半导体加工用胶带制造技术

本发明专利技术的半导体加工用胶带依次层叠有基材层、粘合层和具有热固化性的粘接层，在130℃下进行1小时的固化处理之后，粘接层的收缩率小于2％且粘接层的热态弹性模量小于5MPa。该半导体加工用胶带可作为切割‑芯片接合带进行使用，并且还可作为例如半导体装置的制造过程中的临时固定用胶带进行使用。

Tape for semiconductor processing

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体加工用胶带
本专利技术涉及半导体加工用胶带。
技术介绍
近年来，电子设备的小型化、轻量化及高功能化的要求有所提高。根据这些要求，对构成电子设备的半导体装置要求小型化、薄型化及高密度安装化。半导体装置经过以下工序制造：利用树脂对固定在基板、玻璃或临时固定材料上的半导体芯片进行密封的密封工序；根据需要将所密封的半导体芯片制成单片的切割工序等。上述制造过程中，还有时实施对晶片进行研磨的工序。这些工序多是以用保护用胶带覆盖芯片或基板等的状态进行实施。保护用胶带通常在特定的加工工序之前被粘贴在待保护的面上，并在该加工工序后被剥离。专利文献1公开了在不使用金属制引线框的无基板半导体封装体的制造中使用的半导体制造用耐热性粘合片材、该片材中使用的粘合剂、以及使用了该片材的半导体装置的制造方法。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-129649号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术人们探讨了在半导体装置的制造过程中将以往一直使用的切割-芯片接合带作为各种工序中所需的临时固定用胶带进行使用。若一种胶带能够应用于切割-芯片接合带及临时固定用胶带这两个用途，则胶带的通用性提高，能够有效地制造半导体装置。作为能够应用于半导体装置的制造过程中的各种工序的胶带(以下称作“半导体加工用胶带”)应该具备的特性之一，可举出耐热性。根据本专利技术人们的探讨，专利文献1所记载的粘合片材中的粘合剂层由于作为主成分含有橡胶成分，因此从耐热性不足的方面来说，仍有改善的余地。作为半导体加工用胶带应该具备的其它特性，可举出优异的剥离性。一直以来，临时固定中使用的胶带从确保适度剥离性的观点出发，按照粘合剂层具有适度柔软性的方式进行设计。但是，仅对粘合剂层赋予柔软性并不一定能够实现优异的剥离性。具体地说，具有在剥离工序时发生残胶等问题。本专利技术鉴于上述技术问题而作出，其目的在于提供在半导体制造过程中具有优异通用性的半导体加工用胶带。用于解决技术问题的手段本专利技术的半导体加工用胶带依次层叠有基材层、粘合层和具有热固化性的粘接层，在130℃下进行1小时的固化处理之后，粘接层的收缩率小于2％且粘接层的热态弹性模量小于5MPa。在130℃下进行1小时的固化处理之后的粘接层通过满足这些条件，半导体加工用胶带能够应用于半导体装置的制造过程中的各种加工工序。具体地说，能够将上述各种加工工序中所要求的耐热性及剥离性赋予至粘接层。在130℃下进行1小时的固化处理之后，粘接层对于晶片的剥离力优选为15N/m以上。通过粘接层满足该要件，能够充分地确保对于晶片的密合性。作为本专利技术的半导体加工用胶带的除切割-芯片接合带以外的用途，可举出基板及晶片的临时固定。即，本专利技术的半导体加工用胶带可以用于在半导体装置的制造过程中将基板临时固定在粘接层的一个面上、并且在剥离基材层及粘接层后将晶片临时固定在粘接层的另一个面上。例如如上所述在临时固定的用途中使用半导体加工用胶带时，基材层、粘合层及粘接层均不会残留在最终制造的半导体装置中。上述粘接层优选含有热塑性树脂、热固化性树脂、固化促进剂和填充物。此时，在以粘接层中的热塑性树脂的含量为100质量份时，粘接层中的热固化性树脂的含量优选为1～40质量份。另外，在以粘接层中的热塑性树脂的含量为100质量份时，粘接层中的填充物的含量优选为1～330质量份。满足这些要件的粘接层在半导体装置的制造过程中的各种加工工序中可以更为稳定地提高耐热性及剥离性。上述粘合层可以是UV型，也可以是非UV型。专利技术效果根据本专利技术，可提供在半导体制造过程中具有优异通用性的半导体加工用胶带。附图说明图1为示意地表示本专利技术的半导体加工用胶带的一个实施方式的截面图。图2(a)～(f)为示意地表示使用图1所示的半导体加工用胶带作为切割-芯片接合带来制造半导体装置的工序的截面图。图3为示意地表示使用图1所示的半导体加工用胶带所制造的半导体装置的一例的截面图。图4(a)～(f)为示意地表示使用图1所示的半导体加工用胶带作为临时固定用胶带来制造半导体装置的工序的截面图。具体实施方式以下一边适当参照附图，一边对本专利技术的实施方式进行说明。此外，本专利技术并非限定于以下的实施方式。本说明书中，(甲基)丙烯酸是指丙烯酸或甲基丙烯酸。＜半导体加工用胶带＞图1为示意地表示本实施方式的半导体加工用胶带的截面图。该图所示的半导体加工用胶带10依次层叠有基材层1、粘合层2和具有热固化性的粘接层3。半导体加工用胶带10可应用于半导体装置制造过程中的切割-芯片接合带及临时固定用胶带这两个用途。为了使其得以实现，半导体加工用胶带10在130℃下进行1小时的固化处理后，粘接层3的收缩率小于2％且粘接层3的热态弹性模量小于5MPa。在130℃下进行1小时的固化处理后的粘接层3通过满足这些条件，半导体加工用胶带10可以将半导体装置的制造过程中的各种加工工序所要求的耐热性及剥离性赋予至粘接层3。如上所述，在130℃下进行了1小时的固化处理之后，粘接层3的收缩率小于2％。该值优选为1.8％以下、更优选为1.6％以下。通过该值小于2％，在半导体装置的制造过程中，即便在将晶片或基板临时固定在粘接层3上的状态下对粘接层3施加热量，也可充分地抑制位置偏移。粘接层3的收缩率可如下求得。将半导体加工用胶带10剪切成规定尺寸(例如100mm×100mm)，通过将基材层1及粘合层2从其上剥离，准备仅由粘接层3形成的试样。将其在130℃下加热1小时使其固化，测量固化处理后的试样的尺寸。将热固化前的试样面积和热固化后的试样面积代入到下式，计算收缩率。收缩率(％)＝(固化后的试样面积)/(固化前的试样面积)×100如上所述，在130℃下进行1小时的固化处理之后，粘接层3的热态弹性模量小于5MPa。该值优选为4.5MPa以下、更优选为4MPa以下。通过该值小于5MPa，在半导体装置的制造过程中，即便在将晶片或基板临时固定在粘接层3上的状态下对粘接层3施加热量，粘接层3也具有适度的柔软性，由此可以实现优异的剥离性。此外，粘接层3的上述热态弹性模量的下限值例如为1MPa。粘接层3的热态弹性模量可如下求得。将半导体加工用胶带10裁剪成规定的尺寸，通过将基材层1及粘合层2从其上剥离，准备仅由粘接层3形成的试样。将其在130℃下加热1小时使其固化。将如此获得的固化处理后的粘接层3裁剪成规定的尺寸(例如4mm×30mm)，从而获得试样。使用动态粘弹性测定装置测定该试样的弹性模量。即，对试样施加拉伸负荷，在频率为10Hz、升温速度为10℃/分钟的条件下从-50℃测定至300℃。将温度100℃下的弹性模量作为热态弹性模量。从充分地确保粘接层3对晶片的密合性的观点出发，在130℃下进行1小时的固化处理后，粘接层3对于晶片的剥离力优选为15N/m以上、更优选为20～200N/m、进一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体加工用胶带，其依次层叠有基材层、粘合层和具有热固化性的粘接层，在130℃下进行1小时的固化处理之后，所述粘接层的收缩率小于2％且所述粘接层的热态弹性模量小于5MPa。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170601 JP 2017-1093981.一种半导体加工用胶带，其依次层叠有基材层、粘合层和具有热固化性的粘接层，在130℃下进行1小时的固化处理之后，所述粘接层的收缩率小于2％且所述粘接层的热态弹性模量小于5MPa。


2.根据权利要求1所述的半导体加工用胶带，其在130℃下进行1小时的固化处理之后，所述粘接层对于晶片的剥离力为15N/m以上。


3.根据权利要求1或2所述的半导体加工用胶带，其用于在半导体装置的制造过程中将基板临时固定在所述粘接层的一个表面、并且在剥离所述基材层及所述粘接层之后将晶片临时固定在所述粘接层的另一个表面。


4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：大久保惠介，岩永有辉启，山崎智阳，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP