热处理方法及热处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能得当地管理针对虚设晶圆的热处理的热处理方法及热处理装置。对虚设晶圆进行如下虚设处理：利用卤素灯等进行加热处理，而调节基座等腔室内构造物的温度。预先编写用于虚设处理的虚设配方，并且设定虚设处理次数的阈值也就是上限值及下限值。开始虚设处理后，对虚设处理的次数进行计数。对将收容有成为产品的半导体晶圆的载具搬入热处理装置中这个时间点的虚设处理次数与所设定的上限值及下限值加以比较判定，由此调整结束虚设处理及开始产品晶圆处理的时序。

Heat treatment method and heat treatment device

【技术实现步骤摘要】
热处理方法及热处理装置
本专利技术涉及一种管理虚设晶圆的热处理的热处理方法及热处理装置。
技术介绍
在半导体元件的制程中，极短时间内将半导体晶圆加热的闪光灯退火(FLA)备受关注。闪光灯退火是通过使用疝气闪光灯(以下，简称“闪光灯”时就是指疝气闪光灯)对半导体晶圆的正面照射闪光，而仅使半导体晶圆的正面在极短时间(数毫秒以下)内升温的热处理技术。疝气闪光灯的放射分光分布为紫外线区域到近红外线区域，波长较以往的卤素灯短，与硅的半导体晶圆的基本吸收带大体一致。因此，从疝气闪光灯对半导体晶圆照射闪光时，透过光较少，从而能使半导体晶圆急速升温。另外，也已判明：如果为数毫秒以下的极短时间的闪光照射，则能仅使半导体晶圆的正面附近选择性地升温。这种闪光灯退火被应用于需要在极短时间内加热的处理，例如较为典型的是注入半导体晶圆中的杂质的活化。如果从闪光灯对通过离子注入法注入有杂质的半导体晶圆的正面照射闪光，则能将该半导体晶圆的正面在极短时间内升温到活化温度，能不使杂质较深扩散而仅执行杂质活化。较为典型的是，半导体晶圆的处理(并不限于热处理)以批组(作为在同一条件下进行同一内容处理的对象的1组半导体晶圆)为单位而进行。在单片式衬底处理装置中，对构成批组的多片半导体晶圆连续地依次进行处理。在闪光灯退火装置中，也是将构成批组的多片半导体晶圆逐片搬入腔室中依次进行热处理。不过，在对构成批组的多片半导体晶圆依次进行处理的过程中，保持半导体晶圆的基座等腔室内构造物的温度会发生变化。这种现象发生于在曾短暂处于运行停止状态下的闪光灯退火装置中重新开始处理的情况下、或使半导体晶圆的处理温度等处理条件发生了变化的情况下。如果在对批组的多片半导体晶圆进行处理的过程中，基座等腔室内构造物的温度发生变化，那么会产生如下问题：在批组初期的半导体晶圆与后半程的半导体晶圆中，处理时的温度记录不同。为了解决这种问题，而在开始产品批组的处理前，将非处理对象的虚设晶圆搬入腔室内并由基座加以支撑，然后在与处理对象的批组相同的条件下，进行加热处理，由此事先将基座等腔室内构造物升温(虚设运行)。在专利文献1中，公开了如下内容：对10片左右虚设晶圆实施虚设运行，使基座等腔室内构造物的温度达到处理时的稳定温度。[
技术介绍
文献][专利文献][专利文献1]日本专利特开2017-092102号公报
技术实现思路
[专利技术要解决的问题]构成产品批组的半导体晶圆及虚设晶圆都是以收容在FOUP(FrontOpeningUnifiedPod，前开式晶圆传送盒)等载具中的状态搬入闪光灯退火装置内的。虚设晶圆是收容在专用的虚设载具中而搬入，产品批组是收容在普通的载具中而搬入。较为典型的是，在将虚设载具搬入闪光灯退火装置中而开始虚设运行不久后，便搬入收容产品批组的载具，开始产品晶圆的处理。然而，如果在针对指定片数的虚设晶圆的虚设运行完成且经过一定时间后，将收容产品批组的载具搬入闪光灯退火装置中，那么基座等腔室内构造物的温度会从通过虚设运行加以调整而获得的稳定温度下降。在这种情况下，开始产品批组的处理前，就必须再次实施虚设运行，将腔室内构造物调整到稳定温度，从而不仅需要实施额外的虚设运行，还会造成产品批组的处理开始延迟的问题。本专利技术是鉴于所述问题完成的，其目的在于提供一种能得当地管理针对虚设晶圆的热处理的热处理方法及热处理装置。[解决问题的技术手段]为了解决所述问题，技术方案1的专利技术是一种管理虚设晶圆的热处理的热处理方法，其特征在于包含：设定步骤，设定对虚设晶圆进行热处理的次数的阈值也就是上限值及下限值；及虚设处理步骤，在进行产品晶圆的处理前进行虚设晶圆的热处理；当产品晶圆的处理开始准备完成这个时间点的虚设晶圆的热处理次数未达所述下限值时，继续进行虚设晶圆的热处理直到所述热处理次数达到所述下限值为止，当所述热处理次数为所述下限值以上且所述上限值以下时，停止虚设晶圆的热处理，开始产品晶圆的处理，当所述热处理次数超过所述上限值时，中止产品晶圆的处理。