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本申请实施例公开了一种存储器的制作方法及存储器，该方法包括：在具有场效应晶体管的第一衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成带有悬挂键的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成与所述第一绝缘层相同材料的第三绝缘层；将第二衬底与形成有所述第一绝...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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