蚀刻装置用环形部件及使用其的基板的蚀刻方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种蚀刻装置用环形部件及使用其的基板的蚀刻方法，包括：主体，由主体顶面、主体底面、主体外径面及主体内径面围成，主体顶面和主体底面隔开规定间隔，主体外径面为将主体顶面的外侧轮廓线和主体底面的外侧轮廓线相连接的面，主体内径面与主体顶面的内侧轮廓线相连接且包围主体的一部分或全部；及安置部，由安置部顶面、安置部底面及安置部内径面围成，安置部顶面的外径直接连接到主体内径面且安置部顶面位于低于主体顶面的位置，安置部底面与安置部顶面隔开规定间隔且与主体底面连接，安置部内径面为将安置部顶面的内侧轮廓线和安置部底面的内侧轮廓线相连接的面。

Ring parts for etching device and etching method of substrate using them

【技术实现步骤摘要】
蚀刻装置用环形部件及使用其的基板的蚀刻方法
本专利技术涉及一种蚀刻装置用环形部件及使用其的基板的蚀刻方法。
技术介绍
在等离子体处理装置中，上电极和下电极配置在腔室中，如半导体晶片或玻璃基板等的基板安装在下电极上，在两个电极之间施加电力。被两个电极之间的电场加速的电子、从电极发射的电子或加热的电子与载气的分子碰撞，从而产生载气的等离子体。等离子体中的如自由基或离子等活性物质在基板表面上进行所需的微加工，例如蚀刻加工。近来，用于制造微电子器件等的设计规则变得更精细，尤其，等离子体蚀刻需要具有更高的尺寸精度，因此使用与以往相比显著高的电力。在这种等离子体处理装置内装有受等离子体影响的聚焦环。当供向等离子体装置的电力增加时，基于形成驻波的波长效应、电场集中于电极表面中心部的趋肤效应等，大体上在基板上中心部的等离子分布最多，而在边缘部的分布最少，从而等离子体在基板上的分布严重不均匀。而且，若在基板上等离子体分布不均匀，则等离子体处理无法进行到规定程度，导致所制造的微电子器件的质量下降。为了防止或减轻这种不均衡，将聚焦环用于基板的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻装置用环形部件，其特征在于，包括：/n主体，由主体顶面、主体底面、主体外径面及主体内径面围成，上述主体顶面和上述主体底面隔开规定间隔，上述主体外径面为将上述主体顶面的外侧轮廓线和上述主体底面的外侧轮廓线相连接的面，上述主体内径面与上述主体顶面的内侧轮廓线相连接且包围主体的一部分或全部；及/n安置部，由安置部顶面、安置部底面及安置部内径面围成，上述安置部顶面的外径直接连接到上述主体内径面且上述安置部顶面位于低于上述主体顶面的位置，上述安置部底面与上述安置部顶面隔开规定间隔且与上述主体底面连接，上述安置部内径面为将上述安置部顶面的内侧轮廓线和上述安置部底面的内侧轮廓线相连接的面，/n其...

【技术特征摘要】
20180813 KR 10-2018-0094196;20190116 KR 10-2019-001.一种蚀刻装置用环形部件，其特征在于，包括：
主体，由主体顶面、主体底面、主体外径面及主体内径面围成，上述主体顶面和上述主体底面隔开规定间隔，上述主体外径面为将上述主体顶面的外侧轮廓线和上述主体底面的外侧轮廓线相连接的面，上述主体内径面与上述主体顶面的内侧轮廓线相连接且包围主体的一部分或全部；及
安置部，由安置部顶面、安置部底面及安置部内径面围成，上述安置部顶面的外径直接连接到上述主体内径面且上述安置部顶面位于低于上述主体顶面的位置，上述安置部底面与上述安置部顶面隔开规定间隔且与上述主体底面连接，上述安置部内径面为将上述安置部顶面的内侧轮廓线和上述安置部底面的内侧轮廓线相连接的面，
其中，上述主体顶面与上述安置部顶面之间形成台阶，使得基板能够安置在上述安置部顶面上，
上述环形部件在表面或整体上包含有经碳化硼含有颗粒进行颈缩而成的碳化硼，且在400℃下测量的导热率值在27W/(m*k)以下。


2.根据权利要求1所述的蚀刻装置用环形部件，其特征在于，以上述安置部顶面与上述安置部底面之间的距离为基准，上述主体顶面与上述主体底面之间的距离为所述基准的1.5至3倍。


3.根据权利要求1所述的蚀刻装置用环形部件，其特征在于，对上述主体顶面或上述安置部顶面测得的表面粗糙度为0.1μm至1.2μm。


4.根据权利要求1所述的蚀刻装置用环形部件，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄成植，李在钒，吴浚禄，闵庚烈，金京仁，姜仲根，
申请(专利权)人：SKC索密思株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR