【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在交叉点存储器阵列中的自我对准存储器层板交叉参考本专利申请案主张2017年7月26日申请的皮罗瓦诺(Pirovano)等人的标题为“在交叉点存储器阵列中的自我对准存储器层板(Self-AlignedMemoryDecksinCross-PointMemoryArrays)”的第15/660,829号美国专利申请案的优先权，所述申请案指派给其受让人，并且特此以全文引用的方式明确地并入本文中。
技术介绍
以下大体上涉及多层存储器阵列且更特定来说，涉及在交叉点存储器阵列中的自我对准存储器层板，其中N个存储器层板可使用N+1个图案化及蚀刻操作。存储器装置广泛用于将信息存储于各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者)中。通过编程存储器装置的不同状态而存储信息。举例来说，二进制装置具有两个状态，所述两个状态通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它系统中，可存储两个以上状态。为了存取经存储信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的经存储状态。为了存储信息，电子装置的组件可在存储器装置中写入或编程状态。存在多个...
【技术保护点】
1.一种制造电子装置的方法，其包括：/n在衬底上形成第一电极层及所述第一电极层上的第一自我选择存储器堆叠；/n在第一蚀刻操作中，蚀刻所述第一电极层及所述第一自我选择存储器堆叠以在所述衬底上形成在第一方向上延伸的第一组行，所述第一组行中的每一行包括所述第一电极层及所述第一自我选择存储器堆叠的剩余部分；/n在所述第一组行上形成第二电极层及第二自我选择存储器堆叠；/n在第二蚀刻操作中，蚀刻所述第二电极层及所述第二自我选择存储器堆叠以在所述第一组行上形成在第二方向上延伸的第一组列，所述第一组列中的每一列包括所述第二电极层及所述第二自我选择存储器堆叠的剩余部分；及/n在所述第二蚀刻操...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170726 US 15/660,8291.一种制造电子装置的方法，其包括：
在衬底上形成第一电极层及所述第一电极层上的第一自我选择存储器堆叠；
在第一蚀刻操作中，蚀刻所述第一电极层及所述第一自我选择存储器堆叠以在所述衬底上形成在第一方向上延伸的第一组行，所述第一组行中的每一行包括所述第一电极层及所述第一自我选择存储器堆叠的剩余部分；
在所述第一组行上形成第二电极层及第二自我选择存储器堆叠；
在第二蚀刻操作中，蚀刻所述第二电极层及所述第二自我选择存储器堆叠以在所述第一组行上形成在第二方向上延伸的第一组列，所述第一组列中的每一列包括所述第二电极层及所述第二自我选择存储器堆叠的剩余部分；及
在所述第二蚀刻操作中，蚀刻定位于所述第一组列的邻近列之间的所述第一组行的部分以形成第一组存储器单元。
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在所述第一组列上形成第三电极层；
在第三蚀刻操作中蚀刻所述第三电极层以在所述第一组列上形成在所述第一方向上延伸的第二组行，所述第二组行中的每一行包括所述第三电极层；及
在所述第三蚀刻操作中蚀刻定位于所述第二组行的邻近行之间的所述第一组列的部分以形成第二组存储器单元。
3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在所述第一组列上形成第三电极层及第三自我选择存储器堆叠；
在第三蚀刻操作中，蚀刻所述第三电极层及所述第三自我选择存储器堆叠以在所述第一组列上形成在所述第一方向上延伸的第二组行，所述第二组行中的每一行包括所述第三电极层及所述第三自我选择存储器堆叠；及
在所述第三蚀刻操作中，蚀刻定位于所述第一组列的邻近列之间的所述第二组行的部分以形成第二组存储器单元。
4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：
在所述第二组行上形成第四电极层；
在第四蚀刻操作中蚀刻所述第四电极层以在所述第二组行上形成在所述第二方向上延伸的第二组列，所述第二组列中的每一列包括所述第四电极层；及
在所述第四蚀刻操作中，蚀刻定位于所述第二组列的邻近列之间的所述第二组行的部分以形成第三组存储器单元。
5.根据权利要求1所述的方法，其中每一自我选择存储器堆叠包括在硫属化物玻璃层下方且与所述硫属化物玻璃层接触的第一阻挡材料层及在所述硫属化物玻璃层上方且与所述硫属化物玻璃层接触的第二阻挡材料层。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第二蚀刻操作包括：
蚀刻穿过所述第二自我选择存储器堆叠且穿过在所述第一组列的邻近列下方及之间的所述第一自我选择存储器堆叠的部分；
检测已在所述第二蚀刻操作中到达与第一硫属化物玻璃层接触的所述第一阻挡材料层，所述第一自我选择存储器堆叠包括所述第一硫属化物玻璃层；及
停止所述第二蚀刻操作。
7.根据权利要求5所述的方法，其中所述第二蚀刻操作包括：
蚀刻穿过所述第二自我选择存储器堆叠且穿过在所述第一组列的邻近列下方及之间的所述第一自我选择存储器堆叠的部分；
检测已在所述第二蚀刻操作中到达与第一硫属化物玻璃层接触的所述第二阻挡材料层，所述第一自我选择存储器堆叠包括所述第一硫属化物玻璃层；及
停止所述第二蚀刻操作。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一组列中的每一列的宽度是与定位于所述第一组列中的每一列下方的每一相应存储器元件的宽度相同的宽度。
9.根据权利要求8所述的方法，其中每一列的所述宽度是与每一行的宽度相同的宽度。
10.根据权利要求8所述的方法，其中每一列的所述宽度是与每一行的所述宽度不同的宽度。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二电极层针对定位于所述第一组列中的每一列下方的所述第一组存储器单元的存储器单元的列形成上存取线，且针对使用所述第二自我选择存储器堆叠形成的第二组存储器单元的第二列形成下存取线。
12.根据权利要求11所述的方法，其中在单个沉积工艺中形成第二电极且在作为所述第二蚀刻操作的部分的单个蚀刻工艺中蚀刻所述第二电极。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一自我选择存储器堆叠包括用于选择及存储两者的第一硫属化物玻璃层且所述第二自我选择存储器堆叠包括用于选择及存储两者的第二硫属化物玻璃层。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一蚀刻操作暴露所述第一自我选择存储器堆叠的侧壁且所述第二蚀刻操作暴露所述第二自我选择存储器堆叠的侧壁，所述方法进一步包括：
形成与所述第一自我选择存储器堆叠的所述侧壁接触的第一密封层，所述第一密封层经配置以维持所述第一硫属化物玻璃层的化学组合物；及
形成与所述第二自我选择存储器堆叠的所述侧壁接触的第二密封层，所述第二密封层经配置以维持所述第二硫属化物玻璃层的化学组合物。
15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：
在形成所述第一密封层之后在所述第一组行的行之间沉积电介质材料；及
在形成所述第二密封层之后在所述第一组列的列之间沉积所述电介质材料。
16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括：
在第一温度下形成所述第一密封层及所述第二密封层；及
在大于所述第一温度的第二温度下沉积所述电介质材料。
17.一种存储器装置，其包括：
第一存储器单元阵列，所述存储器单元各自包括第一自我选择存储器元件，所述第一存储器单...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·皮罗瓦诺，F·佩里兹，A·M·孔蒂，A·雷达埃利，I·托尔托雷利，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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