半导体封装体制造技术

一种半导体封装体，包括一基底及位于基底上的半导体晶圆。一散热特征部件覆盖基底及半导体晶圆，且复合热界面材料(thermal interface material,TIM)结构热接合于半导体晶圆与散热特征部件之间。复合TIM结构包括含金属的基材层及埋入含金属的基材层内的高分子颗粒。

Semiconductor package

【技术实现步骤摘要】
半导体封装体
本专利技术实施例涉及一种半导体封装技术，且特别涉及一种半导体封装体及其制造方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业经历了快速地增长。IC材料及设计的技术演进已经产生了几世代的IC，其中每一世代都具有比上一世代更小更复杂的电路。近来对小型电子装置的需求也在增长，因此已增加对于使用于半导体芯片的更小和更有创意的封装技术的需求。拜技术发展所赐，微电子装置的封装密度增加，制造商不断缩小微电子装置的尺寸，以满足对小型电子装置日益增长的需求。现代微电子装置的另一趋势是增加更高功耗的电路的使用。为了适应更密集封装具有更高功耗的微电子装置，需要提高集成电路封装的散热性能。在集成电路的封装中，可将一或多个半导体芯片接合至散热片(heatspreader)(有时称作散热鳍片(heatsink))，以进行散热。然而，散热为半导体封装中的挑战。瓶颈在于妨碍半导体封装体的内部芯片所产生的热量的有效消散。
技术实现思路
一种半导体封装体包括：一基底；一半导体芯片，位于基底上；一散热特征部件，位于基底上方并覆盖半导体芯片；以及一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装体，包括：/n一基底；/n一半导体芯片，位于该基底上；/n一散热特征部件，位于该基底上方并覆盖该半导体芯片；以及/n一复合热界面材料结构，热性接合于该半导体芯片与该散热特征部件之间，其中该复合热界面材料结构包括：/n一含金属的基材层；以及/n多个高分子颗粒，埋入含金属的基材层内。/n

【技术特征摘要】
20180919 US 62/733,151;20190522 US 16/419,6721.一种半导体封装体，包括：
一基底；
一半导体芯片，位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵栋梁，王仁佑，吴仲融，董志航，余振华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71