半导体封装件制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：连接构件，包括多个连接焊盘和重新分布层；半导体芯片，设置在连接构件上；包封剂，密封半导体芯片；钝化层，设置在连接构件上；多个凸块下金属(UBM)焊盘，设置在钝化层上；以及多个UBM过孔，将所述多个UBM焊盘分别连接到所述多个连接焊盘，其中，所述多个UBM焊盘包括在堆叠方向上与半导体芯片重叠的第一UBM焊盘以及位于重叠的区域外部的第二UBM焊盘，并且在堆叠方向上叠置关联的第一UBM焊盘，第一连接焊盘具有比关联的第一UBM焊盘的面积大的面积，并且具有比第二连接焊盘的面积大的面积。

Semiconductor package

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件本申请要求于2018年6月22日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0071968号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
本公开涉及一种半导体封装件。
技术介绍
近年来，已积极地研究了用于实现轻量化和简单化产品的封装技术，但是在制造工艺或使用环境中的热循环或冲击可靠性是重要的。具体地，在不同材料之间的接触点处会集中引起这种可靠性问题。典型的是发生在诸如导电凸块的电连接结构中以及在电连接结构周围的裂纹，并且这种裂纹会扩展到配备有重新分布层的连接构件，这会严重降低半导体封装件的可靠性。
技术实现思路
本公开的一方面提供了一种能够减少由电连接结构中和/或凸块下金属(UBM)层周围的裂纹引起的可靠性降低的半导体封装件。根据本公开的一方面，一种半导体封装件包括：连接构件，具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且包括位于所述第二表面上的多个连接焊盘和连接到所述多个连接焊盘的重新分布层；半导体芯片，设置在所述连接构件的所述第一表面上，并具有连接到所述重新分布层的连接电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：/n连接构件，具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且包括位于所述第二表面上的多个连接焊盘和连接到所述多个连接焊盘的重新分布层；/n半导体芯片，设置在所述连接构件的所述第一表面上，并具有连接到所述重新分布层的连接电极；/n包封剂，设置在所述连接构件的所述第一表面上并密封所述半导体芯片；/n钝化层，设置在所述连接构件的所述第二表面上；/n多个凸块下金属焊盘，设置在所述钝化层上；/n多个凸块下金属过孔，穿过所述钝化层，并将所述多个凸块下金属焊盘分别连接到所述多个连接焊盘；以及/n多个电连接结构，分别设置在所述多个凸块下金属焊盘上，/n其中，所述多个凸块下金...

【技术特征摘要】
20180622 KR 10-2018-00719681.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
连接构件，具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且包括位于所述第二表面上的多个连接焊盘和连接到所述多个连接焊盘的重新分布层；
半导体芯片，设置在所述连接构件的所述第一表面上，并具有连接到所述重新分布层的连接电极；
包封剂，设置在所述连接构件的所述第一表面上并密封所述半导体芯片；
钝化层，设置在所述连接构件的所述第二表面上；
多个凸块下金属焊盘，设置在所述钝化层上；
多个凸块下金属过孔，穿过所述钝化层，并将所述多个凸块下金属焊盘分别连接到所述多个连接焊盘；以及
多个电连接结构，分别设置在所述多个凸块下金属焊盘上，
其中，所述多个凸块下金属焊盘包括第一凸块下金属焊盘和第二凸块下金属焊盘，所述第一凸块下金属焊盘位于在所述半导体芯片与所述连接构件的堆叠方向上与所述半导体芯片重叠的区域中，所述第二凸块下金属焊盘位于重叠的区域外部，
所述多个连接焊盘包括与所述第一凸块下金属焊盘关联的第一连接焊盘和与所述第二凸块下金属焊盘关联的第二连接焊盘，并且
所述第一连接焊盘在所述堆叠方向上与关联的第一凸块下金属焊盘重叠，所述第一连接焊盘具有比关联的第一凸块下金属焊盘的面积大的面积，并且具有比所述第二连接焊盘的面积大的面积。


2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一连接焊盘具有从与关联的第一凸块下金属焊盘重叠的区域的边界延伸至少20μm的区域。


3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一连接焊盘具有比关联的第一凸块下金属焊盘的直径大40％或更大的直径。


4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，当所述重新分布层设置在所述多个连接焊盘中的相邻连接焊盘之间的间隙中时，所述第一连接焊盘具有的直径为关联的第一凸块下金属焊盘的直径的1.4至1.75倍。


5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，当所述重新分布层没有设置在所述多个连接焊盘中的相邻连接焊盘之间的间隙中时，所述第一连接焊盘具有的直径为关联的第一凸块下金属焊盘的直径的1.5至2倍。


6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一连接焊盘设置为与相邻的第一连接焊盘具有至少10μm的距离。


7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二连接焊盘在所述堆叠方向上与关联的第二凸块下金属焊盘重叠，所述第二连接焊盘具有比关联的第二凸块下金属焊盘的面积大的面积。


8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述电连接结构连接到所述第一凸块下金属焊盘与所述钝化层的接触点。


9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，与所述第一凸块下金属焊盘关联的第一连接焊盘具有在所述堆叠方向上与所述接触点重叠的区域。


10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述连接构件还包括绝缘构件，并且所述重新分布层包括在所述绝缘构件中位于不同的高度上的多个重新分布层。


11.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述多个凸块下金属过孔被提供作为设置在单个凸块下金属焊盘上的两个或更多个凸块下金属过孔。


12.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括支撑构件，所述支撑构件设置在所述连接构件的所述第一表面上并且具有容纳所述半导体芯片的腔。


13.根据权利要求12所述的半导体封装件，其中，所述支撑构件具有连接所述支撑构件的上表面和下表面的布线结构，并且<...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴美珍，朴智恩，河兆富，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR