辐射固化型切割用粘合带制造技术

本发明专利技术提供一种辐射固化型切割用粘合带，其即使对于设置有贯通电极的半导体芯片等也能够在拾取工序中容易地进行拾取而不产生残胶。本发明专利技术的辐射固化型切割用粘合带1是在基材片2上设置有辐射固化型粘合剂层3的辐射固化型粘合带1，其特征在于，辐射固化后的拉伸弹性模量与辐射固化前的拉伸弹性模量之比小于1.0。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】辐射固化型切割用粘合带
本专利技术涉及在为了使半导体晶片等实现元件小片化而进行切割分离(切割)时用于固定该半导体晶片等被切割体的粘合带。
技术介绍
以往的半导体装置是将设置在基板上的半导体芯片通过引线接合进行导电连接而制造的。近年来，对于设备的进一步小型化、薄型化、轻量化的要求，针对这些设备的内部所使用的以半导体装置为首的电子部件也提出了同样的要求。为了实现电子部件的小型化，提出了例如层叠半导体芯片来实现高密度安装的三维安装技术(例如参照专利文献1)。进而，作为进行三维安装技术的方法，例如提出了对芯片形成从表面向背面贯通的电极(贯通电极)，并将该芯片借助该电极而层叠于被称为内插器(interposer)的安装用芯片而得的半导体封装结构(例如参照专利文献2)。正在进行以下的研究：在将形成有贯通电极的晶片切割分离为元件小片(半导体芯片)(切割工序)、拾取这些半导体芯片的工序(拾取工序)中，使用具有辐射固化型粘合层的晶片切割加工用粘合带。在使用具有辐射固化型粘合层的晶片切割用粘合带的情况下，必须在切割工序中充分地保持晶片。但是，设置有贯通电极的晶片通常在一面或两面存在高度为3μm～几十μm的贯通电极的突起部。因此，即使贴合以往的切割加工用粘合带，也无法追随于该突起部而无法保持晶片的情况很多。进而，其结果是，有时会在贯通电极的突起周边部产生空隙。通常，在切割工序中，利用被称为刀片的旋转刃而单片化为芯片。若在粘合剂层与贯通电极的突起周边部之间存在空隙而无法充分保持，则会由于切削时的冲击而导致芯片振动，引起刀片与芯片的碰撞，产生芯片缺损(破片，tipping)而使芯片的成品率降低。为了消除切割工序中的不良情况，提出了使粘合剂层的凝胶分数和10℃下的储能模量在特定范围内的辐射固化型切割用粘合带(例如参照专利文献3)。专利文献3的辐射固化型切割用粘合带通过具有凝胶分数和储能模量在特定范围内的粘合剂层，从而消除了切割工序中的上述不良情况。然而，上述专利文献3的辐射固化型切割用粘合带在进行切割后，通过对粘合剂层照射辐射线使其固化而降低粘合力时，粘合剂层发生固化收缩，因此粘合剂层咬入贯穿电极等晶片表面的突起，存在无法良好地拾取所切割的半导体芯片的问题。上述专利文献3的辐射固化型切割用粘合带中，使用了包含因刺激而产生气体的气体产生剂的粘合剂。但是，从在粘合剂中产生气体的机理来看，由于粘合剂变脆，因此产生粘合剂碎屑对芯片的附着(残胶)，有可能使成品率降低。因此，为了消除拾取工序中的不良情况，提出了将辐射线照射前后的杨氏模量设定在特定范围内的辐射固化型切割用粘合带(例如参照专利文献4)。专利文献4的辐射固化型切割用粘合带通过将辐射线照射前后的杨氏模量设定在特定范围内，从而消除了切割工序中的上述不良情况。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002-50738号公报专利文献2：日本特开2005-236245号公报专利文献3：日本特开2006-202926号公报专利文献4：日本专利5294365号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，近年来开发出贯通电极等晶片表面的突起的形状、高度各种各样的产品，存在即使使用上述专利文献4的辐射固化型切割用粘合带也会因粘合剂层的固化收缩而导致粘合剂层咬入晶片表面的突起、无法良好地拾取所切割的半导体芯片的问题。因此，本专利技术的目的在于，提供一种即使对于设置有贯通电极的半导体芯片等也能够在拾取工序中容易地进行拾取而不产生残胶的辐射固化型切割用粘合带。用于解决问题的手段为了解决上述课题，本专利技术的辐射固化型切割用粘合带是在基材片上设置有辐射固化型粘合剂层的辐射固化型粘合带，其特征在于，辐射固化后的拉伸弹性模量与辐射固化前的拉伸弹性模量之比小于1.0。优选上述辐射固化型切割用粘合带在23℃下测定的上述粘合剂层的辐射固化前的储能模量G′在测定频率0.1～10Hz的整个范围内为1.8×1104Pa。另外，优选上述辐射固化型切割用粘合带的上述粘合剂层的辐射固化前的损耗系数tanδ为0.25以上。另外，上述辐射固化型切割用粘合带可以在切割半导体晶片时适合地使用。另外，上述辐射固化型切割用粘合带可以在上述半导体晶片的贴合于上述粘合剂层的面具有突起物或高度差的情况下适合地使用。专利技术的效果根据本专利技术，能够减少切割工序中的破片，而且即使对于设置有贯通电极的半导体芯片也能够在拾取工序中容易地进行拾取而不产生残胶。附图说明图1是示意性表示本专利技术的实施方式的辐射固化型切割用粘合带的结构的截面图。图2是示意性表示使用本专利技术实施例的辐射固化型切割用粘合带进行了切割的芯片的结构的俯视图。具体实施方式以下，对本专利技术的实施方式进行详细说明。本专利技术的实施方式的辐射固化型切割用粘合带1在基材片2的至少一侧形成有至少1层粘合剂层3。图1是表示本专利技术的辐射固化型切割用粘合带1的优选实施方式的概略截面图，辐射固化型切割用粘合带1具有基材片2，在基材片2上形成有粘合剂层3。本专利技术的实施方式的辐射固化型切割用粘合带1的辐射固化后的拉伸弹性模量与辐射固化前的拉伸弹性模量之比(辐射固化后的拉伸弹性模量/辐射固化前的拉伸弹性模量)小于1.0。将辐射固化型切割用粘合带1的要贴合粘合剂层3的面具有凸起或高度差的晶片贴合于辐射固化型切割用粘合带1时，优选凸起或高度差几乎完全被粘合剂层3掩埋。如果凸起或高度差与辐射固化型切割用粘合带1之间存在空隙，则因切割工序中的旋转刃(刀片)的振动而导致芯片大幅振动，发生与刀片或相邻的芯片的接触，产生芯片缺损。另一方面，在凸起或高度差几乎完全被粘合剂层3掩埋的情况下，能够降低由旋转刃引起的振动的影响，但在构成粘合剂层3的粘合剂使用辐射固化型粘合剂组成的情况下，由于粘合剂层3在与凸起或高度差密合的状态下发生固化，因此，在拾取工序时，粘合剂层3钩挂在凸起或高度差上，有时产生无法拾取的不良情况。在此，辐射固化型粘合剂是指至少含有在分子内末端具有碳-碳不饱和键的化合物(a)和被称为引发剂的通过接受辐射线而产生自由基的化合物的粘合组合物。通过被照射辐射线而使引发剂被活化，通过产生的自由基而使末端的碳-碳不饱和键接着被活化，从而陆续与化合物(a)键合，化合物(a)彼此形成交联。在交联形成前，分散在粘合剂中的多个化合物(a)通过交联而聚集、键合，因此，粘合剂在交联后比交联前变硬。如果在与凸起或高度差密合的状态下发生该交联反应，则变硬的粘合剂会钩挂在凸起或高度差上，妨碍顺利的剥离。特别是，在具有贯通电极的晶片中，由于贯通晶片内部地形成有凸起，因此芯片强度显著弱，在存在剥离障碍的情况下，容易引起芯片破损。通过调整粘合剂的固化程度，能够抑制由该粘合剂的固化所引起的对凸起或高度差的钩挂。作为观察粘合剂固化程度的指标，有辐射固化型切割用粘合带1的拉伸弹性模量。辐射固化前的拉伸弹性模量与固化后的拉伸弹本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种辐射固化型切割用粘合带，其为在基材片上设置有辐射固化型粘合剂层的辐射固化型粘合带，其特征在于，辐射固化后的拉伸弹性模量与辐射固化前的拉伸弹性模量之比小于1.0。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171227 JP 2017-2503261.一种辐射固化型切割用粘合带，其为在基材片上设置有辐射固化型粘合剂层的辐射固化型粘合带，其特征在于，辐射固化后的拉伸弹性模量与辐射固化前的拉伸弹性模量之比小于1.0。


2.根据权利要求1所述的辐射固化型切割用粘合带，其特征在于，在23℃下测定的所述粘合剂层的辐射固化前的储能模量G′在测定频率为0.1Hz～10Hz的整个范围内为1...

【专利技术属性】
技术研发人员：大田乡史，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP