注入装置、三维存储器的制备装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种注入装置、三维存储器的制备装置及方法。注入装置包括依次设置的至少一个分流器，每个所述分流器中均设有通孔，所述注入装置包括入口以及与所述入口相对设置的出口，在所述入口到所述出口的方向上，所述通孔的数量逐渐增加。本发明专利技术解决了对形成有沟道孔的晶圆结构进行冷却，然而冷却过程需要较长的时间，导致三维存储器的制备工作效率低，产率较低的技术问题。

Injection device, three-dimensional memory preparation device and method

【技术实现步骤摘要】
注入装置、三维存储器的制备装置及方法
本专利技术涉及半导体器件
，特别涉及一种注入装置、三维存储器的制备装置及方法。
技术介绍
电荷俘获型三维存储器(CTM)由于高存储密度，高稳定性和成熟的制备工艺而成为存储器闪存(flash)主流结构。三维存储器的沟道孔内在外延结构之前，需要对形成有沟道孔的晶圆结构进行冷却，然而冷却过程需要较长的时间，导致三维存储器的制备工作效率低，产率较低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种注入装置、三维存储器的制备装置及方法，以解决对形成有沟道孔的晶圆结构进行冷却，然而冷却过程需要较长的时间，导致三维存储器的制备工作效率低，产率较低的技术问题。本专利技术提供一种注入装置，包括：依次设置的至少一个分流器，每个所述分流器中均设有通孔，所述注入装置包括入口以及与所述入口相对设置的出口，在所述入口到所述出口的方向上，所述通孔的数量逐渐增加。其中，所述至少一个分流器形成环形结构，且所述环形结构为多层。其中，所述至少一个分流器为环形分流器。>其中，当所述分流器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种注入装置，其特征在于，包括：依次设置的至少一个分流器，每个所述分流器中均设有通孔，所述注入装置包括入口以及与所述入口相对设置的出口，在所述入口到所述出口的方向上，所述通孔的数量逐渐增加。/n

【技术特征摘要】
1.一种注入装置，其特征在于，包括：依次设置的至少一个分流器，每个所述分流器中均设有通孔，所述注入装置包括入口以及与所述入口相对设置的出口，在所述入口到所述出口的方向上，所述通孔的数量逐渐增加。


2.根据权利要求1所述的注入装置，其特征在于，所述至少一个分流器形成环形结构，且所述环形结构为多层。


3.根据权利要求1所述的注入装置，其特征在于，所述至少一个分流器为环形分流器。


4.根据权利要求1所述的注入装置，其特征在于，当所述分流器的数目大于或等于两个时，至少两个所述分流器上的通孔错位设置。


5.根据权利要求1所述的注入装置，其特征在于，在所述入口到出口的方向上，所述至少一个分流器的通孔的孔径逐渐减小。


6.一种三维存储器的制备装置，其特征在于，包括晶舟和如权利要求1-5任一项所述的注入装置，所述至少一个分流器与所述晶舟依次设置，且所述晶舟靠近所述注入装置的出口，所述晶舟用于承载所述三维存储器的晶圆结构。


7.一种应用如权利要求6所述的制备装置制备三维存储器的方法，其特征在于，包括：
提供依次设置的至少一个分流器与晶舟，其中，所述晶舟靠近所述注入装置的出口，所述晶舟内承载有多个晶圆结构，每个所述晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱宇渊，张珍珍，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42