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本实用新型涉及一种耐高压屏蔽栅功率MOSFET芯片，包括N+衬底、N‑型基区、P型基区，N+集电区，源极电极、二氧化硅绝缘层、漏极电极，屏蔽栅设置在两个P型基区之间深入N‑型基区内部，上述屏蔽栅覆盖沟槽薄氧，上述沟槽薄氧内部设置有栅极多晶硅...该专利属于深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司授权不得商用。