个虚设晶片各自的处理历程，因此可适当地管理虚设晶片的处理历程。附图说明图1是表示本专利技术的热处理装置的俯视图。图2是图1的热处理装置的前视图。图3是表示热处理部的构成的纵剖视图。图4是表示保持部的整体外观的立体图。图5是基座的俯视图。图6是基座的剖视图。图7是移载机构的俯视图。图8是移载机构的侧视图。图9是表示多个卤素灯的配置的俯视图。图10是表示控制部的构成的框图。图11是表示图1的热处理装置中的虚设晶片的管理顺序的流程图。图12是表示显示部所显示的载具ID的认证画面的一例的图。图13是表示虚设晶片管理表的一例的图。具体实施方式以下，一边参照附图一边对本专利技术的实施方式进行详细说明。首先，对本专利技术的热处理装置进行说明。图1是表示本专利技术的热处理装置100的俯视图，图2是热处理装置100的前视图。热处理装置100是对作为基板的圆板形状的半导体晶片W照射闪光而将该半导体晶片W加热的闪光灯退火装置。成为处理对象的半导体晶片W的尺寸没有特别限定，例如为φ300mm或φ450mm。在搬入热处理装置100前的半导体晶片W中注入有杂质，通过利用热处理装置100进行的加热处理执行所注入的杂质的活化处理。此外，在图1及之后的各图中，为了容易理解而视需要对各部分的尺寸或数量进行了夸张或简化描绘。另外，在图1～图3的各图中，为了明确它们的方向关系而标附了以Z轴方向为铅垂方向并以XY平面为水平面的XYZ正交座标系统。如图1及图2所示，热处理装置100具备：分度器部101，用以将未处理的半导体晶片W从外部搬入装置内并且将处理完成的半导体晶片W搬出装置外；对准部230，进行未处理的半导体晶片W的定位；两个冷却部130、140，进行加热处理后的半导体晶片W的冷却；热处理部160，对半导体晶片W实施闪光加热处理；以及搬送机器人150，相对于冷却部130、140及热处理部160进行半导体晶片W的交接。另外，热处理装置100具备控制部3，所述控制部3控制设置在所述各处理部的动作机构及搬送机器人150以使半导体晶片W的闪光加热处本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热处理方法，其特征在于：管理载具内收容的虚设晶片，且具备：/n搬入步骤，将收容有多个虚设晶片的载具搬入热处理装置中；/n登记步骤，将所述载具登记为虚设晶片专用的虚设载具；/n加热步骤，对所述多个虚设晶片进行加热处理；/n存储步骤，将所述多个虚设晶片各自的处理历程与所述载具建立关联而存储；及/n显示步骤，显示所述存储步骤中存储的所述多个虚设晶片各自的处理历程。/n

【技术特征摘要】
20180913 JP 2018-1713921.一种热处理方法，其特征在于：管理载具内收容的虚设晶片，且具备：
搬入步骤，将收容有多个虚设晶片的载具搬入热处理装置中；
登记步骤，将所述载具登记为虚设晶片专用的虚设载具；
加热步骤，对所述多个虚设晶片进行加热处理；
存储步骤，将所述多个虚设晶片各自的处理历程与所述载具建立关联而存储；及
显示步骤，显示所述存储步骤中存储的所述多个虚设晶片各自的处理历程。


2.根据权利要求1所述的热处理方法，其中
在所述存储步骤中，将所述多个虚设晶片各自相关的利用连续点亮灯进行的预加热的次数及利用闪光灯进行的闪光加热的次数与所述载具...

【专利技术属性】
技术研发人员：上野智宏，布施和彦，大森麻央，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本;JP