一种电子设备的保护电路及电子设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电子设备的保护电路及电子设备，保护电路包括防反接电路，防反接电路包括带有体二极管的MOS和第一电阻，MOS的源极与第一电阻的第一端连接，二者的公共端作为防反接电路的第一输出端与负载的第一端连接，MOS的栅极与第一电阻的第二端连接，二者的公共端作为防反接电路的第二输出端与负载的第二端连接。该防反接电路通过MOS实现防反接，使得在电子设备在与电源连接时，对电子设备的负载起到保护作用，从而使得电子设备在使用过程中更加安全。相比于二极管来说，MOS的功耗较小，并且MOS的价格也较低廉，从而降低电子设备的成本。

Protective circuit for electronic equipment and electronic equipment

The utility model discloses a protection circuit of electronic equipment and electronic equipment, the protection circuit includes an anti reverse circuit, anti reverse circuit comprises a diode and a first resistor MOS, the source of MOS is connected with the end of the first resistor, the two common end as an output circuit of the first counter connected with the first end of the load, the MOS gate and the first resistor is connected to the second end of the end of two, the public as the second anti reverse circuit second and the output end of the load end connection. The anti reverse circuit is realized by MOS to prevent reverse connection, so that when the electronic device is connected with the power supply, the load of the electronic equipment is protected, so that the electronic equipment is safer in use. Compared with diodes, MOS has less power consumption and lower MOS price, thus reducing the cost of electronic devices.

【技术实现步骤摘要】
一种电子设备的保护电路及电子设备
本技术涉及电子
，特别是涉及一种电子设备的保护电路及电子设备。
技术介绍
直流输入的电子设备的电源接口通常设计为通用DC接口，该接口有极性之分，且对输入电压通常有一定限制要求，但在使用过程中可能由于选错适配器或电源正负极接反而导致电子设备烧毁。因此，一般的电子设备中都包含保护电路，保护电路的作用是防止直流电源反接导致电子设备烧毁。现有技术中，保护电路通常为包括两部分，前端为保险丝，后端为包含二极管的电路防反接电路。工作原理为：直流电源输入首先通过保险丝对输入电流进行限制，然后利用二极管的单向导通性来预防电源反接可能带来的危害。虽然，现有技术中的保护电路能够起到防反接的作用，但是，由于电路中包含有二极管，在防反接过程中，二极管的单向导通特性比较适应于高压低电流电路，但在低压大电流中，二极管的耗散功率较大，导致整个保护电路的耗散功率也较大。由此可见，在实现保护电子设备的过程中，如何降低保护电路的耗散功率是本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种电子设备的保护电路及电子设备，用于在实现保护电子设备的过程中，如何降低保护电路的耗散功率。为解决上述技术问题，本技术提供一种电子设备的保护电路，包括防反接电路，所述防反接电路包括带有体二极管的MOS和第一电阻，所述MOS的源极与所述第一电阻的第一端连接，二者的公共端作为所述防反接电路的第一输出端与负载的第一端连接，所述MOS的栅极与所述第一电阻的第二端连接，二者的公共端作为所述防反接电路的第二输出端与所述负载的第二端连接。优选地，还包括保险丝，所述保险丝设置于所述防反接电路的前端。优选地，所述防反接电路还包括第二电阻，所述第二电阻的第一端与所述MOS的栅极和所述第一电阻的第二端连接，所述第二电阻的第二端作为所述第二输出端与所述负载的第二端连接。优选地，还包括设置于所述防反接电路与所述负载之间的过压检测电路和用于在所述过压检测电路输出过压信号时告警的过压告警电路，所述过压检测电路包括第三电阻、第四电阻、第十电阻、第一PNP三极管和稳压二极管；其中，所述第三电阻的第一端与所述第十电阻的第一端和所述第一输出端连接，所述第三电阻的第二端与所述第四电阻的第一端和所述稳压二极管的阴极连接，所述稳压二极管的阳极与所述负载的第二端连接，所述第四电阻的第二端与所述第一PNP三极管的基极连接，所述第一PNP三极管的发射极与所述第十电阻的第二端连接，所述第一PNP三极管的集电极与所述过压告警电路连接，所述第十电阻的第一端还与所述负载的第一端连接。优选地，所述过压告警电路具体包括第十一电阻，第十二电阻，第十三电阻，带有体二极管的第一NMOS和告警提示器件；其中，所述第十三电阻的第一端和所述第十一电阻的第一端与所述第一PNP三极管的集电极连接，所述第十三电阻的第二端与所述第十二电阻的第一端和所述第一NMOS的栅极连接，所述第一NMOS的源极与所述第十二电阻的第二端连接，并与所述负载的第二输出端连接，所述第十一电阻的第二端与所述告警提示器件的第一端连接，所述告警提示器件的第二端与所述第一NMOS的漏极连接。优选地，所述告警提示器件为LED或蜂鸣器。优选地，还包括与所述过压检测电路并联的软开关与过压保护电路，所述软开关与过压保护电路包括第五电阻，第六电阻，第七电阻，第八电阻，第九电阻，第二NMOS和第二PNP三极管；其中，所述第五电阻的第一端与所述第十电阻的第一端和所述第九电阻的第一端连接，所述第五电阻的第二端与所述第六电阻的第一端和所述第二NMOS的漏极连接，所述第六电阻的第二端与所述第二PNP三极管的基极连接，所述第二PNP三极管的发射极与所述第九电阻的第二端连接，所述第二PNP三极管的集电极与所述第一PNP三极管的发射极连接，所述第二NMOS的栅极与所述第八电阻的第一端连接，所述第二NMOS的源极与所述第八电阻的第二端连接，并与所述负载的第二端连接，所述第七电阻的第一端与所述第二PNP三极管的集电极和所述负载的第一端连接，所述第七电阻的第二端与所述负载的第二端连接，所述第二NMOS的栅极还与输出高电平信号和低电平信号的外部设备连接。优选地，所述软开关与过压保护电路还包括带有体二极管的PMOS，所述PMOS的源极与所述第九电阻的第一端连接，所述PMOS的漏极与所述负载的第一端连接，所述PMOS的栅极与所述第七电阻的第一端连接。优选地，所述软开关与过压保护电路还包括二极管，所述二极管的阳极与所述第一PNP三极管的集电极连接，所述二极管的阴极与所述第二PNP三极管的集电极连接。为解决上述技术问题，本技术还提供一种电子设备，包括负载，还包括上述所述的保护电路。本技术所提供的电子设备的保护电路及电子设备，保护电路包括防反接电路，防反接电路包括带有体二极管的MOS和第一电阻，MOS的源极与第一电阻的第一端连接，二者的公共端作为防反接电路的第一输出端与负载的第一端连接，MOS的栅极与第一电阻的第二端连接，二者的公共端作为防反接电路的第二输出端与负载的第二端连接。该防反接电路通过MOS实现防反接，使得在电子设备在与电源连接时，对电子设备的负载起到保护作用，从而使得电子设备在使用过程中更加安全。相比于二极管来说，MOS的功耗较小，并且MOS的价格也较低廉，从而降低电子设备的成本。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例，下面将对实施例中所需要使用的附图做简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的一种电子设备的保护电路图；图2为本技术实施例提供的另一种电子设备的保护电路图；图3为本技术实施例提供的一种电子设备的保护电路图；图4为本技术实施例提供的另一种电子设备的保护电路图；图5为本技术实施例提供的另一种电子设备的保护电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护范围。本技术的核心是提供一种电子设备的保护电路及电子设备，使得在电子设备在与电源连接时，对电子设备的负载(各个芯片和器件)起到保护作用，从而使得电子设备在使用过程中更加安全。为了使本
的人员更好地理解本技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步的详细说明。图1为本技术实施例提供的一种电子设备的保护电路图。图2为本技术实施例提供的另一种电子设备的保护电路图。如图1或图2所示，保护电路包括防反接电路10包括第一电阻R1和带有体二极管的MOS，图中用Q1表示，其中图1为NMOS，图2为PMOS。Q1的源极S与R1的第一端连接，二者的公共端作为防反接电路10的第一输出端与负载的第一端连接，Q1的栅极G与R1的第二端连接，二者的公共端作为防反接电路10的第二输出端与负载的第二端连接。可以理解的是，Q1可以为NMOS，如图1所示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子设备的保护电路，其特征在于，包括防反接电路，所述防反接电路包括带有体二极管的MOS和第一电阻，所述MOS的源极与所述第一电阻的第一端连接，二者的公共端作为所述防反接电路的第一输出端与负载的第一端连接，所述MOS的栅极与所述第一电阻的第二端连接，二者的公共端作为所述防反接电路的第二输出端与所述负载的第二端连接。

【技术特征摘要】
1.一种电子设备的保护电路，其特征在于，包括防反接电路，所述防反接电路包括带有体二极管的MOS和第一电阻，所述MOS的源极与所述第一电阻的第一端连接，二者的公共端作为所述防反接电路的第一输出端与负载的第一端连接，所述MOS的栅极与所述第一电阻的第二端连接，二者的公共端作为所述防反接电路的第二输出端与所述负载的第二端连接。2.根据权利要求1所述的电子设备的保护电路，其特征在于，还包括保险丝，所述保险丝设置于所述防反接电路的前端。3.根据权利要求2所述的电子设备的保护电路，其特征在于，所述防反接电路还包括第二电阻，所述第二电阻的第一端与所述MOS的栅极和所述第一电阻的第二端连接，所述第二电阻的第二端作为所述第二输出端与所述负载的第二端连接。4.根据权利要求1至3任意一项所述的电子设备的保护电路，其特征在于，还包括设置于所述防反接电路与所述负载之间的过压检测电路和用于在所述过压检测电路输出过压信号时告警的过压告警电路，所述过压检测电路包括第三电阻、第四电阻、第十电阻、第一PNP三极管和稳压二极管；其中，所述第三电阻的第一端与所述第十电阻的第一端和所述第一输出端连接，所述第三电阻的第二端与所述第四电阻的第一端和所述稳压二极管的阴极连接，所述稳压二极管的阳极与所述负载的第二端连接，所述第四电阻的第二端与所述第一PNP三极管的基极连接，所述第一PNP三极管的发射极与所述第十电阻的第二端连接，所述第一PNP三极管的集电极与所述过压告警电路连接，所述第十电阻的第一端还与所述负载的第一端连接。5.根据权利要求4所述的电子设备的保护电路，其特征在于，所述过压告警电路具体包括第十一电阻，第十二电阻，第十三电阻，带有体二极管的第一NMOS和告警提示器件；其中，所述第十三电阻的第一端和所述第十一电阻的第一端与所述第一PNP三极管的集电极连接，所述第十三电阻的第二端与所述第十二电阻的第一端和所述第一NMOS的栅极连接，所述第一NMOS的源...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹雷，王德刚，向良军，
申请(专利权)人：湖南基石通信技术有限公司，
类型：新型
国别省市：湖南,43