一种耐高压屏蔽栅功率MOSFET芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种耐高压屏蔽栅功率MOSFET芯片，包括N+衬底、N‑型基区、P型基区，N+集电区，源极电极、二氧化硅绝缘层、漏极电极，屏蔽栅设置在两个P型基区之间深入N‑型基区内部，上述屏蔽栅覆盖沟槽薄氧，上述沟槽薄氧内部设置有栅极多晶硅、连栅极多晶硅；在两个P型基区的外侧各有一个贯穿二氧化硅绝缘层抵达P型基区表面的源极电极凸起，上述源极电极凸起下方垂直设置贯穿P型基区抵达N‑型基区内部的连源极多晶硅，上述连源极多晶硅覆盖有沟槽厚氧；上述沟槽厚氧、沟槽薄氧底部设置P+型基区。有益效果是可以提高器件击穿电压、降低器件导通电阻。

A kind of MOSFET chip with high voltage shielding gate power

【技术实现步骤摘要】
一种耐高压屏蔽栅功率MOSFET芯片
本技术涉及半导体
，具体涉及一种耐高压屏蔽栅功率MOSFET芯片。
技术介绍
功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS(MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体)，FET(FieldEffectTransistor场效应晶体管)，即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。VDMOSFET(高压功率MOSFET)可以通过减薄漏端漂移区的厚度来减小导通电阻，然而，减薄漏端漂移区的厚度就会降低器件的击穿电压，因此在VDMOSFET中，提高器件的击穿电压和减小器件的导通电阻相互矛盾。屏蔽栅MOSFET结构具有导通损耗低、栅极电荷低、开关速度快、器件发热小以及能效高的优点，产品可广泛用于个人电脑、笔记本电脑、上网本或手机、照明(高压气体放电灯)产品以及电视机(液晶或等离子电视机)和游戏机等高端消费电子产品的电源或适配器。
技术实现思路
本技术的目的是，提供一种提高器件击穿电压、降低器件导通电阻的耐高压屏本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种耐高压屏蔽栅功率MOSFET芯片，包括底层的N+衬底(1)，在N+衬底(1)上方设有N-型基区(2)，在N-型基区(2)上方嵌入有两个P型基区(3)，在每个P型基区(3)上方嵌入有两个N+集电区(4)，源极电极(11)设置在P型基区(3)上并连通P型基区(3)上两个N+集电区(4)，在连接源极电极(11)之外的P型基区(3)表面、N-型基区(2)表面覆盖有二氧化硅绝缘层(15)，漏极电极(12)和N+衬底(1)连接，屏蔽栅(14)设置在两个P型基区(3)之间深入N-型基区(2)内部，其特征在于：所述屏蔽栅(14)覆盖沟槽薄氧(8)，所述沟槽薄氧(8)内部设置有栅极多晶硅(9)、连栅极多...

【技术特征摘要】
1.一种耐高压屏蔽栅功率MOSFET芯片，包括底层的N+衬底(1)，在N+衬底(1)上方设有N-型基区(2)，在N-型基区(2)上方嵌入有两个P型基区(3)，在每个P型基区(3)上方嵌入有两个N+集电区(4)，源极电极(11)设置在P型基区(3)上并连通P型基区(3)上两个N+集电区(4)，在连接源极电极(11)之外的P型基区(3)表面、N-型基区(2)表面覆盖有二氧化硅绝缘层(15)，漏极电极(12)和N+衬底(1)连接，屏蔽栅(14)设置在两个P型基区(3)之间深入N-型基区(2)内部，其特征在于：所述屏蔽栅(14)覆盖沟槽薄氧(8)，所述沟槽薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆怀谷，
申请(专利权)人：深圳市谷峰电子有限公司，香港谷峰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44