本实施方式涉及层叠体的制造方法及层叠体等，层叠体的制造方法包括：准备步骤，准备处理对象，处理对象是设置有遮光膜的处理前的层叠体，以及碳酸水清洗步骤，通过针对处理对象适用施加紫外线和碳酸水的碳酸水清洗过程来准备清洗过的层叠体；其中，遮光膜...

本实施方式提供一种空白掩模和与其相关的成膜装置，上述空白掩模包括：透光基板，遮光膜，设置在上述透光基板上，以及相移膜，设置在上述透光基板和上述遮光膜之间；上述空白掩模包括：中心测定区域，以上述遮光膜的中心为基准，以及边缘测定区域与上述遮...

本发明涉及空白掩模、光掩模和半导体元件的制造方法。根据本实施方式的空白掩模包括透光基板和设置在所述透光基板上的遮光膜。遮光膜包括第一遮光层和设置在所述第一遮光层上的第二遮光层。第二遮光层包括过渡金属、氧和氮中的至少一者。遮光膜的表面对波...

提供一种空白掩模用层叠体及其制造方法，上述空白掩模用层叠体包括：透光层，以及相移膜，设置在上述透光层上；通过离子色谱法在上述相移膜表面测得的残留离子包含浓度为0ng/cm2以上且0.05ng/cm2以下的硫酸离子、浓度为0ng/cm2以...

本发明涉及一种抛光焊盘及其制造方法。所述抛光焊盘可以包括顶焊盘层和观察块。顶焊盘层可以包括形成在顶焊盘层的上表面上的沟槽图案。可以穿过顶焊盘层形成第一孔。观察块可以插置在第一孔中。顶焊盘层和观察块可以具有与以下公式1一致的结构。公式1在...

本发明涉及一种空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法。根据本发明的一实施例的空白掩模包括透光基板及配置在所述透光基板上的多层遮光膜。多层遮光膜包括过渡金属、氧以及氮中的至少一种。多层遮光膜包括第一遮光膜和配置在所述第一遮光膜上...

本发明涉及一种空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法。根据本发明的一实施例的空白掩模包括透光基板及配置在透光基板的多层遮光膜。多层遮光膜包括第一遮光膜和第二遮光膜。式1中的多层遮光膜的EA值为2nm2以下：[式1]EA＝(BC

本发明涉及半导体工艺用抛光组合物和使用抛光组合物的半导体元件的制备方法，可提供一种制备方法，应用于非晶碳膜的CMP工艺，表现出高抛光率，并防止CMP工艺中的碳残留物再吸附至半导体基板，以及防止抛光垫的污染，并通过稳定化抛光组合物内的加速...

本发明涉及一种抛光垫及半导体器件的制造方法。所述抛光垫，通过在厚度方向上细分的结构设计，能够提供符合针对各种抛光对象的各种抛光目的的物性，并且在使用后的废弃方面，不同于现有的抛光垫，在至少一部分结构应用可再生材料或可回收材料，从而能够确...

本发明提供一种抛光垫，通过厚度方向的细分结构特性设计，可以向各种抛光对象提供适合各种抛光目的的物理特性，关于使用后的报废，与现有抛光垫不同，在至少一部分结构应用再生或可回收的材料，从而可以实现环保性。具体而言，所述抛光垫包括抛光层，所述...

本发明涉及空白掩模、光掩模及半导体元件的制造方法。根据本实施方式的空白掩模包括透光基板和设置在所述透光基板上的遮光膜。遮光膜包括过渡金属、氧和氮中的至少一种。当用波长为193nm的光测量十次遮光膜的光密度时，测得的光密度值的标准偏差小于...

本实施方式涉及一种空白掩模用基板的清洗方法，其包括：第一清洗步骤，通过向待清洗基板照射预处理光来制备已被光清洗的基板，以及第二清洗步骤，通过向已被光清洗的所述基板喷射第一清洗溶液并照射后处理光来制备空白掩模用基板；所述预处理光是具有50...

根据本实施方式的空白掩模，其包括：透光基板；以及配置在所述透光基板上的遮光膜。遮光膜包含过渡金属、氧以及氮中的至少任意一种。用二碘甲烷(Diiodomethane)测量的所述遮光膜的接触角为40

本发明提供一种抛光装置和半导体器件的制造方法，所述抛光装置包括在抛光浆料的供应中能够实现细分化的驱动的浆料供应部，所述浆料供应部的驱动能够实现在所述载体和所述平板的旋转和/或振动运动以及所述载体对所述抛光面的垂直加压条件等的有机关系上最...

本发明提供一种抛光垫及利用其的半导体器件的制造方法，所述抛光垫应用终点检测用窗，所述窗在抛光垫中作为局部异质性部件不对抛光性能造成不利影响，而是能够通过这种窗导致的特定结构反而在缺陷防止等方面提供改善的抛光性能，所述抛光垫包括：抛光层，...

本发明涉及半导体工艺用抛光组合物和半导体器件的制备方法。提供一种包括胺类抛光率增强剂的半导体工艺用抛光组合物，所述半导体工艺用抛光组合物包括抛光颗粒，所述抛光颗粒包括所述胺类抛光率增强剂。所述半导体工艺用抛光组合物在所述抛光颗粒的表面周...

本实施方式涉及空白掩模等，上述空白掩模包括透光基板及位于上述透光基板上的遮光膜。遮光膜包括过渡金属、氧及氮中的至少一种。遮光膜表面包括将上述遮光膜表面横纵三等分切割而形成的九个区域。遮光膜表面具有在上述九个区域中分别测量的Rsk值，上述...

提供一种抛光垫及使用其的半导体器件的制备方法，抛光垫具有能够最大化漏水防止效果的结构特性，包括：抛光层，包括作为抛光面的第一面和作为其背面的第二面，且包括从第一面贯穿至第二面的第一通孔，窗，设置在第一通孔内，和支撑层，设置在抛光层的第二...

本发明涉及空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法，所述空白掩模包括透光基板以及配置在所述透光基板上的遮光膜。遮光膜包含过渡金属、氧以及氮中的至少任意一种。根据下述式1

本发明公开了抛光垫和使用该抛光垫制备半导体器件的方法。具体地公开了一种用于半导体的化学机械平坦化工艺的抛光垫、该抛光垫的制备方法以及使用该抛光垫制备半导体器件的方法。根据一实施方案的抛光垫可以通过包括使用特定成分的固化剂形成的抛光层来实...