过流保护及防闩锁电路制造技术

本发明专利技术提供了一种过流保护及防闩锁电路，包括开关机电路、电流采样及限流电路、防闩锁打嗝电路、驱动电路及功率电路。本发明专利技术的有益效果是在本发明专利技术中，该电路选用MOSFET作为保护开关，控制设备输入端与母线之间的开启与关断。在负载发生闩锁现象后，将电流限制在某规定值，通过几次加断电消除负载的闩锁现象。如果负载发生过流甚至短路故障时，会将电流限制在某规定值，经过几次加断电后最终将电路关断，从而有效保护负载设备，待负载设备正常后，电路可加开机指令重新工作，兼具熔断器与继电器的功能。

【技术实现步骤摘要】
过流保护及防闩锁电路
本专利技术涉及电子
，尤其涉及过流保护及防闩锁电路。
技术介绍
闩锁效应是体硅CMOS电路中的寄生四层PNPN结构的可控硅现象，极易产生电路的永久性失效，对卫星的部件产生严重的后果。现代卫星应用了大量的CMOS电路，而随着微电子特征尺寸的不断减小，其中很多电路的闩锁敏感性也会随着显著增加，影响了电路的正常工作，使故障风险大大增加。
技术实现思路
为了解决现有技术中的问题，本专利技术提供了一种过流保护及防闩锁电路。本专利技术提供了一种过流保护及防闩锁电路，包括开关机电路、电流采样及限流电路、防闩锁打嗝电路、驱动电路及功率电路，该过流保护及防闩锁电路还包括电阻R29、三极管V3，所述电流采样及限流电路包括电阻R4、电阻R6、电容C2、对管V1、电阻R7、电阻R8、电阻R*2、电阻R9、三极管V4、电阻R18，该过流保护及防闩锁电路输入端分别与所述电阻R29一端、电阻R6一端、电阻R4的A端相连，所述电阻R4的B端与电阻R*2的一端相连，所述R*2的另一端与V1的2N3810-B的发射极相连，所述电阻R6的另一端与对管V1的2N3810-A的发射极相连，V1的基极与V1的2N3810-A的集电极相连，电容C2两端分别连接V1的2N3810-A的发射极及V1的2N3810-B的发射极及电阻R7的一端相连并接地，电阻R7另一端与电阻R8一端相连并接地，电阻R8另一端与V1的2N3810-B的集电极相连，电阻R9一端与V1的2N3810-B的集电极相连，电阻R9另一端与所述三极管V4基极相连，所述三极管V4发射极与所述驱动电路及功率电路相连，所述三极管V4集电极与电阻R18一端相连，电阻R18另一端与所述三极管V3集电极相连，三极管V3发射极接地，三极管V3基极与所述防闩锁打嗝电路相连，所述电阻R29另一端与所述开关机电路相连。作为本专利技术的进一步改进，该过流保护及防闩锁电路还包括延时电路、电阻R27，所述防闩锁打嗝电路还包括电阻R20、电容C4、三极管V11、电阻R*30、电阻R30、R*29、电阻R*27、电容C*5、电阻R*28、电容C*4、电阻R*27、电容C6，所述三极管V3基极与所述电阻R20一端相连，所述电阻R20另一端接地，电容C4一端与三极管V3基极相连，电容C4另一端接地，电阻R27一端与三极管V3基极相连，电阻R27另一端与三极管V11集电极相连，三极管V11发射极接地，三极管V11基极分别与电阻R*30一端、电阻R30一端相连，电阻R30另一端接地，电阻R*30另一端与电阻R*29、电容C*4一端相连，电容C*4另一端接地，电阻R*29另一端与延时电路相连，电阻R*27另一端与电容C*5及电阻R*28一端相连，电容C*5的另一点接地，电阻R*28另一端与延时电路相连，电容C6一端接地，电容C6另一端连接开关机电路，电阻R*27一端连接开关机电路，电阻R*27另一端与电容C*5及电阻R*28一端相连，C*5的另一点接地。作为本专利技术的进一步改进，所述开关机电路包括电阻R19、电阻R26、电阻R22、电容C3、电容C5、三极管V14、三极管V21、三极管V2、电阻R*26，电阻R19一端与指令输入端相连，电阻R19另一端分别与电阻R26一端、电容C3一端及三极管V14基极相连，电阻R26另一端及电容C3另一端接地，三极管V14发射极接地，三极管V14集电极分别与电阻R22一端、电容C5一端及三极管V21发射极相连，电阻R22及C5的另一端与三极管V21基极相连，三极管V2集电极与三极管V21基极相连，三极管V2发射极接地，三极管V2基极与三极管V21集电极相连，所述电阻R*26一端接地，所述电阻R*26另一端与所述三极管V21集电极相连。作为本专利技术的进一步改进，所述电阻R*27一端连接三极管V21集电极，所述电容C6另一端连接三极管V21集电极。作为本专利技术的进一步改进，所述电阻R29另一端与所述三极管V14相连。作为本专利技术的进一步改进，该过流保护及防闩锁电路还包括电阻R25、三极管V3、电阻R25-1，所述延时电路包括三极管V6、二极管V10、电阻R15、电阻R23、电容C*1、二极管V13、二极管V12、电阻R13、三极管V6-1、二极管V10-1、二极管V13-1、二极管V12-1、电容C*1-1、电阻R23-1、电阻R15-1，三极管V6基极与二极管V10阳极相连，三极管V6发射极与电阻R15及电阻R25的一端相连，电阻R25另一端接地，电阻R15另一端与驱动电路及功率电路相连，电阻R23及电容C*1一端与驱动电路及功率电路相连，电阻R23及电容C*1的另一端与二极管V10阴极相连，二极管V13阳极与二极管V10阴极相连，二极管V13阴极与二极管V12阳极相连，二极管V12阴极与驱动电路及功率电路相连，电阻R13一端与二极管V12阴极相连，电阻R13另一端与三极管V3集电极相连，电阻R25-1一端接地，电阻R25-1另一端与三极管V6-1发射极相连，三极管V6-1基极与二极管V10-1阳极相连，二极管V10-1阴极与二极管V13-1阳极相连，二极管V13-1阴极与二极管V12-1阳极相连，二极管V12-1阴极与二极管V12阴极相连，电容C*1-1及电阻R23-1并联、其并联一端与二极管V10-1阴极相连，电容C*1-1及电阻R23-1并联另一端与三极管V5发射极相连，电阻R15-1一端与三极管V5发射极相连，电阻R15-1另一端与三极管V6-1发射极相连。作为本专利技术的进一步改进，所述驱动电路及功率电路包括三极管V5、MOS管V17、稳压管V9、电阻R12、电阻R17、电阻R31、二极管V15、、，三极管V5发射极与MOS管V17源极相连，三极管V5基极与稳压管V9阴极相连，稳压管V9阳极与三极管V4集电极相连，电阻R12一端与MOS管V17源极相连，电阻R12另一端与稳压管V9阴极相连，电阻R17一端与MOS管V17门极相连，电阻R17另一端与稳压管V9阳极相连，MOS管V17漏极为电路的输出端分别与电阻R31一端及二极管V15阴极相连，二极管V15阳极及电阻R31另一端接地。作为本专利技术的进一步改进，所述三极管V4发射极与所述MOS管V17源极相连。作为本专利技术的进一步改进，所述电阻R*29另一端与三极管V6-1集电极相连，所述电阻R*28另一端与三极管V6集电极相连，电容C6另一端连接三极管V21集电极。作为本专利技术的进一步改进，电阻R15另一端与MOS管V17源极相连，电阻R23及电容C*1一端与MOS管V17源极)相连，二极管V12阴极与三极管V5集电极相连。本专利技术的有益效果是：在本专利技术中，该电路选用MOSFET作为保护开关，控制设备输入端与母线之间的开启与关断。在负载发生闩锁现象后，将电流限制在某规定值，通过几次加断电消除负载的闩锁现象。如果负载发生过流甚至短路故障时，会将电流限制在某规定值，经过几次加断电后最终将电路关断，从而有效保护负载设备，待负载设备正常后，电路可加开机指令重新工作，兼具熔断器与继电器的功能。附图说明图1是本专利技术的电路图的第一部分。图2是本专利技术的电路图的第二部分。图3是本专利技术的电路图的第三部分。图4是本专利技术的母线电压5V限流波形图，其中ch本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过流保护及防闩锁电路，其特征在于：包括开关机电路、电流采样及限流电路、防闩锁打嗝电路、驱动电路及功率电路，该过流保护及防闩锁电路还包括电阻R29、三极管V3，所述电流采样及限流电路包括电阻R4、电阻R6、电容C2、对管V1、电阻R7、电阻R8、电阻R*2、电阻R9、三极管V4、电阻R18，该过流保护及防闩锁电路输入端分别与所述电阻R29一端、电阻R6一端、电阻R4的A端相连，所述电阻R4的B端与电阻R*2的一端相连，所述R*2的另一端与V1的2N3810‑B的发射极相连，所述电阻R6的另一端与对管V1的2N3810‑A的发射极相连，V1的基极与V1的2N3810‑A的集电极相连，电容C2两端分别连接V1的2N3810‑A的发射极及V1的2N3810‑B的发射极及电阻R7的一端相连并接地，电阻R7另一端与电阻R8一端相连并接地，电阻R8另一端与V1的2N3810‑B的集电极相连，电阻R9一端与V1的2N3810‑B的集电极相连，电阻R9另一端与所述三极管V4基极相连，所述三极管V4发射极与所述驱动电路及功率电路相连，所述三极管V4集电极与电阻R18一端相连，电阻R18另一端与所述三极管V3集电极相连，三极管V3发射极接地，三极管V3基极与所述防闩锁打嗝电路相连，所述电阻R29另一端与所述开关机电路相连。...

