热处理方法及热处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够适当地管理虚设晶片的处理历程的热处理方法及热处理装置。在将收容多个虚设晶片的载具搬入热处理装置中时，将该载具登记为虚设晶片专用的虚设载具。在存储部中保存将所述多个虚设晶片各自的处理历程与该载具建立关联的虚设数据库。在热处理装置的显示部显示虚设数据库中登记的虚设晶片的处理历程。热处理装置的操作者可通过确认所显示的信息来适当地把握并管理虚设晶片的处理历程。

Heat treatment method and heat treatment device

【技术实现步骤摘要】
热处理方法及热处理装置
本专利技术涉及一种管理载具内收容的虚设晶片的热处理方法及热处理装置。
技术介绍
在半导体器件的制造工艺中，在极短时间内将半导体晶片加热的闪光灯退火(FLA)正受到关注。闪光灯退火是通过使用氙气闪光灯(以下仅称作“闪光灯”时指氙气闪光灯)对半导体晶片的表面照射闪光来使半导体晶片仅表面在极短时间(数毫秒以下)内升温的热处理技术。氙气闪光灯的辐射光谱分布为紫外线区域到近红外区域，与以往的卤素灯相比波长短，与硅的半导体晶片的基本吸收带大体一致。由此，在从氙气闪光灯对半导体晶片照射闪光时，透过光较少而可使半导体晶片急速升温。另外，也已判明只要为数毫秒以下的极短时间的闪光照射就可选择性地使半导体晶片仅表面附近升温。这种闪光灯退火被用于需要极短时间的加热的处理，例如典型地被用于半导体晶片中所注入的杂质的活化。如果从闪光灯对通过离子注入法注入有杂质的半导体晶片的表面照射闪光，则可使该半导体晶片的表面在极短时间内便升温到活化温度，而可在不使杂质深入扩散的情况下仅执行杂质活化。典型地，不仅热处理，半导体晶片的处理均为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热处理方法，其特征在于：管理载具内收容的虚设晶片，且具备：/n搬入步骤，将收容有多个虚设晶片的载具搬入热处理装置中；/n登记步骤，将所述载具登记为虚设晶片专用的虚设载具；/n加热步骤，对所述多个虚设晶片进行加热处理；/n存储步骤，将所述多个虚设晶片各自的处理历程与所述载具建立关联而存储；及/n显示步骤，显示所述存储步骤中存储的所述多个虚设晶片各自的处理历程。/n

【技术特征摘要】
20180913 JP 2018-1713921.一种热处理方法，其特征在于：管理载具内收容的虚设晶片，且具备：
搬入步骤，将收容有多个虚设晶片的载具搬入热处理装置中；
登记步骤，将所述载具登记为虚设晶片专用的虚设载具；
加热步骤，对所述多个虚设晶片进行加热处理；
存储步骤，将所述多个虚设晶片各自的处理历程与所述载具建立关联而存储；及
显示步骤，显示所述存储步骤中存储的所述多个虚设晶片各自的处理历程。


2.根据权利要求1所述的热处理方法，其中
在所述存储步骤中，将所述多个虚设晶片各自相关的利用连续点亮灯进行的预加热的次数及利用闪光灯进行的闪光加热的次数与所述载具...

【专利技术属性】
技术研发人员：上野智宏，布施和彦，大森麻央，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本;JP