一种具有自恢复功能的过流保护电路制造技术

技术编号:14894123 阅读:139 留言:0更新日期:2017-03-29 04:50
本发明专利技术属于电源管理技术领域,具体的说是涉及一种具有自恢复功能的过流保护电路。本发明专利技术提出了一种自恢复过流保护机制,主要由环路部分,过流检测比较器,充放电控制信号产生部分,充放电部分,系统过流关断计时部分,COMP端放电部分构成,可以在系统发生过流、短路等各种过载情况后,系统自动进入关断计时,系统关断计时完成后系统自动进入软启动,无需额外软启动电路及管脚,节省了应用成本及整体芯片功耗,提升电源系统可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电源管理
,具体的说是涉及一种具有自恢复功能的过流保护电路
技术介绍
过流保护电路是电源管理芯片基本模块。电源管理芯片在实际应用中,当系统长时间处于过流状态时,芯片有可能会损坏。因此为防止过流所造成的芯片损坏,通常在电源管理芯片中加入过流保护电路。常规过流保护芯片通过采样电流信息,与已固定的参考值进行比较,进而关断电源管理模块的充电支路,进行放电控制。但这种控制方法,一方面会导致芯片长时间处于过载的工作状态,导致电源管理模块功耗增加,系统温升加剧,加速元器件老化;另一方面由于控制环路的延迟作用,导致实际的电流限会逐周期升高,最终导致电源管理模块的烧毁,这一现象在输出短路时尤为明显。因此,常规的电流峰值比较方案,无法保证电源管理模块安全可靠的工作。
技术实现思路
本专利技术所要解决的是,针对现有过流保护电路缺陷,本专利技术提出了一种自恢复过流保护机制,可以在系统发生过流、短路等各种过载情况后,系统自动进入关断计时,系统关断计时完成后系统自动进入软启动,无需额外软启动电路及管脚,节省了应用成本及整体芯片功耗,提升电源系统可靠性。本专利技术的技术方案是:一种具有自恢复功本文档来自技高网...
一种具有自恢复功能的过流保护电路

【技术保护点】
一种具有自恢复功能的过流保护电路,所述过流保护电路用于电源管理芯片模块,且该电源管理芯片模块的环路电路包括误差放大器;所述过流保护电路包括过流比较器、充放电控制信号产生模块、充放电模块、系统关断计时模块、迟滞比较器、误差放大器输出端放电模块和充放电电容;所述过流比较器的正向输入端接检测信号,过流比较器的反向输入端接第一外部基准电压,过流比较器的输出端接充放电控制信号产生模块的一个输入端;过流比较器用于在检测信号超过第一外部基准电压时输出高电平信号;所述充放电控制信号产生模块为数字逻辑处理模块,所述数字逻辑处理模块的另一个输入端接迟滞比较器输出端,数字逻辑处理模块的输出端输出充放电控制信号;所述...

【技术特征摘要】
1.一种具有自恢复功能的过流保护电路,所述过流保护电路用于电源管理芯片模块,且该电源管理芯片模块的环路电路包括误差放大器;所述过流保护电路包括过流比较器、充放电控制信号产生模块、充放电模块、系统关断计时模块、迟滞比较器、误差放大器输出端放电模块和充放电电容;所述过流比较器的正向输入端接检测信号,过流比较器的反向输入端接第一外部基准电压,过流比较器的输出端接充放电控制信号产生模块的一个输入端;过流比较器用于在检测信号超过第一外部基准电压时输出高电平信号;所述充放电控制信号产生模块为数字逻辑处理模块,所述数字逻辑处理模块的另一个输入端接迟滞比较器输出端,数字逻辑处理模块的输出端输出充放电控制信号;所述充放电模块包括第一电流源、第二电流源、第一PMOS管和第一NMOS管;第一电流源的一端接外部基准电压,另一端接第一PMOS管的源极;第一PMOS管的栅极接充电控制信号;第一NMOS管的源极接第二电流源的一端,第二电流源的另一端接地;第一PMOS管的漏接和第一NMOS管的漏极连接;所述系统关断计时模块用于确定发生过流后系统关断时间;包括第三NMOS管和第三电流源,第三NMOS管的漏极接第一PMOS管漏接和第一NMOS管漏极的连接点;第三NMOS管的栅极接迟滞比较器的输出端,第三NMOS管的源极接第三电流源的一端,第三电流源的另一端接地;所述迟滞比较器的正向输入端接第一PMOS管漏接和第一NMOS管漏极的连接点,迟滞比较器的反向输入端接充放电电容上的电压值;所述误差放大器输出端放电模块...

【专利技术属性】
技术研发人员:周泽坤曹建文石跃鲁信秋汪尧王卓张波
申请(专利权)人:电子科技大学
类型:发明
国别省市:四川;51

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