另外，技术方案2的专利技术是根据技术方案1的专利技术的热处理方法，其特征在于：在所述虚设处理步骤中，按照与作为处理对象的产品晶圆的处理配方建立有关联的虚设配方，执行虚设晶圆的热处理。另外，技术方案3的专利技术是一种管理虚设晶圆的热处理的热处理装置，其特征在于具备：热处理部，对虚设晶圆进行热处理；设定部，设定对虚设晶圆进行热处理的次数的阈值也就是上限值及下限值；及控制部，在进行产品晶圆的处理前执行虚设晶圆的热处理，并且当产品晶圆的处理开始准备完成这个时间点的所述热处理部中的虚设晶圆的热处理次数未达所述下限值时，继续进行虚设晶圆的热处理直到所述热处理次数达到所述下限值为止，当所述热处理次数为所述下限值以上且所述上限值以下时，停止虚设晶圆的热处理，开始产品晶圆的处理，当所述热处理次数超过所述上限值时，中止产品晶圆的处理。另外，技术方案4的专利技术是根据技术方案3的专利技术的热处理装置，其特征在于：还具备存储部，所述存储部将作为处理对象的产品晶圆的处理配方与在进行该产品晶圆的处理前执行热处理的虚设晶圆的虚设配方建立关联而存储。另外，技术方案5的专利技术是根据技术方案3或4的专利技术的热处理装置，其特征在于：还具备收容有虚设晶圆的虚设载具专用的装载埠。[专利技术的效果]根据技术方案1及2的专利技术，对产品晶圆的处理开始准备完成这个时间点的虚设晶圆的热处理次数与所设定的上限值及下限值加以比较判定，而调整虚设晶圆的热处理及产品晶圆的处理，因此能得当地管理针对虚设晶圆的热处理。尤其是，根据技术方案2的专利技术，按照与作为处理对象的产品晶圆的处理配方建立有关联的虚设配方，执行虚设晶圆的热处理，因此能按照对产品晶圆来说最佳的虚设配方，进行虚设晶圆的热处理。根据技术方案3至5的专利技术，对产品晶圆的处理开始准备完成这个时间点的虚设晶圆的热处理次数与所设定的上限值及下限值加以比较判定，而调整虚设晶圆的热处理及产品晶圆的处理，因此能得当地管理针对虚设晶圆的热处理。尤其是，根据技术方案4的专利技术，将作为处理对象的产品晶圆的处理配方与在进行该产品晶圆的处理前执行热处理的虚设晶圆的虚设配方建立关联而存储，因此能按照对产品晶圆来说最佳的虚设配方，进行虚设晶圆的热处理。附图说明图1是表示本专利技术的热处理装置的俯视图。图2是图1的热处理装置的前视图。图3是表示热处理部的构成的纵截面图。图4是表示保持部的整体外观的立体图。图5是基座的俯视图。图6是基座的截面图。图7是移载机构的俯视图。图8是移载机构的侧视图。图9是表示多个卤素灯的配置的俯视图。图10是表示控制部的构成的框图。图11是表示虚设处理的管理顺序的流程图。具体实施方式以下，一面参照附图一面对本专利技术的实施方式详细地进行说明。首先，对本专利技术的热处理装置进行说明。图1是表示本专利技术的热处理装置100的俯视图，图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热处理方法，其特征在于：/n所述热处理方法管理虚设晶圆的热处理，且包含：/n设定步骤，设定对虚设晶圆进行热处理的次数的阈值也就是上限值及下限值；及/n虚设处理步骤，在进行产品晶圆的处理前进行虚设晶圆的热处理；/n当产品晶圆的处理开始准备完成这个时间点的虚设晶圆的热处理次数未达所述下限值时，继续进行虚设晶圆的热处理直到所述热处理次数达到所述下限值为止，当所述热处理次数为所述下限值以上且所述上限值以下时，停止虚设晶圆的热处理，开始产品晶圆的处理，当所述热处理次数超过所述上限值时，中止产品晶圆的处理。/n

【技术特征摘要】
20181023 JP 2018-1990501.一种热处理方法，其特征在于：
所述热处理方法管理虚设晶圆的热处理，且包含：
设定步骤，设定对虚设晶圆进行热处理的次数的阈值也就是上限值及下限值；及
虚设处理步骤，在进行产品晶圆的处理前进行虚设晶圆的热处理；
当产品晶圆的处理开始准备完成这个时间点的虚设晶圆的热处理次数未达所述下限值时，继续进行虚设晶圆的热处理直到所述热处理次数达到所述下限值为止，当所述热处理次数为所述下限值以上且所述上限值以下时，停止虚设晶圆的热处理，开始产品晶圆的处理，当所述热处理次数超过所述上限值时，中止产品晶圆的处理。


2.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于：
在所述虚设处理步骤中，按照与作为处理对象的产品晶圆的处理配方建立有关联的虚设配方，执行虚设晶圆的热处理。


3.一种热处理装置，其特征在于：
...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田真一，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本;JP