一种变频电源晶体管驱动保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种变频电源晶体管驱动保护电路，涉及变频器技术领域，所述驱动保护电路包含驱动电路，所述驱动电路包含信号隔离电路、退饱和检测电路和输出驱动电路；所述信号隔离电路包含光耦BD，所述光耦BD的阴极连接至第一信号输入端，所述光耦BD的阳极通过电阻R1连接至第二信号输入端，所述光耦BD的发射极连接至晶体管GTR的发射极，所述光耦BD的集电极通过电阻R2与电阻R10的串联连接至VCC。本实用新型专利技术的变频电源晶体管驱动保护电路，能够可靠驱动晶体管，采用光耦的方案起到了隔离和抗干扰的技术效果。

A transistor driving and protecting circuit of variable frequency power supply

【技术实现步骤摘要】
一种变频电源晶体管驱动保护电路
本技术涉及变频器
，具体涉及一种变频电源晶体管驱动保护电路。
技术介绍
作为变频电源逆变电路中的核心部件——大功率开关器件，一般分为三大类型，即双极型、单极型和混合型。双极型有GTO、GIR、SITH等；单极型有功率MOSFET、SIT等；混合型有IG-BT、MGT(MOS门极晶体管)等。这些大功率器件的运行状态及安全性直接决定了变频电源和逆变器性能的优劣，而性能良好的驱动电路又是开关器件安全可靠运行的重要保障。大功率晶体管(GiantTransistoI-GTR)也称巨型晶体管，是三层结构的双极全控型大功率高反压晶体管，它具有关断能力，控制十分方便，并有饱和压降低和比较宽的安全工作区等优点，在许多变流器中得到了应用，而GIR基极驱动电路和性能直接影响着GTR的工作状况，因此有必要设计出一种变频电源晶体管驱动电路，保证开关器件的可靠运行。
技术实现思路
有鉴于现有技术的上述缺陷，本技术的目的就是提供一种变频电源晶体管驱动保护电路，在驱动晶体管的同时实现隔离和过载保护的技术目的。...

【技术保护点】
1.一种变频电源晶体管驱动保护电路，其特征在于，所述驱动保护电路包含驱动电路，所述驱动电路包含信号隔离电路、退饱和检测电路和输出驱动电路；/n所述信号隔离电路包含光耦BD，所述光耦BD的阴极连接至第一信号输入端，所述光耦BD的阳极通过电阻R1连接至第二信号输入端，所述光耦BD的发射极连接至晶体管GTR的发射极，所述光耦BD的集电极通过电阻R2与电阻R10的串联连接至VCC；/n所述退饱和检测电路包含电压比较器A1，三极管VT1，三极管VT2，所述光耦BD的集电极还连接至二极管VD1的正极，所述二极管VD1的负极连接至电压比较器A1的反向输入端，所述电压比较器A1的同相输入端通过电阻R5连接至所...

【技术特征摘要】
1.一种变频电源晶体管驱动保护电路，其特征在于，所述驱动保护电路包含驱动电路，所述驱动电路包含信号隔离电路、退饱和检测电路和输出驱动电路；
所述信号隔离电路包含光耦BD，所述光耦BD的阴极连接至第一信号输入端，所述光耦BD的阳极通过电阻R1连接至第二信号输入端，所述光耦BD的发射极连接至晶体管GTR的发射极，所述光耦BD的集电极通过电阻R2与电阻R10的串联连接至VCC；
所述退饱和检测电路包含电压比较器A1，三极管VT1，三极管VT2，所述光耦BD的集电极还连接至二极管VD1的正极，所述二极管VD1的负极连接至电压比较器A1的反向输入端，所述电压比较器A1的同相输入端通过电阻R5连接至所述光耦BD的发射极，所述电压比较器A1的同相输入端还通过电阻R3和电阻R10的串联连接至VCC；
所述电压比较器A1的输出端连接至三极管VT1的基极，三极管VT1的发射极连接至光耦BD的发射极，所述三极管VT1的集电极通过电容C1连接至光耦BD的集电极，所述三极管VT1的集电极还连接至二极管VD3的负极，所述二极管VD3的正极通过电阻R8与电阻R10的串联连接至VCC，所述三极管VT1的基极通过电阻R7与电阻R10的串联连接至VCC；
所述二极管VD3的正极还连接至二极管VD5的正极，所述二极管VD5的负极连接至三极管VT2的基极，所述三极管VT2的发射极通过电阻R9与电阻R10的串联连接至VCC，所述三极管VT2的集电极连接至光耦BD的发射极，所述三极管VT2的基极还连接至二极管VD6的正极，二极管VD6的负极连接至二极管VD5的正极；
所述输出驱动电路包含三极管VT3，三极管VT4，所述三极管VT3的基极连接至三极管VT2的发射极，所述三极管VT3的发射极连接至三极管V...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾伯军，
申请(专利权)人：重庆科川电气有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆;50