一种多颗粒封装DRAM芯片的ZQ校准电路和方法技术

本发明专利技术公开了一种多颗粒封装DRAM芯片的ZQ校准电路和方法，该方法包括：在对DRAM芯片上电初始化时，使用交叠的方法来对DRAM芯片内部多个颗粒进行依次校准；在芯片正常工作期间，采用多颗粒交替进行校准，使得每个颗粒均能够被校准。该方法即保证了芯片内各颗粒内部电阻在上电后拥有一次完整的校准机会，具备了比较准确的电阻值，也避免了提高校准电路工作频率引入的额外功耗。

ZQ calibration circuit and method of DRAM chip

【技术实现步骤摘要】
一种多颗粒封装DRAM芯片的ZQ校准电路和方法
本专利技术涉及半导体器件领域，具体涉及一种多颗粒封装DRAM芯片的ZQ校准电路和方法。
技术介绍
在DRAM芯片当中，DRAM芯片接口有两方面的接口信号电路：有用于向外驱动输出信号的离线驱动器(OCDOffChipDriver)，和在接收信号时用于实现终端阻抗匹配的终端匹配电路(ODTOn-dietermination)。离线驱动器OCD的作用是调整输出信号的高低电平，以及通过内部上拉和下拉电阻的调整，来改变输出DQ/DQS(DRAM芯片输入输出数据的相关引脚，具体在JEDEC标准中有定义，JEDEC：JointElectronDeviceEngineeringCouncil,电子器件工程联合委员会)信号的翻转斜率等信号参数，以确保输出信号的完整和可靠性。而终端匹配ODT的作用也是通过调整内部的匹配电阻值，实现对输入信号上的反射的吸收和信号的匹配优化，最终得到最可靠的信号质量。但由于电阻值受环境因素的影响，在不同的温度下，阻值可能会发生偏移，从而会带来阻值漂移导致信号质量发生偏移的风险。因本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多颗粒封装DRAM芯片的ZQ校准方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤S1，初始化校准：上电初始化阶段所有颗粒通过交叠的方式进行ZQ校准操作；/n步骤S2，工作期间校准：正常工作阶段所有颗粒通过交替的方式进行ZQ校准操作。/n

【技术特征摘要】
1.一种多颗粒封装DRAM芯片的ZQ校准方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1，初始化校准：上电初始化阶段所有颗粒通过交叠的方式进行ZQ校准操作；
步骤S2，工作期间校准：正常工作阶段所有颗粒通过交替的方式进行ZQ校准操作。


2.根据权利要求1所述的多颗粒封装DRAM芯片的ZQ校准方法，其特征在于，
所述步骤S1完成后通过ZQ使能信号的选择和切换进行步骤S2。


3.根据权利要求1所述的多颗粒封装DRAM芯片的ZQ校准方法，其特征在于，
所述步骤S1，初始化校准为：
上电初始化阶段以交叠的方式依次输出各颗粒对应的ZQ使能信号，使DRAM芯片内部ZQ校准按照交叠的方式进行并完成。


4.根据权利要求1所述的多颗粒封装DRAM芯片的ZQ校准方法，其特征在于，
所述步骤S2，工作期间校准为：
正常工作阶段以交替的方式依次产生各颗粒的ZQ使能信号，使DRAM芯片内部ZQ校准按照交叠的方式，对每个颗粒进行依次轮询使能。


5.根据权利要求4所述的多颗粒封装DRAM芯片的ZQ校准方法，其特征在于，
所述对每个颗粒进行依次轮询使能为：
在每次外部发起ZQCMD校准指令时，芯片内部只有一个颗粒做ZQ校准工作，并且在每个ZQCMD校准指令下，依次在各颗粒之间轮询的进行校准工作。


6.根据权利要求1-5任一所述的多颗粒封装DRAM芯片的ZQ校准方法，其特征在于，
所述各颗粒之间轮询的方式为依次顺序进行或随机进行。


7.根据权利要求6任一所述的多颗粒封装DRAM芯片的ZQ校准方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王小光，马泽希，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61