制造半导体元件的方法技术

提供了一种制造半导体元件的方法。该方法包含在半导体基板上形成第一金属层，以及在该第一金属层上形成第一层。蚀刻该第一层和该第一金属层以暴露该第一层的侧壁和该第一金属层的侧壁，其中蚀刻剥离该第一金属层的一部分以在该第一层的侧壁或该第一金属层的侧壁中的至少一者上产生材料积聚。使用包含氟的蚀刻剂蚀刻掉该积聚中的至少一些积聚。

Methods of manufacturing semiconductor components

【技术实现步骤摘要】
制造半导体元件的方法
本揭露是关于一种制造半导体元件的方法。
技术介绍
在半导体制造期间，使用不同的技术来移除在半导体元件构建中使用的层或层的部分。一种移除层或层的部分的技术是蚀刻。蚀刻是将蚀刻剂(诸如液体化学品)施加到待移除的层或层的部分的过程。通常移除层或层的部分以暴露下面的层或特征或以在所述层中限定特定图案。蚀刻剂施加至的层或层的部分具有相对于蚀刻剂的特定蚀刻选择性，使得层或层的部分被蚀刻剂移除或蚀刻掉。该层的不欲移除的其他部分通常被光阻剂或硬掩模覆盖，该光阻剂或硬掩模对蚀刻剂不敏感或者对蚀刻剂敏感程度较小。因此，通过光阻剂或硬掩模保护该层的不欲移除的部分免受蚀刻剂的影响。一旦蚀刻掉该层或该层的部分，就移除光阻剂或硬掩模以露出图案化层或该层的未被蚀刻剂蚀刻掉的剩余部分。
技术实现思路
在一些实施例中，制造半导体元件的方法包含在半导体基板上形成第一金属层。在一些实施例中，该方法包含在第一金属层上形成第一层。在一些实施例中，该方法包含蚀刻第一层和第一金属层以暴露第一层的侧壁和第一金属层的侧壁，其中蚀刻剥离第一金属层的一部分本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包含：/n在一半导体基板上形成一第一金属层；/n在该第一金属层上形成一第一层；/n蚀刻该第一层和该第一金属层以暴露该第一层的一侧壁和该第一金属层的一侧壁，其中该蚀刻剥离该第一金属层的一部分以在该第一层的该侧壁或该第一金属层的该侧壁中的至少一者上产生一材料积聚；以及/n使用一包含氟的蚀刻剂蚀刻该积聚以移除该积聚中的至少一些积聚。/n

【技术特征摘要】
20180831 US 62/726,090;20190701 US 16/458,6161.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包含：
在一半导体基板上形成一第一金属层；
在该第一金属层上形成一第一层；
蚀刻该第一层和该第一金属层以暴露该第一层的一侧壁和该第一金属层的一侧壁，其中该蚀刻剥离该第一金属层的一部分以在该第一层的该侧壁或该第一金属层的该侧壁中的至少一者上产生一材料积聚；以及
使用一包含氟的蚀刻剂蚀刻该积聚以移除该积聚中的至少一些积聚。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一金属层包含氮化钽或氮化钛。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该第一金属层包含在一蚀刻终止层上形成该第一金属层。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一层是一第二金属层，该第二金属层的组成不同于该第一金属层的组成。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包含在该第二金属层上形成一第三金属层，其中：
形成该第一层包含将该第二金属层形成为与该第一金属层接触，以及
形成该第三金属层包含形成该第三金属层以与该第二金属层接触。


6.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包含：
在一半导体基板上形成多...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晏宏，林业骞，张晋淮，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71