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一种半导体装置的制造方法，在此方法中，堆叠形成于基材上方。所述堆叠包括多个第一磊晶层和多个第二磊晶层，此些第一磊晶层和此些第二磊晶层彼此交替地堆叠。第一磊晶层包括硫、磷、硒、砷或上述的组合。对堆叠进行第一蚀刻制程，以形成鳍。介电层形成于鳍上...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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