隐形切割用粘着片及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种隐形切割用粘着片(1)，其至少用于在室温环境下，将内部形成有改性层的半导体晶圆切断分离成各个芯片，所述隐形切割用粘着片(1)具备基材(11)及层叠于基材(11)的一面侧的粘着剂层(12)，将隐形切割用粘着片(1)经由粘着剂层(12)而贴附于硅晶圆时，粘着剂层(12)与所述硅晶圆的界面在23℃下的剪切力为5N/(3mm×20mm)以上、70N/(3mm×20mm)以下。该隐形切割用粘着片(1)的芯片清洗性优异。

Manufacturing method of adhesive sheet and semiconductor device for invisible cutting

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】隐形切割用粘着片及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及用于隐形切割(注册商标)加工的隐形切割用粘着片、及使用了该隐形切割用粘着片的半导体装置的制造方法。
技术介绍
由半导体晶圆制造芯片状的半导体装置时，在以往，通常进行边对半导体晶圆喷涂以清洗等为目的的液体、边用旋转刀切断半导体晶圆而得到芯片的刀片切割加工。然而，近年来，逐渐开始采用能够通过干式分割成芯片的隐形切割加工。作为隐形切割加工的一个例子，对贴附于切割片的半导体晶圆照射高数值孔径(NA)的激光，使半导体晶圆的表面附近所受到的损坏最小，同时在半导体晶圆内部预先形成改性层。然后，通过扩展切割片，对半导体晶圆施力而切断分离成各个芯片。近年来，对于以上述方式制造出的芯片，要求在其之上层叠别的芯片、或将芯片粘合在膜基板上。并且，在一部分的领域中，正在进行从用导线连接芯片的电路与别的芯片或基板上的电路的面朝上型(faceup)的安装，向使设有突起状电极的芯片的电极形成面与别的芯片或基板上的电路相对，并通过该电极进行直接连接的倒装芯片安装或硅穿孔(ThroughSiliconVia；TSV)的转移。针对这种倒装芯片安装等中的对芯片的层叠及粘合的要求，提出了使用粘合剂将带电极的芯片固定于别的芯片或膜基板的方法。并且，为了容易适用于这样的用途，逐渐提出了下述方案：在上述制造方法的过程中，对于在与电极形成面相反的面上贴附有切割片的带电极的半导体晶圆或带电极的改性半导体晶圆，在其电极形成面上层叠膜状的粘合剂，使通过扩展工序而分割的带电极的芯片在其电极形成面上具备粘合剂层。作为该粘合剂层，可使用被称作芯片粘结膜(dieattachfilm，DAF)或非导电性粘合膜(Nonconductivefilm；NCF)的粘合用膜。专利文献1中公开了将DAF贴附于晶圆，进行隐形切割加工，然后通过扩展将晶圆单片化成芯片，同时将DAF分割。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-19962号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题然而，在上述隐形切割加工中，在改性层中切断分离半导体晶圆时，有时会产生主要来自改性层的碎片，而该碎片会附着在芯片上。因此，清洗芯片来去除该碎片。这种芯片的清洗有时在切割片上进行。即，在切割片上将半导体晶圆单片化成芯片后，将所得到的芯片以层叠在该切割片上的状态对其进行清洗。此时，可通过扩展切割片来扩大芯片相互之间的间隔(芯片间隔)，从而更良好地清洗芯片。然而，由于专利文献1所公开的方法中使用的以往的切割片无法充分地扩展，因此难以充分地扩大芯片间隔、进行良好的清洗。本专利技术是鉴于如上所述的实际情况而完成的，其目的在于，提供芯片的清洗性优异的隐形切割用粘着片及半导体装置的制造方法。解决技术问题的技术手段为了达成上述目的，第一，本专利技术提供一种隐形切割用粘着片，其至少用于在室温环境下，将内部形成有改性层的半导体晶圆切断分离成各个芯片，所述隐形切割用粘着片的特征在于，其具备基材及层叠于所述基材的一面侧的粘着剂层，将所述隐形切割用粘着片经由所述粘着剂层而贴附于硅晶圆时，所述粘着剂层与所述硅晶圆的界面在23℃下的剪切力为5N/(3mm×20mm)以上、70N/(3mm×20mm)以下(专利技术1)。通过使上述专利技术(专利技术1)的隐形切割用粘着片在23℃下的剪切力为上述范围，能够以层叠有芯片的状态良好地扩展。因此，在清洗芯片时，可充分地扩大芯片间隔，其结果，可良好地清洗芯片。在上述专利技术(专利技术1)中，优选所述粘着剂层由能量射线固化性粘着剂构成(专利技术2)。在上述专利技术(专利技术1、2)中，优选所述基材在23℃下的储能模量为10MPa以上、600MPa以下(专利技术3)。第二，本专利技术提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其具备：贴合所述隐形切割用粘着片(专利技术1～3)的所述粘着剂层与半导体晶圆的贴合工序；在所述半导体晶圆的内部形成改性层的改性层形成工序；在室温环境下扩展所述隐形切割用粘着片，将内部形成有改性层的所述半导体晶圆切断分离成各个芯片的扩展工序；及以扩展所述隐形切割用粘着片的状态，清洗层叠在所述隐形切割用粘着片上的所述芯片的清洗工序(专利技术4)。在上述专利技术(专利技术4)中，优选进一步具备层压工序，在该工序中，在贴合于所述隐形切割用粘着片的所述半导体晶圆的与所述隐形切割用粘着片侧为相反侧的面上层叠粘合用膜(专利技术5)。专利技术效果根据本专利技术，提供芯片的清洗性优异的隐形切割用粘着片及半导体装置的制造方法。附图说明图1为说明试验例1的剪切力的测定方法的俯视图。图2为说明试验例1的剪切力的测定方法的截面图。具体实施方式以下，对本专利技术的实施方式进行说明。[隐形切割用粘着片]本专利技术的一个实施方式的隐形切割用粘着片至少用于在室温环境下将内部形成有改性层的半导体晶圆切断分离成各个芯片。此处，室温环境下例如是指5℃以上的环境，特别优选为10℃以上的环境，进一步优选为15℃以上的环境。此外，室温环境下例如是指45℃以下的环境，特别优选为40℃以下的环境，进一步优选35℃以下的环境。由于上述温度范围容易达成且无须有意图地进行温度管理，因此可降低隐形切割的成本。另外，本说明书中的“片”也包含“带(tape)”的概念。本实施方式的隐形切割用粘着片具备基材及层叠于该基材的一面侧的粘着剂层。优选基材与粘着剂层直接层叠，但并不限定于此。经由本实施方式的隐形切割用粘着片所具有的粘着剂层而将该隐形切割用粘着片贴附于硅晶圆时，粘着剂层与硅晶圆的界面在23℃下的剪切力为5N/(3mm×20mm)以上、70N/(3mm×20mm)以下。通过使本实施方式的隐形切割用粘着片具有如上所述的剪切力，可将贴合于该隐形切割用粘着片且内部形成有改性层的半导体晶圆，通过室温环境下的扩展而切断分离成各个芯片，然后使其芯片间隔成为充分扩大的状态。具体而言，可将芯片间隔(相邻的芯片的侧面与侧面的距离)扩大为150～300μm左右，优选扩大为155～260μm左右，特别优选扩大为160～250μm左右。通过将芯片间隔扩大至这样的距离，在清洗芯片时，可使清洗液容易地进入芯片与芯片之间，能够从芯片上有效地去除因切断分离半导体晶圆而产生的碎片。另外，上述剪切力的测定方法如后文所述的试验例所示。若上述剪切力小于5N/(3mm×20mm)，则在扩展时对隐形切割用粘着片与环形框架(ringframe)密合的部分施加剪切力的情况下，隐形切割用粘着片从环形框架上脱落的可能性较大，因此无法稳定地进行使用。另一方面，若上述剪切力超过70N/(3mm×20mm)，则无法将芯片间隔扩大至用于进行良好的清洗的充分的距离。从以上的角度出发，上述剪切力的下限值优选为10N/(3mm×20mm)以上，特别优选为13N/(3mm×20mm)以上。此外，上述剪切力的上限值优选为65N/(3mm×20mm)以下，特别优选为60N/(3mm×20mm)以下。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种隐形切割用粘着片，其至少用于在室温环境下，将内部形成有改性层的半导体晶圆切断分离成各个芯片，所述隐形切割用粘着片的特征在于，/n其具备基材及层叠于所述基材的一面侧的粘着剂层，/n将所述隐形切割用粘着片经由所述粘着剂层而贴附于硅晶圆时，所述粘着剂层与所述硅晶圆的界面在23℃下的剪切力为5N/(3mm×20mm)以上、70N/(3mm×20mm)以下。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170703 JP 2017-1303001.一种隐形切割用粘着片，其至少用于在室温环境下，将内部形成有改性层的半导体晶圆切断分离成各个芯片，所述隐形切割用粘着片的特征在于，
其具备基材及层叠于所述基材的一面侧的粘着剂层，
将所述隐形切割用粘着片经由所述粘着剂层而贴附于硅晶圆时，所述粘着剂层与所述硅晶圆的界面在23℃下的剪切力为5N/(3mm×20mm)以上、70N/(3mm×20mm)以下。


2.根据权利要求1所述的隐形切割用粘着片，其特征在于，所述粘着剂层由能量射线固化性粘着剂构成。


3.根据权利要求1或2所述的隐形切割用粘着片，其特征在于，所述基材在23℃下的储能模量...

【专利技术属性】
技术研发人员：福元孝齐，山下茂之，中村优智，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP