利用导电性金属结构体的半导体封装制造技术

本实用新型专利技术涉及利用导电性金属结构体的半导体封装，尤其，涉及一种利用夹具或柱子形态的导电性金属结构体，使得半导体芯片与引线框架引线形成电性连接，并且，有效地改善半导体芯片与金属结构体结合的部分而提高生产性，并提高耐久性和电性连接特性的利用导电性金属结构体的半导体封装。即，本实用新型专利技术包括：半导体芯片；铝平板，形成于所述半导体芯片的上部；导电性金属结构体，通过焊料系列的第2粘接层与所述铝平板结合，并且，所述第2粘接层形成在与铝平板接近的部分的下部既定区域分布有金属间化合物(IMC)的形态。

Semiconductor packaging using conductive metal structure

【技术实现步骤摘要】
利用导电性金属结构体的半导体封装
本技术涉及利用导电性金属结构体的半导体封装，尤其，涉及一种利用夹具或柱子形态的导电性金属结构体，使得半导体芯片和引线框架引线电性连接，并且，有效地改善半导体芯片与金属结构体结合的部分而提高生产性，并提高耐久性和电性连接特性的利用导电性金属结构体的半导体封装。
技术介绍
一般而言，半导体封装由半导体芯片、引线框架(或基板)、封装主体构成，半导体芯片附着于引线框架的平板上，并且，将金属线焊接而与引线框架的引线电性连接。但，以往的利用金属线的堆叠封装是利用金属线进行电性的信号交换，因此，速度较慢，并使用较多数量的金属线，因此，各个芯片发生电特性劣化。并且，为了形成金属线，需要在基板上附加面积，而使得封装的大小增加，并且，在各个芯片的焊接平板上需要用于焊接金属线的间隙(Gap)，而使得封装的整体高度不必要地增大。从而，本专利技术人提供的专利第1208332号、技术第0482370号、专利第1669902号、专利第1631232号提供了一种利用金属的夹具(clip)结构体，而具有相比以往的利用金属线的半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用导电性金属结构体的半导体封装，其特征在于，包括：/n半导体芯片；/n铝平板，形成于所述半导体芯片的上部；/n导电性金属结构体，通过焊料系列的第2粘接层与所述铝平板结合，/n并且，所述第2粘接层形成在与铝平板接近的部分的下部既定区域分布有金属间化合物(IMC)的形态。/n

【技术特征摘要】
20180313 KR 10-2018-00291671.一种利用导电性金属结构体的半导体封装，其特征在于，包括：
半导体芯片；
铝平板，形成于所述半导体芯片的上部；
导电性金属结构体，通过焊料系列的第2粘接层与所述铝平板结合，
并且，所述第2粘接层形成在与铝平板接近的部分的下部既定区域分布有金属间化合物(IMC)的形态。


2.根据权利要求1所述的利用导电性金属结构体的半导体封装，其特征在于，
所述金属间化合物以所述铝平板的境界面为基准在高度300um以内的区域散布。


3.根据权利要求1所述的利用导电性金属结构体的半导体封装，其特征在于，
所述金属间化合物是以所述铝平板的境界面为基准在高度20um以内的区域稠密地分布。

【专利技术属性】
技术研发人员：崔伦华，崔淳性，
申请(专利权)人：JMJ韩国株式会社，
类型：新型
国别省市：韩国;KR