半导体装置的制造方法及扩展带制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种扩展带(1)，其为在半导体装置的制造方法中使用的扩展带(1)，所述半导体装置的制造方法具备带扩展工序，该带扩展工序中，通过对扩展带(1)一边加热一边进行拉伸，从而将固定在扩展带(1)上的、被制成单片的半导体芯片(2)的间隔从100μm以下扩大至300μm以上，其中，所述扩展带在所述带扩展工序的加热温度下的拉伸应力为10MPa以下，并且室温下的拉伸应力比所述加热温度下的拉伸应力高5MPa以上。

Manufacturing method and expansion band of semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法及扩展带
本专利技术涉及半导体装置的制造方法及扩展带。
技术介绍
近年来，随着半导体装置的小型化、高功能化及高集成化，半导体的多引脚化、高密度化及布线的窄间距化不断发展。因此，期待可应用以引脚或布线的微细化或低介电常数化为目的的low-K层等脆弱层、并与之相伴的高可靠性化的技术。在这种背景中，能够实现高可靠性化、高生产化等的晶圆级封装件(WaferLevelPackage：WLP)技术不断发展。WLP技术的特征在于，在晶片状态下进行组装，在其最终工序中通过切割将晶片制成单片。由于是以晶片水平一起进行组装(进行密封)，因此是能够实现高生产化及高可靠性化的技术。WLP技术中，形成在半导体芯片的电路面的绝缘膜上用聚酰亚胺、铜布线等形成了再布线图案的再布线层，在该再布线上搭载金属垫片、钎焊球等，构成连接端子用凸块。WLP中有如WLCSP(WaferLevelChipScalePackage，晶圆级芯片规模封装件)或FI-WLP(FanInWaferLevelPackage，扇入晶圆级封装件)那样的封装件面积与半导体芯片为同等程度的半导体封装件；和如FO-WLP(FanOutWaferLevelPackage，扇出晶圆级封装件)那样的封装件面积比半导体芯片面积大、能够将端子扩至芯片外侧的半导体封装件。这种半导体封装件由于小型化及薄型化迅速地发展，因此为了确保可靠性，在以晶片水平进行密封而对半导体芯片周边进行了保护之后，再进行再布线层的形成、逐个封装件的单片化等。通过进行这种晶片水平下的密封、再进行之后的二次安装等处理，确保了可靠性。另外，分立式半导体等单功能半导体的安装领域中，为了减少处理时的半导体芯片的裂纹或施加于垫片周边部的应力，也在以晶片水平进行密封而对半导体芯片周边进行保护之后，再逐个封装件地制成单片，进行至之后的工序(SMT工艺等)。分立式半导体与系统LCI相比，多为小型，为了进一步高度地对半导体芯片进行保护，特别需要半导体芯片的5面或6面的密封。然而，为了对半导体芯片的侧面进行密封，需要在将晶片制成单片而制作半导体芯片之后，扩大半导体芯片的间隔。作为扩大半导体芯片的间隔的方法，提出了具备将通过对半导体晶片进行切割所获得的制成了单片的半导体芯片再配置于载体等上的再配置工序的方法(例如参照非专利文献1)。现有技术文献非专利文献非专利文献1：KangChenetal.,"InnovativeWaferLevelPackagingManufacturingwithFlexLine,"2014IEEE16thElectronicsPackagingTechnologyConference(EPTC).
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题但是，由于半导体芯片的小型化，每个晶片的半导体芯片数有所增加，因而使用贴片机、倒装焊等对半导体芯片进行再配置的再配置工序的长时间化变成课题。另外，由于半导体芯片的薄型化等，进行再配置工序中的芯片贴片时，有可能对芯片产生损害。鉴于上述事实，本专利技术的目的在于提供与具有再配置工序的现有工艺相比能够短时间化、且对芯片造成的损害小的半导体装置的制造方法、以及能够应用于该制造方法的扩展带。用于解决技术问题的手段本专利技术人们进行了深入研究，结果发现，通过以下[1]～[9]所记载的专利技术，能够解决上述技术问题。[1]一种扩展带，其为在半导体装置的制造方法中使用的扩展带，所述半导体装置的制造方法具备带扩展工序，该带扩展工序中，通过对扩展带一边加热一边进行拉伸，从而将固定在该扩展带上的、被制成单片的半导体芯片的间隔从100μm以下扩大至300μm以上，其中，带扩展工序的加热温度下的拉伸应力为10MPa以下，并且室温下的拉伸应力比所述加热温度下的拉伸应力高5MPa以上。[2]根据[1]所述的扩展带，其中，半导体装置的制造方法进一步具备以下工序：保持经拉伸的扩展带的张力的张力保持工序；将保持了张力的扩展带上的半导体芯片转移至载体的转移工序；以及将扩展带从转移至载体的半导体芯片上剥离的剥离工序。[3]根据[1]或[2]所述的扩展带，其具有基材层及粘合层。[4]根据[3]所述的扩展带，其中，粘合层由紫外线固化型的粘合剂构成。[5]一种半导体装置的制造方法，其具备带扩展工序，该带扩展工序中，通过对[1]～[4]中任一项所述的扩展带一边加热一边进行拉伸，从而将固定在该扩展带上的、被制成单片的半导体芯片的间隔从100μm以下扩大至300μm以上。[6]一种半导体装置的制造方法，其为具有在电路面上设置有垫片的半导体芯片的半导体装置的制造方法，其具备以下工序：准备扩展带、和与电路面相反侧的面被固定在该扩展带上的多个半导体芯片的第1A工序；通过对扩展带进行拉伸，从而扩大固定在扩展带上的多个半导体芯片的间隔的第2A工序；保持经拉伸的扩展带的张力的第3A工序；将多个半导体芯片按照电路面被固定在载体上的方式转移到载体上的第4A工序；将扩展带从多个半导体芯片上剥离的第5A工序；利用密封材料将载体上的多个半导体芯片密封的第6A工序；以及将载体从被密封材料密封的多个半导体芯片上剥离的第7A工序。[7]一种半导体装置的制造方法，其为具有在电路面上设置有垫片的半导体芯片的半导体装置的制造方法，其具备以下工序：准备扩展带、和电路面被固定在该扩展带上的多个半导体芯片的第1B工序；通过对扩展带进行拉伸，从而扩大固定在扩展带上的多个半导体芯片的间隔的第2B工序；保持经拉伸的扩展带的张力的第3B工序；将多个半导体芯片按照与电路面相反侧的面被固定在载体上的方式转移到载体上的第4B工序；将扩展带从多个半导体芯片上剥离的第5B工序；以及利用密封材料将载体上的多个半导体芯片密封的第6B工序。[8]一种半导体装置的制造方法，其为具有在电路面上设置有垫片的半导体芯片的半导体装置的制造方法，其具备以下工序：准备扩展带、和与电路面相反侧的面被固定在该扩展带上的多个半导体芯片的第1C工序；通过对扩展带进行拉伸，从而扩大固定在扩展带上的多个半导体芯片的间隔的第2C工序；保持经拉伸的扩展带的张力的第3C工序；将多个半导体芯片按照电路面被固定在载体上的方式转移到载体上的第4C工序；将扩展带从多个半导体芯片上剥离的第5C工序；利用密封材料将载体上的多个半导体芯片密封的第6C工序；将载体从被密封材料密封的多个半导体芯片上剥离的第7C工序；以及对被密封材料密封的多个半导体芯片按照逐个半导体芯片地制成单片，形成多个半导体封装件的第8C工序。[9]一种半导体装置的制造方法，其为具有在电路面上设置有垫片的半导体芯片的半导体装置的制造方法，其具备以下工序：准备扩展带、和电路面被固定在该扩展带上的多个半导体芯片的第1D工本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种扩展带，其为在半导体装置的制造方法中使用的扩展带，所述半导体装置的制造方法具备带扩展工序，该带扩展工序中，通过对扩展带一边加热一边进行拉伸，从而将固定在该扩展带上的、被制成单片的半导体芯片的间隔从100μm以下扩大至300μm以上，/n其中，所述扩展带在所述带扩展工序的加热温度下的拉伸应力为10MPa以下，并且室温下的拉伸应力比所述加热温度下的拉伸应力高5MPa以上。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170522 JP 2017-101120;20170522 JP 2017-101122;201.一种扩展带，其为在半导体装置的制造方法中使用的扩展带，所述半导体装置的制造方法具备带扩展工序，该带扩展工序中，通过对扩展带一边加热一边进行拉伸，从而将固定在该扩展带上的、被制成单片的半导体芯片的间隔从100μm以下扩大至300μm以上，
其中，所述扩展带在所述带扩展工序的加热温度下的拉伸应力为10MPa以下，并且室温下的拉伸应力比所述加热温度下的拉伸应力高5MPa以上。


2.根据权利要求1所述的扩展带，其中，所述半导体装置的制造方法进一步具备以下工序：
保持经拉伸的所述扩展带的张力的张力保持工序；
将保持了张力的所述扩展带上的所述半导体芯片转移至载体的转移工序；以及
将所述扩展带从转移至所述载体的所述半导体芯片上剥离的剥离工序。


3.根据权利要求1或2所述的扩展带，其具有基材层及粘合层。


4.根据权利要求3所述的扩展带，其中，所述粘合层由紫外线固化型的粘合剂构成。


5.一种半导体装置的制造方法，其具备带扩展工序，该带扩展工序中，通过对权利要求1～4中任一项所述的扩展带一边加热一边进行拉伸，从而将固定在该扩展带上的、被制成单片的半导体芯片的间隔从100μm以下扩大至300μm以上。


6.一种半导体装置的制造方法，其为具有在电路面上设置有垫片的半导体芯片的半导体装置的制造方法，其具备以下工序：
准备扩展带、和与所述电路面相反侧的面被固定在该扩展带上的多个所述半导体芯片的第1A工序；
通过对所述扩展带进行拉伸，从而扩大固定在所述扩展带上的多个所述半导体芯片的间隔的第2A工序；
保持经拉伸的所述扩展带的张力的第3A工序；
将多个所述半导体芯片按照所述电路面被固定在载体上的方式转移到载体上的第4A工序；
将所述扩展带从多个所述半导体芯片上剥离的第5A工序；
利用密封材料将所述载体上的多个所述半导体芯片密封的第6A工序；以及
将所述载体从被所述密封材料密封的多个半导体芯片上剥离的第7A工序。


7.一种半导体装置的制造方法，其为具有在电路面上设置有垫片的半导体芯片的半导体装置的制造方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：本田一尊，铃木直也，乃万裕一，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP