半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

具备具有表面(20a)及背面(20b)的基板(20)、和粘贴于背面(20b)的膜(30)的半导体装置的制造方法，具备如下步骤：向背面(20b)粘贴膜(30)的步骤；将基板(20)与膜(30)一起从背面(20b)进行半切割而形成背面侧槽部(80)的步骤；在形成背面侧槽部(80)的步骤之后对膜(30)粘贴保护部件(90)的步骤；在粘贴保护部件(90)的步骤之后，从表面(20a)进行基板(20)的划片切割而形成与背面侧槽部(80)连结的表面侧槽部(110)的步骤。

Semiconductor device and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及其制造方法关联申请的相互参照本申请基于2017年6月15日申请的日本专利申请第2017－117856号，这里通过参照而引入其记载内容。
本公开涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
以往，作为粘贴有DAF(DieAttachFilm：芯片贴装膜)的半导体芯片的制造方法，例如在专利文献1中提出了如下那样的制造方法。即，在该制造方法中，以在晶片背面粘贴有保持用粘接带的状态从表面侧进行半切割，将保持用粘接带重新粘贴于晶片表面后，从晶片背面侧对晶片进行研磨，并将晶片分割为芯片单位。然后，在被分割为芯片单位的晶片的背面粘贴DAF，用拉拽力使DAF中的未被安装于晶片的部分断裂，从而制造在背面粘贴有DAF的半导体芯片。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2004－193241号公报但是，在专利文献1所记载的方法中，需要将DAF切断为与晶片相同的形状，并正确地粘贴于晶片。另外，由于以在晶片的表面侧粘贴有保持用粘接带的状态粘贴DAF，因此通过DAF粘贴时的晶片的加热，保持用粘接带的粘接层的流动性增加从而粘接力增加，保持用粘接带的剥离有可能变困难。另外，在用拉拽力使DAF断裂时，保持用粘接带有可能发生松弛。作为避免发生松弛的方法，例如考虑在芯片的背面粘贴被切断为与芯片相同大小的DAF的方法。但是，根据该方法，随着芯片的小型化，与芯片的大小一致地将DAF切断并粘贴于芯片变得困难。另外，考虑在将晶片分割为芯片单位前将DAF粘贴于晶片、不是通过基于拉拽力的断裂而是通过划片(dicing)而将DAF连同晶片一起切断的方法。但是，例如在向晶片的背面粘贴DAF、将DAF的外侧的面粘贴于保持用粘接带、并从晶片的表面进行划片的情况下，DAF被容易变形的保持用粘接带支承。于是，当接触到划片刀时DAF变形，DAF附着于划片刀的表面的凹凸，会产生DAF的切削毛刺。若存在切削毛刺，则有可能切削毛刺潜入到芯片之下从而妨碍拾取(pickup)、或者切削毛刺与布线接触从而发生短路。另外，在半导体芯片包括传感器元件的情况下，若在向安装基板进行安装时切削毛刺潜入到安装基板与半导体芯片之间，则传感器的水平度降低，传感器精度降低。
技术实现思路
本公开鉴于上述点，目的在于，在将DAF粘贴于晶片的状态下进行的划片切割中抑制切削毛刺的产生。为了达成上述目的，根据本公开的一个方式，一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具备具有表面及背面的基板和粘贴于背面的膜，该半导体装置的制造方法具备以下步骤：对背面粘贴膜的步骤；将基板与膜一起从背面进行半切割而形成背面侧槽部的步骤；在形成背面侧槽部的步骤之后，对膜粘贴保护部件的步骤；在粘贴保护部件的步骤之后，从表面进行基板的划片切割而形成与背面侧槽部连结的表面侧槽部的步骤。这样，在将基板与在基板的背面粘贴的膜一起从背面侧进行半切割的情况下，膜在被支承于较硬的基板的状态下被切断，所以能够抑制膜的切削毛刺的产生。另外，根据其他式，一种半导体装置，具备具有表面及背面的基板和粘贴于背面的膜，该半导体装置中，表面及背面的外周部比内周部凹陷，从而从表面的内周部经由表面的外周部、基板的侧面、背面的外周部而到达背面的内周部的部分成为台阶形状，膜被粘贴于背面的内周部。这样的半导体装置通过如下处理而形成：在基板的背面粘贴膜，将基板与膜一起从背面侧进行半切割而形成背面侧槽部之后，从基板的表面侧改变划片刀的宽度地进行多次划片切割，形成与背面侧槽部连结的台阶形状的表面侧槽部。这样，在将基板与在基板的背面粘贴的膜一起从背面侧进行半切割的情况下，膜在被支承于较硬的基板的状态下被切断，所以能够抑制膜的切削毛刺的产生。另外，对各构成要素等标注的带括弧的参照符号表示该构成要素等与后述实施方式中记载的具体构成要素等的对应关系的一例。附图说明图1是第1实施方式的半导体装置的剖视图。图2A是表示第1实施方式的半导体装置的制造工序的剖视图。图2B是表示接着图2A的半导体装置的制造工序的剖视图。图2C是表示接着图2B的半导体装置的制造工序的剖视图。图2D是表示接着图2C的半导体装置的制造工序的剖视图。图2E是表示接着图2D的半导体装置的制造工序的剖视图。图2F是表示接着图2E的半导体装置的制造工序的剖视图。图3是表示比较例中的发生崩刀的样子的剖视图。图4是表示第1实施方式中的发生崩刀的样子的剖视图。图5是表示比较例中的发生崩刀的样子的剖视图。图6是表示第2实施方式的半导体装置的剖视图。图7A是表示第2实施方式的半导体装置的制造工序的剖视图。图7B是表示接着图7A的半导体装置的制造工序的剖视图。图8是用于说明第2实施方式的效果的剖视图。图9是第3实施方式的半导体装置的剖视图。图10是表示第3实施方式的半导体装置的制造工序的剖视图。具体实施方式以下，基于附图对本公开的实施方式进行说明。另外，在以下的各实施方式中，对彼此相同或者等同的部分附以同一符号进行说明。(第1实施方式)对第1实施方式进行说明。如图1所示，本实施方式的半导体装置具备半导体芯片10、粘贴于半导体芯片10具备的基板20的DAF30、安装基板40、以及键合线50。半导体芯片10在由Si等构成的基板20上形成有传感器元件等未图示的半导体元件。在基板20的表面20a形成有未图示的焊盘，键合线50将该焊盘与安装基板40连接。DAF30粘贴于基板20的背面20b，半导体芯片10通过DAF30而被固定于安装基板40。在本实施方式中，在基板20的背面20b与侧面20c之间的角部形成有凹部20d，背面20b的外周端部与内周部相比形成为凹陷的形状。DAF30粘贴于背面20b的内周部。关于半导体装置的制造方法，使用图2A～图2F进行说明。在图2A所示的工序中，准备晶片状的基板20，在基板20上形成了未图示的半导体元件、键合焊盘(bondingpad)等后，使用DAF粘贴机向基板20的背面20b粘贴DAF30，并将DAF30沿着基板20的缘部进行切断。由此，对基板20的背面20b整体粘贴圆形的DAF30。在图2B所示的工序中，向基板20的表面20a粘贴保护部件60。在本实施方式中，作为保护部件60，采用层叠了支承层61和通过被照射紫外线而固化的粘接层62而成的结构，将粘接层62粘贴于表面20a。另外，若在图2A所示的工序之前进行图2B所示的工序，则在将晶片状的基板20固定为环形的状态下粘贴DAF30。作为这样的方法，例如可以考虑将DAF30粘贴于基板20后、以不将保护部件60切断的方式将DAF30切断为与基板20相同的形状。但是，由于基板20较薄，因此以不将保护部件60切断的方式将DAF30切断为与基板20相同的形状是困难的。另外，可以考虑将预先加工为与基板20相同形状的DAF30粘贴于基板2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，/n该半导体装置具备：/n基板(20)，具有表面(20a)及背面(20b)；以及/n膜(30)，粘贴于上述背面，/n该半导体装置的制造方法的特征在于，具备以下步骤：/n向上述背面粘贴上述膜的步骤；/n从上述背面将上述基板与上述膜一起进行半切割而形成背面侧槽部(80)的步骤；/n在形成上述背面侧槽部的步骤之后将保护部件(90)向上述膜进行粘贴的步骤；以及/n在粘贴上述保护部件的步骤之后，从上述表面进行上述基板的划片切割而形成与上述背面侧槽部相连结的表面侧槽部(110)的步骤。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170615 JP 2017-1178561.一种半导体装置的制造方法，
该半导体装置具备：
基板(20)，具有表面(20a)及背面(20b)；以及
膜(30)，粘贴于上述背面，
该半导体装置的制造方法的特征在于，具备以下步骤：
向上述背面粘贴上述膜的步骤；
从上述背面将上述基板与上述膜一起进行半切割而形成背面侧槽部(80)的步骤；
在形成上述背面侧槽部的步骤之后将保护部件(90)向上述膜进行粘贴的步骤；以及
在粘贴上述保护部件的步骤之后，从上述表面进行上述基板的划片切割而形成与上述背面侧槽部相连结的表面侧槽部(110)的步骤。


2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
在形成上述背面侧槽部的步骤中，对上述基板进行半切割，使得上述基板中的被上述背面侧槽部和上述表面夹着的部分的抗弯强度高于在形成上述表面侧槽部的步骤中上述基板发生破裂的抗弯强度。


3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，
在形成上述表面侧槽部的步骤中，至少进行1次在1个槽部的底部形成与该槽部相比开口宽度小的其他槽部的步骤，使得上述表面侧槽部成为随着朝向上述背面而宽度变窄的台阶形状。

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【专利技术属性】
技术研发人员：山田骏太郎，神田明典，吉冈彻雄，长尾高成，宫下耕一，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：日本;JP