【技术特征摘要】
1.一种过流保护及防闩锁电路，其特征在于：包括开关机电路、电流采样及限流电路、防闩锁打嗝电路、驱动电路及功率电路，该过流保护及防闩锁电路还包括电阻R29、三极管V3，所述电流采样及限流电路包括电阻R4、电阻R6、电容C2、对管V1、电阻R7、电阻R8、电阻R*2、电阻R9、三极管V4、电阻R18，该过流保护及防闩锁电路输入端分别与所述电阻R29一端、电阻R6一端、电阻R4的A端相连，所述电阻R4的B端与电阻R*2的一端相连，所述R*2的另一端与V1的2N3810-B的发射极相连，所述电阻R6的另一端与对管V1的2N3810-A的发射极相连，V1的基极与V1的2N3810-A的集电极相连，电容C2两端分别连接V1的2N3810-A的发射极及V1的2N3810-B的发射极及电阻R7的一端相连并接地，电阻R7另一端与电阻R8一端相连并接地，电阻R8另一端与V1的2N3810-B的集电极相连，电阻R9一端与V1的2N3810-B的集电极相连，电阻R9另一端与所述三极管V4基极相连，所述三极管V4发射极与所述驱动电路及功率电路相连，所述三极管V4集电极与电阻R18一端相连，电阻R18另一端与所述三极管V3集电极相连，三极管V3发射极接地，三极管V3基极与所述防闩锁打嗝电路相连，所述电阻R29另一端与所述开关机电路相连。2.根据权利要求1所述的过流保护及防闩锁电路，其特征在于：该过流保护及防闩锁电路还包括延时电路、电阻R27，所述防闩锁打嗝电路还包括电阻R20、电容C4、三极管V11、电阻R*30、电阻R30、R*29、电阻R*27、电容C*5、电阻R*28、电容C*4、电阻R*27、电容C6，所述三极管V3基极与所述电阻R20一端相连，所述电阻R20另一端接地，电容C4一端与三极管V3基极相连，电容C4另一端接地，电阻R27一端与三极管V3基极相连，电阻R27另一端与三极管V11集电极相连，三极管V11发射极接地，三极管V11基极分别与电阻R*30一端、电阻R30一端相连，电阻R30另一端接地，电阻R*30另一端与电阻R*29、电容C*4一端相连，电容C*4另一端接地，电阻R*29另一端与延时电路相连，电阻R*27另一端与电容C*5及电阻R*28一端相连，电容C*5的另一点接地，电阻R*28另一端与延时电路相连，电容C6一端接地，电容C6另一端连接开关机电路，电阻R*27一端连接开关机电路，电阻R*27另一端与电容C*5及电阻R*28一端相连，C*5的另一点接地。3.根据权利要求2所述的过流保护及防闩锁电路，其特征在于：所述开关机电路包括电阻R19、电阻R26、电阻R22、电容C3、电容C5、三极管V14、三极管V21、三极管V2、电阻R*26，电阻R19一端与指令输入端相连，电阻R19另一端分别与电阻R26一端、电容C3一端及三极管V14基极相连，电阻R26另一端及电容C3另一端接地，三极管V14发射极接地，三极管V14集电极分别与电阻R22一端、电容C5一端及三极管V21发射极相连，电阻R22及C5的另一端与三极管V21基极相连，三极管V2集电极与三极管V21基极相连，三极管V2发射极接地，三极管V2基极与三极管V21集电极相连，所述电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：程航，张贤涛，
申请(专利权)人：深圳市航天新源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44