半导体装置的制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置的制造方法，在此方法中，堆叠形成于基材上方。所述堆叠包括多个第一磊晶层和多个第二磊晶层，此些第一磊晶层和此些第二磊晶层彼此交替地堆叠。第一磊晶层包括硫、磷、硒、砷或上述的组合。对堆叠进行第一蚀刻制程，以形成鳍。介电层形成于鳍上方。暴露出鳍的通道区。使用碳氢化合物化学蚀刻法，对鳍的通道区中的第一磊晶层的每一者的第一部分进行第二蚀刻制程。第二蚀刻制程蚀刻第一磊晶层的蚀刻速率高于第二蚀刻制程蚀刻第二磊晶层的蚀刻速率。形成栅极结构，此栅极结构环绕鳍的通道区中的第二磊晶层的每一者的第一部分。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本揭露是有关于一种半导体装置和其制造方法，且特别是有关于一种增加纳米线释出的选择性，以保持纳米线的完整性的半导体装置和其制造方法。
技术介绍
半导体集成电路工业正历经指数型的成长。集成电路材料和设计的技术进步，产出了许多代的集成电路，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在集成电路的演进过程中，功能密度(即每单位晶片面积所内连接的装置数量)逐渐增加，而几何尺寸(即可使用制程制造的最小元件(或线))逐渐减少。一般而言，此尺寸缩减的制程提供产率增加、相关成本减少的优点。然而，此尺寸缩减的制程也增加集成电路加工和制造的复杂度，因此，为了实现此些先进制程，在集成电路的加工和制造上也需要相似程度的发展。例如：引入多栅极装置，通过增加栅极-通道的耦合、减少闭路态电流和减少短通道效应，以改善栅极控制。其中一种多栅极装置为水平环绕式栅极晶体管，其栅极结构环绕由纳米线形成的水平通道区，以从各面提供通路至通道区。水平环绕式栅极晶体管与传统互补式金属氧化物半导体制程相容，使得水平环绕式栅极晶体管的尺寸可大幅降低，但保持栅极控制并减本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：/n形成一堆叠于一基材上方，其中该堆叠包括多个第一磊晶层和多个第二磊晶层，所述多个第一磊晶层和所述多个第二磊晶层彼此交替地堆叠；/n对该堆叠进行一第一蚀刻制程，以形成一鳍；/n形成一介电层于该鳍上方；/n暴露出该鳍的一通道区；/n使用碳氢化合物化学蚀刻法(hydrocarbon etch chemistry)，对该鳍的该通道区中的所述多个第一磊晶层的每一者的一第一部分进行一第二蚀刻制程，其中该第二蚀刻制程蚀刻所述多个第一磊晶层的一蚀刻速率高于该第二蚀刻制程蚀刻所述多个第二磊晶层的一蚀刻速率；以及/n形成一栅极结构，该栅极结构环绕该鳍的该通道区中的...

【技术特征摘要】
20180731 US 62/712,842;20190703 US 16/503,3571.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：
形成一堆叠于一基材上方，其中该堆叠包括多个第一磊晶层和多个第二磊晶层，所述多个第一磊晶层和所述多个第二磊晶层彼此交替地堆叠；
对该堆叠进行一第一蚀刻制程，以形成一鳍；
形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶凌彦，卡罗司·迪亚兹，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71