半导体装置的形成方法制造方法及图纸

半导体装置的形成方法包括：提供装置，其包括具有金属栅极层的栅极堆叠。装置亦包括位于栅极堆叠的侧壁上的间隔物层，以及与栅极堆叠相邻的源极/漏极结构。方法还包括对金属栅极层进行第一回蚀刻制程，以形成回蚀刻的金属栅极层。在一些实施例中，方法包括沉积金属层于回蚀刻的金属栅极层上。在一些例子中，形成半导体层于金属层与间隔物层上，以提供栅极堆叠与间隔物层上的T形盖层。

Forming method of semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法
本专利技术实施例关于半导体装置，更特别关于T形盖层与其形成方法。
技术介绍
电子产业对更小且更快速的电子装置(同时支援更多复杂功能)的需求持续增加。综上所述，半导体产业中的持续趋势为制作低成本、高效能、与低能耗的集成电路。达到这些远程目标的大部分方法为缩小半导体集成电路尺寸(如最小结构尺寸)，以改善产能并降低相关成本。然而缩小尺寸会增加半导体制程的复杂度。因此为了实现半导体集成电路与装置中的持续进展，半导体制程与技术亦需类似进展。近来导入多栅极装置以增加栅极-通道的耦合、降低关闭状态的电流、并减少短通道效应以改善栅极控制。多栅极装置的一者为鳍状场效晶体管。鳍状场效晶体管的名称来自于自基板凸起的鳍状结构，且鳍状结构用于形成场效晶体管的通道。鳍状场效晶体管可与现有的互补式金属氧化物半导体制程相容，且其三维结构可在大幅缩小尺寸时仍维持栅极控制并缓解短通道效应。然而就算是导入鳍状场效晶体管，大幅缩小集成电路尺寸仍造成寄生电容(比如鳍状场效晶体管栅极与源极/漏极区或源极/漏极接点之间的寄生电容)增加或其他问题，进而劣化装置效本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：/n提供一装置，其包括具有一金属栅极层的一栅极堆叠，位于该栅极堆叠的侧壁上的一间隔物层、以及与该栅极堆叠相邻的一源极/漏极结构；/n对该金属栅极层进行一第一回蚀刻制程，以形成一回蚀刻的金属栅极层；/n沉积一金属层于该回蚀刻的金属栅极层上；以及/n形成一半导体层于该金属层与该间隔物层上，以提供该栅极堆叠与该间隔物层上的一T形盖层。/n

【技术特征摘要】
20180727 US 62/711,298;20190524 US 16/422,5591.一种半导体装置的形成方法，包括：
提供一装置，其包括具有一金属栅极层的一栅极堆叠，位于该栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：江国诚，黄麟淯，苏焕杰，王圣璁，林志昌，游家权，张家豪，林天禄，林佑明，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71