温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供了一种制造半导体元件的方法。该方法包含在半导体基板上形成第一金属层，以及在该第一金属层上形成第一层。蚀刻该第一层和该第一金属层以暴露该第一层的侧壁和该第一金属层的侧壁，其中蚀刻剥离该第一金属层的一部分以在该第一层的侧壁或该第一金属层的侧...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。