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本发明提供一种多层存储器装置，其具有具备自我选择存储器单元的多个存储器层板的阵列，其中可使用N+1个掩模操作制造N个存储器层板。所述多个存储器层板可为自我对准的且可针对多个存储器层板同时执行某些制造操作。举例来说，可在单个掩模操作中执行图案...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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