【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有集成互连结构的电子封装件及其制造方法
本专利技术的实施例总体上涉及半导体器件封装件或电子封装件，并且更具体地，涉及一种电子封装件，其包括由绝缘材料形成的集成互连结构，该绝缘材料被金属化以包括一个或多个电迹线，该电迹线延伸穿过电子封装件的主体，以将裸片(die)上的接触焊盘电连接到电子封装件相对侧的接触端子。
技术介绍
现有技术的电子封装涵盖从引线键合模块到倒装芯片模块和到嵌入式芯片模块的许多各种不同的方法、结构和方式。引线键合模块是一种成熟的封装方式，其成本低廉但电气性能有限。这些模块使用键合到芯片焊盘的引线将功率器件的顶部I/O焊盘连接到互连结构，例如陶瓷、氮化铝(AlN)或碳化硅(SiC)基板等顶部和底部带有图案化金属的金属-绝缘体-金属基板。引线键合具有固有的高电感，通常较高的串联电阻，在键合焊盘上的电流集聚以及键合位置附近的半导体器件内部的微裂纹。在图1中示出了现有技术的引线键合电子封装件10的示例性结构，其中两个功率半导体器件12使用裸片附接材料16安装到引线框14上。引线框14的部分延伸超出模制树脂2...
【技术保护点】
1.一种电子封装件，包括：/n绝缘基板；/n电子部件，具有耦接至所述绝缘基板的第一表面的背表面；/n绝缘结构，围绕所述电子部件的周边的至少一部分；/n第一布线层，从所述绝缘基板的所述第一表面起并且在所述绝缘结构的倾斜侧面上延伸，以与所述电子部件的有源表面上的至少一个接触焊盘电耦接；以及/n第二布线层，形成在所述绝缘基板的第二表面上并且延伸穿过所述绝缘基板内的至少一个通孔，以与所述第一布线层电耦接。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170803 US 15/668,4681.一种电子封装件，包括：
绝缘基板；
电子部件，具有耦接至所述绝缘基板的第一表面的背表面；
绝缘结构，围绕所述电子部件的周边的至少一部分；
第一布线层，从所述绝缘基板的所述第一表面起并且在所述绝缘结构的倾斜侧面上延伸，以与所述电子部件的有源表面上的至少一个接触焊盘电耦接；以及
第二布线层，形成在所述绝缘基板的第二表面上并且延伸穿过所述绝缘基板内的至少一个通孔，以与所述第一布线层电耦接。
2.根据权利要求1所述的电子封装件，其中，所述绝缘结构完全围绕所述电子部件的周边并且覆盖所述电子部件的所述有源表面的至少一部分。
3.根据权利要求1所述的电子封装件，还包括绝缘材料，所述绝缘材料形成在所述绝缘基板的一部分上并且围绕所述第一布线层和所述绝缘结构。
4.根据权利要求3所述的电子封装件，其中，所述电子部件和所述绝缘材料位于所述绝缘基板与另一绝缘基板之间。
5.根据权利要求1所述的电子封装件，其中，所述第一布线层包括：电耦接至所述电子部件的所述至少一个接触焊盘中的多个接触焊盘的多个电迹线。
6.根据权利要求5所述的电子封装件，其中，所述第二布线层包括：
第一电迹线，延伸穿过所述绝缘基板中的第一通孔，以与所述多个电迹线中的第一电迹线电耦接；以及
第二电迹线，延伸穿过所述绝缘基板中的第二通孔，以与所述多个电迹线中的第二电迹线电耦接。
7.根据权利要求6所述的电子封装件，其中，所述第二电迹线穿过所述绝缘基板中的第三通孔而电耦接至所述电子部件的所述背表面。
8.根据权利要求1所述的电子封装件，其中，所述第一布线层延伸穿过所述绝缘结构中的至少一个通孔，以与所述电子部件的所述至少一个接触焊盘电耦接。
9.根据权利要求1所述的电子封装件，还包括：
接合层，涂布到所述第一布线层和所述绝缘结构的暴露表面；以及
导热结构，具有耦接至所述接合层的第一表面。
10.根据权利要求1所述的电子封装件，还包括无源部件，所述无源部件通过所述第一布线层电耦接到所述电子部件。
11.一种制造电子封装件的方法，包括：
将电子部件的背表面耦接到绝缘基板的第一表面；
围绕所述电子部件的周边的至少一部分形成绝缘结构；
在所述绝缘基板的所述第一表面的部分上并且经由所述绝缘结构的倾斜侧面形成第...
【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯托夫·詹姆斯·卡普斯塔，雷蒙·阿尔贝特·菲利翁，里斯托·埃尔卡·萨卡里·图奥米宁，考斯图博·拉温德拉·纳加卡尔，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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